三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR08AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
BCR08AS
外形绘图
尺寸
单位：mm
4.4±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
2.5±0.1
1
0.8分钟
2
3
0.5±0.07
0.4±0.07
1.5±0.1 1.5±0.1
（背面）
2
1
T
1
终奌站
2
T
2
终奌站
3
栅极端子
0.4
+0.03
–0.05
I
T（ RMS ）
..................................................................... 0.8A
V
DRM
....................................................................... 600V
I
FGT
!
, I
RGT
!
, I
RGT
#
.............................................. 5毫安
I
FGT
#
.................................................. ................... 10毫安
3
1
SOT-89
应用
混合IC ，固态继电器，
家用设备的控制，如电风扇·洗衣机，
其它通用控制应用
最大额定值
符号
V
DRM
V
帝斯曼
参数
重复峰值断态电压
½1
非重复峰值断态
电压
½1
电压等级
12 （标记为“BF” ）
600
720
单位
V
V
3.9±0.3
符号
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
—
参数
RMS通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率的正弦波全波360度通电，
60Hz的正弦波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
T
a
=40°C
½3
评级
0.8
8
0.26
1
0.1
6
1
–40 ~ +125
–40 ~ +125
48
单位
A
A
A
2
s
W
W
V
A
°C
°C
mg
½1.
门敞开着。
2002年3月
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR08AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
电气特性
范围
符号
I
DRM
V
TM
V
FGT
!
V
RGT
!
V
RGT
#
V
FGT
#
I
FGT
!
I
RGT
!
I
RGT
#
I
FGT
#
V
GD
R
号（j -a）的
（ dv / dt的）
c
门非触发电压
热阻
临界速率的断态崛起
整流电压
½4
参数
重复峰值断态电流
通态电压
!
门极触发电压
½2
@
#
$
!
门极触发电流
½2
@
#
$
T
j
= 125°C ，V
D
=1/2V
DRM
结到
T
j
=125°C
例
½3
测试条件
T
j
= 125°C ，V
DRM
应用的
T
c
= 25 ° C，I
TM
= 1.2A ，瞬时测量
分钟。
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
5
5
5
10
—
65
—
单位
mA
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
V
°C/
W
V / μs的
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，R
L
=6, R
G
=330
—
—
—
—
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，R
L
=6, R
G
=330
—
—
0.1
—
0.5
½2.
测量使用的门极触发特性测量电路。
½3.
安装在25毫米
×
25mm
×
t0.7mm陶瓷板的焊料。
½4.
的临界速率断态换向电压的上升的试验条件列于下表中。
测试条件
整流电压和电流波形
（感性负载）
1.结温
T
j
=125°C
通态电流换向的衰减率2。
（ di / dt的）
c
=–0.4A/ms
3.峰值断态电压
V
D
=400V
供应
电压
主流
主
电压
（ dv / dt的）C
（ di / dt的）C
时间
时间
时间
V
D
性能曲线
最大通态特性
额定浪涌通态电流
10
浪涌通态电流（A）
通态电流（A ）
10
1
7
5
4
3
2
T
j
= 125°C
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
0
1
2
8
6
4
T
j
= 25°C
2
0
10
0
3
4
5
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电压（V ）
导通时间
（周期为60Hz ）
2002年3月
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR08AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
GATE特性
100 (%)
门极触发电流VS.
结温
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
典型的例子
I
FGT III
I
FGT我
I
RGT III
I
RGT我
栅极电压（ V）
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
P
GM
= 1W
P
G（ AV ）
= 0.1W
V
GT
I
GM
= 1A
I
FGT我
,
I
RGT我
, I
RGT III
I
FGT III
V
GD
= 0.2V
10
–1
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
10
栅极电流（毫安）
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
= 25°C)
10
2
7
5
3
2
V
GM
= 10V
门极触发电压Vs
结温
100 (%)
最大瞬态热
阻抗特性
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
门极触发电压（T
j
= T ° C）
门极触发电压（T
j
= 25°C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
典型的例子
10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
2 3 5 7 10
5
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
导通时间
（周期为60Hz ）
结到环境
V
FGT我
V
FGT III
结到外壳
V
RGT我
V
RGT III
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
最大导通功率
耗散
通态功耗（ W）
允许外壳温度
VS. RMS通态电流
曲线适用于基于何种
导通角140
自然对流
电阻式，
120
电感
100
负载
80
60
40
20
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
RMS通态电流（A ）
160
2.0
外壳温度（ ° C）
1.6
1.2
0.8
360°
传导
电阻式，
电感
负载
0.4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
RMS通态电流（A ）
2002年3月
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR08AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
重复峰值断态
当前VS. JUNCTION
温度
10
5
7典型的例子
5
3
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
100 (%)
100 (%)
保持电流VS.
