BCR116.../SEMH13
NPN硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
=4.7k,
R
2
=47k)
对于6引脚封装： 2 （电流）的内部
隔离晶体管具有良好的匹配
在一个封装中
BCR116/F/L3
BCR116T/W
C
3
BCR116S
SEMH13
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
R
2
TR2
R
1
R
2
TR1
R
2
1
B
2
E
EHA07184
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07174
TYPE
记号
引脚配置
包
BCR116
BCR116F
BCR116L3
BCR116S
BCR116T
BCR116W
SEMH13
WGS
WGS
WG
WGS
WGS
WGS
WG
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-4
SC75
SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
1
May-17-2004
BCR116.../SEMH13
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
50
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
单位
V
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
R
1
/
R
2
50
-
-
70
-
0.4
0.5
3.2
0.09
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.7
0.1
150
3
-
100
155
-
0.3
0.8
1.4
6.2
0.11
-
-
k
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
nA
A
-
V
发射基截止电流
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1PULSE测试：吨< 300μS ; < 2 ％
-
兆赫
pF
f
T
C
cb
3
May-17-2004
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