BCR133...
NPN硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
= 10 k,
R
2
= 10 k)
BCR133S ：两个内部隔离
晶体管具有良好的匹配
在一个多芯片封装
BCR133S ：对于方位盘看
下面的包信息
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
BCR133/W/F
C
3
BCR133S
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
R
2
TR2
R
1
R
2
TR1
R
2
1
B
2
E
EHA07184
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07174
TYPE
BCR133
BCR133F
BCR133S
BCR133W
1
含有铅，
记号
WCS
WCS
WCS
WCS
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
SOT23
TSFP-3
SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
包可能是可根据特殊要求
1
2007-09-17
BCR133.../SEMH11
NPN硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
= 10 k,
R
2
= 10 k)
对于6引脚封装： 2 （电流）的内部
隔离晶体管具有良好的匹配
在一个封装中
BCR133/F/L3
BCR133T/W
C
3
BCR133S/U
SEMH11
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
R
2
TR2
R
1
R
2
TR1
R
2
1
B
2
E
EHA07184
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07174
TYPE
BCR133
BCR133F
BCR133L3
BCR133S
BCR133T
BCR133U
BCR133W
SEMH11
记号
WCS
WCS
WC
WCS
WCS
WCS
WC
WC
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-4
SC75
SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SC74
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
1
Jun-14-2004
BCR133.../SEMH11
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
50
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 ,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
R
1
/
R
2
50
-
-
30
-
0.8
1
7
0.9
-
-
-
-
-
-
-
10
1
-
100
0.75
-
0.3
1.5
2.5
13
1.1
k
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
nA
mA
-
V
发射基截止电流
V
EB
= 10 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1PULSE测试：吨< 300μS ; < 2 ％
f
T
C
cb
-
-
130
3
-
-
兆赫
pF
3
Jun-14-2004
QQ：2880707522 复制