结温
典型的例子
重复峰值断态电流（T
j
= T ° C）
重复峰值断态电流（T
j
= 25°C)
维持电流（T
j
= T ° C）
维持电流（T
j
= 25°C)
LACHING电流VS.
结温
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
100 (%)
转折电压VS.
结温
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100120 140
结温（ ° C）
分配
+
T
2
, G
–
典型的例子
LACHING电流（mA）
+
T
2
, G
+
典型
–
T
2
, G
–
½
–
+
例子
T
2
, G
10
–1
–40
0
40
10
0
7
5
3
2
80
120
160
结温（ ° C）
100 (%)
崛起的断态临界速率
换向电压（ V / μs）内
转折电压VS.
增长速度的
断态电压
160
140
典型的例子
T
j
= 125°C
击穿电压（T
j
= T ° C）
击穿电压（T
j
= 25°C)
换相特性
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
最低
字符
开创性意义
价值
2
3
典型
例子
T
j
= 125°C
I
T
= 1A
τ
= 500s
V
D
= 200V
F = 3HZ
第三象限
击穿电压（ dv / dt的= XV /μs的）
击穿电压（ dv / dt的= 1V /μs的）
120
100
80
60
40
20
0
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
增长速度OFF态电压（V /μs的）
第三象限
我象限
我象限
10
–1
10
–1
5 7 10
0
2
3
5 7 10
1
通态衰变率
换向电流（ A / MS ）
2002年3月
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如三菱的变化
电气和三菱XX ，瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称
已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经
到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR08AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
BCR08AS
外形绘图
尺寸
单位：mm
4.4±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
2.5±0.1
1
0.8分钟
2
3
0.5±0.07
0.4±0.07
1.5±0.1 1.5±0.1
（背面）
2
1
T
1
终奌站
2
T
2
终奌站
3
栅极端子
0.4
+0.03
–0.05
I
T（ RMS ）
..................................................................... 0.8A
V
DRM
....................................................................... 600V
I
FGT
!
, I
RGT
!
, I
RGT
#
.............................................. 5毫安
I
FGT
#
.................................................. ................... 10毫安
3
1
SOT-89
应用
混合IC ，固态继电器，
家用设备的控制，如电风扇·洗衣机，
其它通用控制应用
最大额定值
符号
V
DRM
V
帝斯曼
参数
重复峰值断态电压
½1
非重复峰值断态
电压
½1
电压等级
12 （标记为“BF” ）
600
720
单位
V
V
3.9±0.3
符号
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
—
参数
RMS通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率的正弦波全波360度通电，
60Hz的正弦波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
T
a
=40°C
½3
评级
0.8
8
0.26
1
0.1
6
1
–40 ~ +125
–40 ~ +125
48
单位
A
A
A
2
s
W
W
V
A
°C
°C
mg
½1.
门敞开着。
2002年3月
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR08AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
电气特性
范围
符号
I
DRM
V
TM
V
FGT
!
V
RGT
!
V
RGT
#
V
FGT
#
I
FGT
!
I
RGT
!
I
RGT
#
I
FGT
#
V
GD
R
号（j -a）的
（ dv / dt的）
c
门非触发电压
热阻
临界速率的断态崛起
整流电压
½4
参数
重复峰值断态电流
通态电压
!
门极触发电压
½2
@
#
$
!
