【BCP 70MPNP硅自动对焦功率晶体管初步数据用于AF的驱动级和输出级高集电极电流低集电极 - 发】,IC型号BCP70,BCP70 PDF资料,BCP70经销商,ic,电子元器件-51电子网

BCP 70M

PNP硅自动对焦功率晶体管

初步数据

用于AF的驱动级和输出级

高集电极电流

低集电极 - 发射极饱和电压

4

5

3

2

1

VPW05980

TYPE

BCP 70M

订购代码标识引脚配置

PBS

Q62702-C2596

包

1 = E 2 = C 3 = E 4 = B 5 = C SCT- 595

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

≤

94 °C

结温

储存温度

符号

价值

32

5

3

6

200

500

1.7

150

-65...+150

W

°C

mA

A

单位

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

热阻

交界处的环境

1)

结 - 焊接点

R

thJA

R

thjs

≤

88

≤

33

K / W

1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 6厘米2铜

半导体集团

1

Jun-05-1998

1998-11-01

BCP 70M

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

单位

马克斯。

-

100

20

100

nA

A

nA

-

V

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

典型值。

-

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

32

5

-

I

C

= 100 A,

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100 A,

I

B

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益1 ）

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 2 A,

V

CE

= 2 V

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

25

85

50

-

0.18

-

475

-

1.2

V

CESAT

V

BESAT

-

I

C

= 2 A,

I

B

= 0.2 A

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 2 A,

I

B

= 0.2 A

AC特性

跃迁频率

f

T

C

cb

-

100

80

-

兆赫

pF

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％

半导体集团

2

Jun-05-1998

1998-11-01

BCP 70M

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;T

S

)

*包装安装在环氧

2000

mW

1600

1400

T

S

P

合计

1200

1000

800

600

400

200

0

T

A

20

40

60

80

100

120

°C

150

T

A

,T

S

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

2

10

3

P

totmax

/ P

totDC

K / W

-

R

thjs

10

1

10

2

10

0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

10

1

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

-1 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

t

p

t

p

半导体集团

3

Jun-05-1998

1998-11-01

BCP 70M

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE

= 2V

10

3

I

C

=

f

(V

CESAT

),

h

FE

= 10

10

4

mA

-

100°C

25°C

h

FE

10

2

-55°C

3

I

C

10

100°C

25°C

-50°C

10

2

10

1

10

1

10

0 0

10

1

10

2

10

3

mA

10

4

10

0

0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40

V

0.50

I

C

V

CESAT

基射极饱和电压

集电极电流

I

C

=

f

(V

BE

)

I

C

=

f

(V

BESAT

),

h

FE

= 10

10

4

mA

V

CE

= 2V

10

4

mA

I

C

10

3

I

C

10

-50°C

25°C

100°C

10

2

10

2

-50°C

25°C

100°C

10

1

10

1

10

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

1.3

10

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

1.3

V

BESAT

V

BE

半导体集团

4

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1998-11-01

BCP 70M

PNP硅自动对焦功率晶体管

初步数据

用于AF的驱动级和输出级

高集电极电流

低集电极 - 发射极饱和电压

4

5

3

2

1

VPW05980

TYPE

BCP 70M

订购代码标识引脚配置

PBS

Q62702-C2596

包

1 = E 2 = C 3 = E 4 = B 5 = C SCT- 595

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

≤

94 °C

结温

储存温度

符号

价值

32

5

3

6

200

500

1.7

150

-65...+150

W

°C

mA

A

单位

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

热阻

交界处的环境

1)

结 - 焊接点

R

thJA

R

thjs

≤

88

≤

33

K / W

1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 6厘米2铜

半导体集团

1

Jun-05-1998

1998-11-01

BCP 70M

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

单位

马克斯。

-

100

20

100

nA

A

nA

-

V

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

典型值。

-

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

32

5

-

I

C

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I

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集电极 - 基极击穿电压

I

C

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I

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发射极 - 基极击穿电压

I

E

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I

C

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收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益1 ）

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 2 A,

V

CE

= 2 V

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

25

85

50

-

0.18

-

475

-

1.2

V

CESAT

V

BESAT

-

I

C

= 2 A,

I

B

= 0.2 A

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 2 A,

I

B

= 0.2 A

AC特性

跃迁频率

f

T

C

cb

-

100

80

-

兆赫

pF

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％

半导体集团

2

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1998-11-01

BCP 70M

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;T

S

)

*包装安装在环氧

2000

mW

1600

1400

T

S

P

合计

1200

1000

800

600

400

200

0

T

A

20

40

60

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120

°C

150

T

A

,T

S

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

2

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3

P

totmax

/ P

totDC

K / W

-

R

thjs

10

1

10

2

10

0

0.5

0.2

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0.05

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0.005

D=0

10

1

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

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10

-1 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

t

p

t

p

半导体集团

3

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1998-11-01

BCP 70M

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE

= 2V

10

3

I

C

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f

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CESAT

),

h

FE

= 10

10

4

mA

-

100°C

25°C

h

FE

10

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-55°C

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C

10

100°C

25°C

-50°C

10

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1

10

1

10

0 0

10

1

10

2

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C

V

CESAT

基射极饱和电压

集电极电流

I

C

=

f

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BE

)

I

C

=

f

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BESAT

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h

FE

= 10

10

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C

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-50°C

25°C

100°C

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25°C

100°C

10

1

10

1

10

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

1.3

10

0

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0.2

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0.8

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V

1.3

V

BESAT

V

BE

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