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BCR133.../SEMH11
NPN硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
= 10 k,
R
2
= 10 k)
对于6引脚封装： 2 （电流）的内部
隔离晶体管具有良好的匹配
在一个封装中
BCR133/F/L3
BCR133T/W
C
3
BCR133S/U
SEMH11
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
R
2
TR2
R
1
R
2
TR1
R
2
1
B
2
E
EHA07184
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07174
TYPE
BCR133
BCR133F
BCR133L3
BCR133S
BCR133T
BCR133U
BCR133W
SEMH11
记号
WCS
WCS
WC
WCS
WCS
WCS
WC
WC
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-4
SC75
SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SC74
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
1
Jun-14-2004
BCR133.../SEMH11
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
集电极电流
总功率dissipation-
BCR133,
T
S
≤
102°C
BCR133F,
T
S
≤
128°C
BCR133L3,
T
S
≤
135°C
BCR133S,
T
S
≤
115°C
BCR133T,
T
S
≤
109°C
BCR133U,
T
S
≤
118°C
BCR133W,
T
S
≤
124°C
SEMH11,
T
S
≤
75°C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BCR133
BCR133F
BCR133L3
BCR133S
BCR133T
BCR133U
BCR133W
SEMH11
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
价值
50
50
10
20
100
200
250
250
250
250
250
250
250
单位
V
mA
mW
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
150
-65 ... 150
价值
≤
240
≤
90
≤
60
≤
140
≤
165
≤
133
≤
105
≤
300
°C
单位
K / W
2
Jun-14-2004
BCR133.../SEMH11
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
50
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 ,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
R
1
/
R
2
50
-
-
30
-
0.8
1
7
0.9
-
-
-
-
-
-
-
10
1
-
100
0.75
-
0.3
1.5
2.5
13
1.1
k
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
nA
mA
-
V
发射基截止电流
V
EB
= 10 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1PULSE测试：吨< 300μS ; < 2 ％
f
T
C
cb
-
-
130
3
-
-
兆赫
pF
3
Jun-14-2004
BCR133.../SEMH11
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 5 V （共发射极配置）
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
(I
C
),
h
FE
= 20
10
2
-
mA
h
FE
10
2
I
C
10
1
10
1
10
0 -1
10
0
1
10
10
mA
10
2
10
0
0
0.2
0.4
0.6
V
1
I
C
V
CESAT
输入电压
V
i
（上）
=
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
2
输入过电压
V
我（关闭）
=
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
1
mA
mA
10
1
10
0
I
C
10
0
I
C
10
-1
10
-1 -1
10
0
1
10
10
V
10
2
10
-2
0
0.5
1
1.5
2
V
3
V
我（上）
V
我（关闭）
4
Jun-14-2004
BCR133.../SEMH11
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR133
300
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR133F
300
mW
mW
P
合计
150
P
合计
120
°C
200
200
150
100
100
50
50
0
0
20
40
60
80
100
150
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
T
S
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR133S
300
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR133T
300
mW
mW
P
合计
150
P
合计
120
°C
200
200
150
100
100
50
50
0
0
20
40
60
80
100
150
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
T
S
5
Jun-14-2004
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