门极触发电流
½2
@
#
$
T
j
= 125°C ，V
D
=1/2V
DRM
结到
T
j
=125°C
例
½3
测试条件
T
j
= 125°C ，V
DRM
应用的
T
c
= 25 ° C，I
TM
= 1.2A ，瞬时测量
分钟。
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
5
5
5
10
—
65
—
单位
mA
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
V
°C/
W
V / μs的
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，R
L
=6, R
G
=330
—
—
—
—
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，R
L
=6, R
G
=330
—
—
0.1
—
0.5
½2.
测量使用的门极触发特性测量电路。
½3.
安装在25毫米
×
25mm
×
t0.7mm陶瓷板的焊料。
½4.
的临界速率断态换向电压的上升的试验条件列于下表中。
测试条件
整流电压和电流波形
（感性负载）
1.结温
T
j
=125°C
通态电流换向的衰减率2。
（ di / dt的）
c
=–0.4A/ms
3.峰值断态电压
V
D
=400V
供应
电压
主流
主
电压
（ dv / dt的）C
（ di / dt的）C
时间
时间
时间
V
D
性能曲线
最大通态特性
额定浪涌通态电流
10
浪涌通态电流（A）
通态电流（A ）
10
1
7
5
4
3
2
T
j
= 125°C
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
0
1
2
8
6
4
T
j
= 25°C
2
0
10
0
3
4
5
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电压（V ）
导通时间
（周期为60Hz ）
2002年3月
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR08AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
GATE特性
100 (%)
门极触发电流VS.
结温
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
典型的例子
I
FGT III
I
FGT我
I
RGT III
I
RGT我
栅极电压（ V）
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
P
GM
= 1W
P
G（ AV ）
= 0.1W
V
GT
I
GM
= 1A
I
FGT我
,
I
RGT我
, I
RGT III
I
FGT III
V
GD
= 0.2V
10
–1
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
10
栅极电流（毫安）
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
= 25°C)
10
2
7
5
3
2
V
GM
= 10V
门极触发电压Vs
结温
100 (%)
最大瞬态热
阻抗特性
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
门极触发电压（T
j
= T ° C）
门极触发电压（T
j
= 25°C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
典型的例子
10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
2 3 5 7 10
5
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
导通时间
（周期为60Hz ）
结到环境
V
FGT我
V
FGT III
结到外壳
V
RGT我
V
RGT III
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
最大导通功率
耗散
通态功耗（ W）
允许外壳温度
VS. RMS通态电流
曲线适用于基于何种
导通角140
自然对流
电阻式，
120
电感
100
负载
80
60
40
20
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
RMS通态电流（A ）
160
2.0
外壳温度（ ° C）
1.6
1.2
0.8
360°
传导
电阻式，
电感
负载
0.4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
RMS通态电流（A ）
2002年3月
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR08AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
重复峰值断态
当前VS. JUNCTION
温度
10
5
7典型的例子
5
3
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
100 (%)
100 (%)
保持电流VS.
结温
典型的例子
重复峰值断态电流（T
j
= T ° C）
重复峰值断态电流（T
j
= 25°C)
维持电流（T
j
= T ° C）
维持电流（T
j
= 25°C)
LACHING电流VS.
结温
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
100 (%)
转折电压VS.
结温
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100120 140
结温（ ° C）
分配
+
T
2
, G
–
典型的例子
LACHING电流（mA）
+
T
2
, G
+
典型
–
T
2
, G
–
½
–
+
例子
T
2
, G
10
–1
–40
0
40
10
0
7
5
3
2
80
120
160
结温（ ° C）
100 (%)
崛起的断态临界速率
换向电压（ V / μs）内
转折电压VS.
增长速度的
断态电压
160
140
典型的例子
T
j
= 125°C
击穿电压（T
j
= T ° C）
击穿电压（T
j
= 25°C)
换相特性
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
最低
字符
开创性意义
价值
2
3
典型
例子
T
j
= 125°C
I
T
= 1A
τ
= 500s
V
D
= 200V
F = 3HZ
第三象限
击穿电压（ dv / dt的= XV /μs的）
击穿电压（ dv / dt的= 1V /μs的）
120
100
80
60
40
20
0
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
增长速度OFF态电压（V /μs的）
第三象限
我象限
我象限
10
–1
10
–1
5 7 10
0
2
3
5 7 10
1
通态衰变率
换向电流（ A / MS ）
2002年3月
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