【摩托罗拉半导体技术资料订购此文件通过BCP69T1 / DPNP硅外延晶体管这PNP硅外延晶体管设计】,IC型号BCP69T1,BCP69T1 PDF资料,BCP69T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过BCP69T1 / D

PNP硅

外延晶体管

这PNP硅外延晶体管设计用于在低电压，高电流

应用程序。该设备被容纳在所述的SOT- 223封装，其被设计为

中等功率表面贴装应用。

高电流： IC = -1.0放大器

采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。

SOT- 223封装可以确保水平安装，从而提高了热

传导，并且允许焊点的目视检查。所形成的引线

焊接过程中吸收热应力，消除了损坏的可能性

模具中。

采用12毫米磁带和卷轴

使用BCP69T1责令7英寸/ 1000单元卷轴。

使用BCP69T3订购13英寸/ 4000单元卷轴。

NPN补是BCP68

集热2,4

BCP69T1

摩托罗拉的首选设备

中功率

PNP硅

HIGH CURRENT

晶体管

表面贴装

BASE

辐射源3

CASE 318E -04 ，风格1

TO-261AA

最大额定值

（ TC = 25° C除非另有说明）

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）

减免上述25℃

工作和存储温度范围

符号

VCEO

VCBO

VEBO

TJ ， TSTG

价值

– 25

– 20

– 5.0

–1.0

1.5

- 65 150

单位

VDC

ADC

瓦

毫瓦/°C的

°C

器件标识

热特性

特征

热电阻 - 结到环境（表面贴装）

从案例无铅焊接温度的， 0.0625 “

在焊接洗澡时间

符号

θJA

最大

83.3

260

单位

° C / W

°C

美国证券交易委员会

1.装置安装在玻璃环氧印刷电路板1.575英寸X 1.575英寸X 0.059英寸;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

REV 2

摩托罗拉小信号

摩托罗拉公司1996年

晶体管， FET和二极管设备数据

BCP69T1

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -100

μAdc ，

IE = 0 ）

集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压（IE = -10

μAdc ，

IC = 0）

集电极 - 基极截止电流（ VCB = - 25伏直流电， IE = 0 ）

发射基截止电流（ VEB = - 5.0伏， IC = 0 ）

V（ BR ） CES

V（ BR ） CEO

V（ BR ） EBO

ICBO

IEBO

– 25

– 20

– 5.0

—

–10

VDC

μAdc

基本特征

直流电流增益

（ IC = - 5.0 MADC ， VCE = -10伏直流）

（ IC = - 500 MADC ， VCE = -1.0 V直流）

（ IC = -1.0 ADC ， VCE = -1.0 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压（ IC = -1.0 ADC ， IB = -100 MADC ）

