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BCR39PN
NPN / PNP硅数字晶体管阵列
4
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
二（电流）的内部分离NPN / PNP
在一个封装晶体管
内置偏置电阻（R
1
= 22k )

5
6



2
1
3
VPS05604
磁带加载方向
C1
B2
5
E2
4
顶视图
654
W1s
123
退绕方向
在SOT -363封装标识
（例如W1S ）
对应引脚1设备
6
R
1
TR1
R
1
TR2
在磁带位置：脚1
进料孔侧对面
EHA07193
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07290
TYPE
BCR39PN
最大额定值
参数
记号
W3s
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
50
50
5
30
100
250
150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗，
T
S
= 115 °C
结温
储存温度
mA
mW
°C
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs

140
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-29-2001
BCR39PN
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
V
我（上）
R
1
V
我（关闭）
V
CESAT
h
FE
I
CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
典型值。
马克斯。
单位
50
50
5
-
120
-
0.4
0.5
15
-
-
-
-
-
-
-
-
22
-
-
-
100
630
0.3
0.8
1.1
29
V
nA
-
V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
C
cb
-
3
-
f
T
-
150
-
兆赫
pF
1 ）脉冲测试：吨< 300秒; < 2 ％
2
Nov-29-2001

k

BCR39PN
NPN型
直流电流增益
h
FE
=
F（我
C
)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
3
V
CESAT
=
f
(I
C
),
h
FE
= 20
10
-1
A
h
FE
10
-2
10
2
I
C
10
-3
10
1 -4
10
-3
-2
10
10
A
10
-1
10
-4
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
1
I
C
V
CESAT
输入电压
V
我（上）
=
f
(I
C
)
输入过电压
V
我（关闭）
=
f
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
-1
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
-2
A
A
10
-3
10
-2
I
C
I
C
10
-4
10
-3
10
-5
10
-4 -1
10
0
1
10
10
V
10
2
10
-6
0
0.5
1
1.5
2
V
3
V
我（上）
V
我（关闭）
3
Nov-29-2001
BCR39PN
PNP型
直流电流增益
h
FE
=
F（我
C
)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
3
V
CESAT
=
f
(I
C
),
h
FE
= 20
10
-1
A
h
FE
10
-2
10
2
I
C
10
-3
10
1 -4
10
-3
-2
10
10
A
10
-1
10
-4
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
1
I
C
V
CESAT
输入电压
V
我（上）
=
f
(I
C
)
输入过电压
V
我（关闭）
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
-2
A
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
-1
A
10
-3
10
-2
I
C
I
C
10
-4
10
-3
10
-5
10
-4 -1
10
0
1
10
10
V
10
2
10
-6
0
0.5
1
1.5
2
V
3
V
我（上）
V
我（关闭）
4
Nov-29-2001
BCR39PN
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
300
mW
P
合计
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
K / W
10
3
P
totmax
/ P
totDC
-
10
2
10
2
10
1
10
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
5
Nov-29-2001
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推荐型号
B10A45VI
BK1608HM102-T
BAR67
B67345B0004X087
BZV48C200
BUK638-800
BQ3285EDSS
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