摩托罗拉
半导体技术资料
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通过BCP68T1 / D
NPN硅
外延晶体管
这NPN硅外延晶体管设计用于在低电压,高电流
应用程序。该设备被容纳在所述的SOT- 223封装,其被设计为
中等功率表面贴装应用。
高电流: IC = 1.0安培
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。
SOT- 223封装可以确保水平安装,从而提高了热
传导,并且允许焊点的目视检查。所形成的引线
焊接过程中吸收热应力,消除了损坏的可能性
模具
采用12毫米磁带和卷轴
使用BCP68T1责令7英寸/ 1000单元卷轴。
使用BCP68T3订购13英寸/ 4000单元卷轴。
该PNP补是BCP69T1
集热2,4
BCP68T1
摩托罗拉的首选设备
中功率
NPN硅
HIGH CURRENT
晶体管
表面贴装
4
1
2
3
BASE
1
辐射源3
CASE 318E -04 ,风格1
TO-261AA
最大额定值
( TC = 25° C除非另有说明)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率耗散@ TA = 25 ° C( 1 )
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
价值
25
20
5
1
1.5
12
- 65 150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
器件标识
CA
热特性
特征
热电阻 - 结到环境(表面贴装)
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
符号
R
θJA
TL
最大
83.3
260
10
单位
° C / W
°C
美国证券交易委员会
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板1.575英寸X 1.575英寸X 0.0625英寸;安装焊盘的集电极引线= 0.93平方英寸
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉小信号
摩托罗拉公司1996年
晶体管, FET和二极管设备数据
1
BCP68T1
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = 100
μAdc ,
IE = 0 )
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 10
μAdc ,
IC = 0)
集电极 - 基极截止电流
( VCB = 25伏直流电, IE = 0 )
发射基截止电流
( VEB = 5.0伏, IC = 0 )
V( BR ) CES
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
ICBO
IEBO
25
20
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
10
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
基本特征( 2 )
直流电流增益
( IC = 5.0 MADC , VCE = 10 V直流)
( IC = 500 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 1.0 ADC , VCE = 1.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 1.0 ADC , IB = 100 MADC )
基射极电压上
( IC = 1.0 ADC , VCE = 1.0 V直流)
的hFE
50
85
60
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
—
—
—
—
—
—
—
—
375
—
0.5
1.0
VDC
VDC
—
动态特性
电流增益 - 带宽积
( IC = 10 MADC , VCE = 5.0 V直流)
2.脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
fT
—
60
—
兆赫
典型电气特性
F T ,电流增益带宽积(兆赫)
300
200
的hFE , DC电流增益
300
200
100
TJ = 125°C
= 25°C
= – 55°C
100
70
50
VCE = 10 V
TJ = 25°C
F = 30 MHz的
VCE = 1.0 V
10
1.0
10
100
IC ,集电极电流(毫安)
1000
30
10
100
200
IC ,集电极电流(毫安)
1000
图1.直流电流增益
图2.电流增益带宽积
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
BCP68T1
对于采用SOT- 223表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.15
3.8
0.079
2.0
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何,包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.091
2.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.248
6.3
0.059
1.5
英寸
mm
SOT-223
SOT- 223功耗
采用SOT -223的功耗的功能
收集垫的尺寸。这可以从最小焊盘尺寸而变化
焊接给定的最大功率垫尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ (最大值)时,最大额定结温测定
在模具中,R的TURE
θJA
从装置的热阻
结点到环境,并且操作温度TA 。
使用提供的数据手册SOT- 223的值
包, PD可以计算如下:
PD =
TJ(MAX) - TA
R
θJA
功率消耗可以增加。虽然动力
消耗几乎可以用这种方法增加了一倍,面积为
在印刷电路板,它可以战胜溶于
采用表面贴装目的的技术。为R的曲线图
θJA
对收集垫区示于图8 。
160
RJ-A ,热阻,结
到环境( C / W )
板材料= 0.0625 “
G- 10 / FR - 4 ; 2盎司纯铜
0.8瓦
TA = 25°C
140
°
120
1.25瓦*
100
*安装的DPAK足迹
0.2
0.4
0.6
A,面积(平方英寸)
0.8
1.0
1.5瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ,一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况下为1.5瓦。
PD =
150°C – 25°C
= 1.5瓦特
83.3°C/W
θ
80
0.0
为SOT- 223封装的83.3 ° C / W假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现为1.5瓦的功耗。有
其他的替代品,从实现更高的功率耗散
采用SOT - 223封装。之一是增加的面积
收集垫。通过增加收集垫的区域中,所述
图8.热阻与收藏家
为SOT- 223封装焊盘面积(典型值)
另一种替代方法是使用陶瓷基板或
铝核心板,如热复合 。利用
板的材料,例如热复合,铝芯板,
的功率耗散可以使用相同的空间加倍。
4
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉
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通过BCP68T1 / D
NPN硅
外延晶体管
这NPN硅外延晶体管设计用于在低电压,高电流
应用程序。该设备被容纳在所述的SOT- 223封装,其被设计为
中等功率表面贴装应用。
高电流: IC = 1.0安培
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。
SOT- 223封装可以确保水平安装,从而提高了热
传导,并且允许焊点的目视检查。所形成的引线
焊接过程中吸收热应力,消除了损坏的可能性
模具
采用12毫米磁带和卷轴
使用BCP68T1责令7英寸/ 1000单元卷轴。
使用BCP68T3订购13英寸/ 4000单元卷轴。
该PNP补是BCP69T1
集热2,4
BCP68T1
摩托罗拉的首选设备
中功率
NPN硅
HIGH CURRENT
晶体管
表面贴装
4
1
2
3
BASE
1
辐射源3
CASE 318E -04 ,风格1
TO-261AA
最大额定值
( TC = 25° C除非另有说明)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率耗散@ TA = 25 ° C( 1 )
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
价值
25
20
5
1
1.5
12
- 65 150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
器件标识
CA
热特性
特征
热电阻 - 结到环境(表面贴装)
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
符号
R
θJA
TL
最大
83.3
260
10
单位
° C / W
°C
美国证券交易委员会
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板1.575英寸X 1.575英寸X 0.0625英寸;安装焊盘的集电极引线= 0.93平方英寸
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉小信号
摩托罗拉公司1996年
晶体管, FET和二极管设备数据
1
BCP68T1
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = 100
μAdc ,
IE = 0 )
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 10
μAdc ,
IC = 0)
集电极 - 基极截止电流
( VCB = 25伏直流电, IE = 0 )
发射基截止电流
( VEB = 5.0伏, IC = 0 )
V( BR ) CES
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
ICBO
IEBO
25
20
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
10
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
基本特征( 2 )
直流电流增益
( IC = 5.0 MADC , VCE = 10 V直流)
( IC = 500 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 1.0 ADC , VCE = 1.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 1.0 ADC , IB = 100 MADC )
基射极电压上
( IC = 1.0 ADC , VCE = 1.0 V直流)
的hFE
50
85
60
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
—
—
—
—
—
—
—
—
375
—
0.5
1.0
VDC
VDC
—
动态特性
电流增益 - 带宽积
( IC = 10 MADC , VCE = 5.0 V直流)
2.脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
fT
—
60
—
兆赫
典型电气特性
F T ,电流增益带宽积(兆赫)
300
200
的hFE , DC电流增益
300
200
100
TJ = 125°C
= 25°C
= – 55°C
100
70
50
VCE = 10 V
TJ = 25°C
F = 30 MHz的
VCE = 1.0 V
10
1.0
10
100
IC ,集电极电流(毫安)
1000
30
10
100
200
IC ,集电极电流(毫安)
1000
图1.直流电流增益
图2.电流增益带宽积
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
BCP68T1
对于采用SOT- 223表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.15
3.8
0.079
2.0
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何,包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.091
2.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.248
6.3
0.059
1.5
英寸
mm
SOT-223
SOT- 223功耗
采用SOT -223的功耗的功能
收集垫的尺寸。这可以从最小焊盘尺寸而变化
焊接给定的最大功率垫尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ (最大值)时,最大额定结温测定
在模具中,R的TURE
θJA
从装置的热阻
结点到环境,并且操作温度TA 。
使用提供的数据手册SOT- 223的值
包, PD可以计算如下:
PD =
TJ(MAX) - TA
R
θJA
功率消耗可以增加。虽然动力
消耗几乎可以用这种方法增加了一倍,面积为
在印刷电路板,它可以战胜溶于
采用表面贴装目的的技术。为R的曲线图
θJA
对收集垫区示于图8 。
160
RJ-A ,热阻,结
到环境( C / W )
板材料= 0.0625 “
G- 10 / FR - 4 ; 2盎司纯铜
0.8瓦
TA = 25°C
140
°
120
1.25瓦*
100
*安装的DPAK足迹
0.2
0.4
0.6
A,面积(平方英寸)
0.8
1.0
1.5瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ,一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况下为1.5瓦。
PD =
150°C – 25°C
= 1.5瓦特
83.3°C/W
θ
80
0.0
为SOT- 223封装的83.3 ° C / W假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现为1.5瓦的功耗。有
其他的替代品,从实现更高的功率耗散
采用SOT - 223封装。之一是增加的面积
收集垫。通过增加收集垫的区域中,所述
图8.热阻与收藏家
为SOT- 223封装焊盘面积(典型值)
另一种替代方法是使用陶瓷基板或
铝核心板,如热复合 。利用
板的材料,例如热复合,铝芯板,
的功率耗散可以使用相同的空间加倍。
4
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据