基射极电压上（IC = -1.0 ADC ， VCE = -1.0 V直流）

的hFE

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

—

375

—

– 0.5

–1.0

VDC

—

动态特性

电流增益 - 带宽积

（ IC = -10 MADC ， VCE = - 5.0 V直流）

—

兆赫

典型电气特性

200

F T ，电流增益带宽积（兆赫）

300

200

hFE参数，电流增益

100

VCE = -1.0 V

TJ = 25°C

100

VCE = -10 V

TJ = 25°C

F = 30 MHz的

–10

–100

IC ，集电极电流（毫安）

–1000

–10

–100

IC ，集电极电流（毫安）

–1000

图1.直流电流增益

–1.0

TJ = 25°C

– 0.8

V，电压（V ）

V（ BE ）坐@ IC / IB = 10

C，电容（pF ）

160

图2.电流增益带宽积

TJ = 25°C

120

– 0.6

V（ BE ）上@ VCE = -1.0 V

兴业银行

COB

兴业银行

– 5.0

–1.0

– 2.0

–1.5

– 3.0

– 2.0

– 4.0

– 2.5

– 5.0

– 0.4

– 0.2

V（ CE ）坐@ IC / IB = 10

–10

–100

–1000

IC ，集电极电流（毫安）

–1.0

图3.饱和度和“ON”电压

VR ，反向电压（伏）

图4的电容

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BCP69T1

对于采用SOT- 223表面贴装封装信息

功耗

采用SOT -223的功耗的功能

输入焊盘尺寸。这些都可以从最小焊盘尺寸变化

用于焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸

耗散。功耗为表面安装器件

由TJ （最大值）时，最大额定结温测定

在模具中，R的TURE

θJA

从装置的热阻

结到环境;和操作温度TA 。

使用提供的数据手册SOT- 223的值

包， PD可如下进行计算。

PD =

TJ（MAX） - TA

θJA

该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以

计算在此所述装置的功率耗散

情况下为1.5瓦。

PD =

150°C – 25°C

= 1.5瓦特

83.3°C/W

该方程的值被发现的最大

评级表上的数据表。这些值代入

为SOT- 223封装的83.3 ° C / W假设

的965平方推荐收集垫的区域。在玻璃密

环氧树脂印刷电路板来实现的功率耗散

1.5瓦特。如果空间是十分宝贵的，更现实

方法是利用使用该设备时的833毫瓦的PD

显示足迹。使用的基板材料，如热

包， 1.6瓦的功耗可使用实现

同样足迹。

安装须知

焊料的熔融温度比额定高

温度的装置。当整个装置被加热

到很高的温度，不内完成焊接

短的时间内可能会导致器件失效。因此，该

下列项目应始终以观察到

最小化的热应力，以使设备

受。

总是预热装置。

预热之间的温度增量

焊接应为100 ℃或更低。 *

在预热和焊接，对温度

引线和外壳必须不超过最大

温度额定值上所示的数据表。当

采用红外加热与回流焊接方法，

的差值应该是最多10 ℃。

焊接温度和时间应不超过

260 ℃下进行10秒以上。

当从预热焊接移位时，

最大温度梯度为5 ℃或更小。

焊接完成后，该设备应

可以使其自然冷却至少三分钟。

逐渐冷却应作为采用强制

冷却将增加的温度梯度，从而导致

在潜失效由于机械应力。

机械应力或冲击不应在被应用

冷却

*进行焊接装置无需预热可导致过度

热冲击和应力，这可能导致损坏

装置。

推荐的最低足迹表面安装应用程序

表面贴装电路板布局是总的关键部分

设计。占地面积为半导体封装必须

为保证适当的焊料连接的正确大小

0.15

3.8

0.079

2.0

电路板和封装之间的接口。与

正确的垫几何，包会自我调整的时候

经受回流焊接工艺。

0.091

2.3

0.079

2.0

0.059

1.5

0.059

1.5

0.091

2.3

0.248

6.3

0.059

1.5

英寸

SOT-223

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BCP69T1

包装尺寸

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

0.08 (0003)

英寸

DIM MIN

最大

0.249

0.263

0.130

0.145

0.060

0.068

0.024

0.035

0.115

0.126

0.087

0.094

0.0008 0.0040

0.009

0.014

0.060

0.078

0.033

0.041

0.264

0.287

风格1 ：

PIN 1 。

MILLIMETERS

民

最大

6.30

6.70

3.30

3.70

1.50

1.75

0.60

0.89

2.90

3.20

2.20

2.40

0.020

0.100

0.24

0.35

1.50

2.00

0.85

1.05

6.70

7.30

BASE

集热器

辐射源

集热器

CASE 318E -04

ISSUE

TO-261AA

摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证

其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并

具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数

数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”

必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利

其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他

应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况

否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉

其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害

所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，

摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉

注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等

机会/肯定行动雇主。

如何找到我们：

美国/欧洲/点未列出：

摩托罗拉文学分布;

P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454

M传真：

RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609

互联网：

http://Design-NET.com

日本：

日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，

3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315

亚洲/太平洋网络C：

摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，

51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298

BCP69T1/D

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过BCP69T1 / D

PNP硅

外延晶体管

这PNP硅外延晶体管设计用于在低电压，高电流

应用程序。该设备被容纳在所述的SOT- 223封装，其被设计为

中等功率表面贴装应用。

高电流： IC = -1.0放大器

采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。

SOT- 223封装可以确保水平安装，从而提高了热

传导，并且允许焊点的目视检查。所形成的引线

焊接过程中吸收热应力，消除了损坏的可能性

模具中。

采用12毫米磁带和卷轴

使用BCP69T1责令7英寸/ 1000单元卷轴。

使用BCP69T3订购13英寸/ 4000单元卷轴。

NPN补是BCP68

集热2,4

BCP69T1

摩托罗拉的首选设备

中功率

PNP硅

HIGH CURRENT

晶体管

表面贴装

BASE

辐射源3

CASE 318E -04 ，风格1

TO-261AA

最大额定值

（ TC = 25° C除非另有说明）

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）

减免上述25℃

工作和存储温度范围

符号

VCEO

VCBO

VEBO

TJ ， TSTG

价值

– 25

– 20

– 5.0

–1.0

1.5

- 65 150

单位

VDC

ADC

瓦

毫瓦/°C的

°C

器件标识

热特性

特征

热电阻 - 结到环境（表面贴装）

从案例无铅焊接温度的， 0.0625 “

在焊接洗澡时间

符号

θJA

最大

83.3

260

单位

° C / W

°C

美国证券交易委员会

1.装置安装在玻璃环氧印刷电路板1.575英寸X 1.575英寸X 0.059英寸;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

REV 2

摩托罗拉小信号

摩托罗拉公司1996年

晶体管， FET和二极管设备数据

BCP69T1

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -100

μAdc ，

IE = 0 ）

集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压（IE = -10

μAdc ，

IC = 0）

集电极 - 基极截止电流（ VCB = - 25伏直流电， IE = 0 ）

发射基截止电流（ VEB = - 5.0伏， IC = 0 ）

V（ BR ） CES

V（ BR ） CEO

V（ BR ） EBO

ICBO

IEBO

– 25

– 20

– 5.0

—

–10

VDC

μAdc

基本特征

直流电流增益

（ IC = - 5.0 MADC ， VCE = -10伏直流）

（ IC = - 500 MADC ， VCE = -1.0 V直流）

（ IC = -1.0 ADC ， VCE = -1.0 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压（ IC = -1.0 ADC ， IB = -100 MADC ）

基射极电压上（IC = -1.0 ADC ， VCE = -1.0 V直流）

的hFE

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

—

375

—

– 0.5

–1.0

VDC

—

动态特性

电流增益 - 带宽积

（ IC = -10 MADC ， VCE = - 5.0 V直流）

—

兆赫

典型电气特性

200

F T ，电流增益带宽积（兆赫）

300

200

hFE参数，电流增益

100

VCE = -1.0 V

TJ = 25°C

100

VCE = -10 V

TJ = 25°C

F = 30 MHz的

–10

–100

IC ，集电极电流（毫安）

–1000

–10

–100

IC ，集电极电流（毫安）

–1000

图1.直流电流增益

–1.0

TJ = 25°C

– 0.8

V，电压（V ）

V（ BE ）坐@ IC / IB = 10

C，电容（pF ）

160

图2.电流增益带宽积

TJ = 25°C

120

– 0.6

V（ BE ）上@ VCE = -1.0 V

兴业银行

COB

兴业银行

– 5.0

–1.0

– 2.0

–1.5

– 3.0

– 2.0

– 4.0

– 2.5

– 5.0

– 0.4

– 0.2

V（ CE ）坐@ IC / IB = 10

–10

–100

–1000

IC ，集电极电流（毫安）

–1.0

图3.饱和度和“ON”电压

VR ，反向电压（伏）

图4的电容

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BCP69T1

对于采用SOT- 223表面贴装封装信息

功耗

采用SOT -223的功耗的功能

输入焊盘尺寸。这些都可以从最小焊盘尺寸变化

用于焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸

耗散。功耗为表面安装器件

由TJ （最大值）时，最大额定结温测定

在模具中，R的TURE

θJA

从装置的热阻

结到环境;和操作温度TA 。

使用提供的数据手册SOT- 223的值

包， PD可如下进行计算。

PD =

TJ（MAX） - TA

θJA

该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以

计算在此所述装置的功率耗散

情况下为1.5瓦。

PD =

150°C – 25°C

= 1.5瓦特

83.3°C/W

该方程的值被发现的最大

评级表上的数据表。这些值代入

为SOT- 223封装的83.3 ° C / W假设

的965平方推荐收集垫的区域。在玻璃密

环氧树脂印刷电路板来实现的功率耗散

1.5瓦特。如果空间是十分宝贵的，更现实

方法是利用使用该设备时的833毫瓦的PD

显示足迹。使用的基板材料，如热

包， 1.6瓦的功耗可使用实现

同样足迹。

安装须知

焊料的熔融温度比额定高

温度的装置。当整个装置被加热

到很高的温度，不内完成焊接

短的时间内可能会导致器件失效。因此，该

下列项目应始终以观察到

最小化的热应力，以使设备

受。

总是预热装置。

预热之间的温度增量

焊接应为100 ℃或更低。 *

在预热和焊接，对温度

引线和外壳必须不超过最大

温度额定值上所示的数据表。当

采用红外加热与回流焊接方法，

的差值应该是最多10 ℃。

焊接温度和时间应不超过

260 ℃下进行10秒以上。

当从预热焊接移位时，

最大温度梯度为5 ℃或更小。

焊接完成后，该设备应

可以使其自然冷却至少三分钟。

逐渐冷却应作为采用强制

冷却将增加的温度梯度，从而导致

在潜失效由于机械应力。

机械应力或冲击不应在被应用

冷却

*进行焊接装置无需预热可导致过度

热冲击和应力，这可能导致损坏

装置。

推荐的最低足迹表面安装应用程序

表面贴装电路板布局是总的关键部分

设计。占地面积为半导体封装必须

为保证适当的焊料连接的正确大小

0.15

3.8

0.079

2.0

电路板和封装之间的接口。与

正确的垫几何，包会自我调整的时候

经受回流焊接工艺。

0.091

2.3

0.079

2.0

0.059

1.5

0.059

1.5

0.091

2.3

0.248

6.3

0.059

1.5

英寸

SOT-223

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BCP69T1

包装尺寸

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

0.08 (0003)

英寸

DIM MIN

最大

0.249

0.263

0.130

0.145

0.060

0.068

0.024

0.035

0.115

0.126

0.087

0.094

0.0008 0.0040

0.009

0.014

0.060

0.078

0.033

0.041

0.264

0.287

风格1 ：

PIN 1 。

MILLIMETERS

民

最大

6.30

6.70

3.30

3.70

1.50

1.75

0.60

0.89

2.90

3.20

2.20

2.40

0.020

0.100

0.24

0.35

1.50

2.00

0.85

1.05

6.70

7.30

BASE

集热器

辐射源

集热器

CASE 318E -04

ISSUE

TO-261AA

摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证

其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并

具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数

数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”

必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利

其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他

应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况

否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉

其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害

所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，

摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉

注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等

机会/肯定行动雇主。

如何找到我们：

美国/欧洲/点未列出：

摩托罗拉文学分布;

P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454

M传真：

RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609

互联网：

http://Design-NET.com

日本：

日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，

3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315

亚洲/太平洋网络C：

摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，

51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298

BCP69T1/D