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BCP68
NPN硅晶体管自动对焦
对于一般自动对焦的应用
高集电极电流
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
互补型: BCP69 ( PNP )
4
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs





3
2
1
VPS05163
TYPE
BCP68
BCP68-10
BCP68-16
BCP68-25
最大额定值
参数
记号
BCP 68
1=B
BCP 68-10 1 = B
BCP 68-16 1 = B
BCP 68-25 1 = B
引脚配置
2=C
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
3=E
4=C
4=C
4=C
4=C
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
20
25
25
5
1
2
100
200
1.5
150
-65 .. 150
单位
V
V
V
A
mA
W
°C
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
,
T
S
= 124 °C
结温
储存温度
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑

17
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-29-2001
BCP68
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
特征
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30毫安,
I
B
= 0
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流增益1 )
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 10 V
直流电流增益1 )
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 1 V
h
FE
h
FE
I
CBO
I
CBO
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CES
V
( BR ) CEO
典型值。
马克斯。
单位
20
25
25
5
-
-
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
-
V
nA
A
-
BCP68
BCP68-10
BCP68-16
BCP68-25
85
85
100
160
h
FE
V
CESAT
V
BE(上)
-
100
160
250
-
-
375
160
250
375
-
0.5
V
直流电流增益1 )
I
C
= 1 A,
V
CE
= 1 V
集电极 - 发射极饱和电压1 )
I
C
= 1 A,
I
B
= 100毫安
基极 - 发射极电压1)
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 1 A,
V
CE
= 1
60
-
-
-
0.6
-
-
1
AC特性
跃迁频率
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
1 )脉冲测试:吨
≤=300s,
D = 2%
f
T
-
100
-
兆赫
2
Nov-29-2001
BCP68
总功耗
P
合计
=
f
(
T
S
)
跃迁频率
f
T
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5V
10
3
f
T
兆赫
5
BCP 68
EHP00275
1.8
W
P
合计
1.2
0.9
10
2
0.6
5
0.3
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
10
1
10
0
5 10
1
5 10
2
mA
10
3
Ι
C
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(
T
A
)
V
CB
= 25V
10
5
BCP 68
EHP00276
直流电流增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 1V
10
3
h
FE
5
100 C
10
2
5
25 C
-50 C
BCP 68
EHP00277
Ι
CBO
nA
10
4
10
3
最大
10
2
典型值
10
1
5
10
1
10
0
0
50
100
C
T
A
150
10
0
10
0
10
1
10
2
4
10
3
10毫安
Ι
C
3
Nov-29-2001
BCP68
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(
V
CESAT
),
h
FE
= 10
BCP 68
EHP00278
基射极饱和电压
I
C
=
f
(
V
BESAT
),
h
FE
= 10
BCP 68
EHP00279
10
4
10
4
Ι
C
mA
Ι
C
mA
10
3
5
100 C
25 C
-50 C
10
3
5
100 C
25 C
-50 C
10
2
5
10
2
5
10
1
5
10
1
5
10
0
0
0.2
0.4
0.6
V
0.8
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
1.2
V
CESAT
V
BE坐
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(
t
p
)
BCP 68
EHP00280
10
3
P
TOT最大
P
TOT DC
10
2
5
t
p
D
=
T
t
p
T
10
1
5
D
= 0.0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
s
10
1
4
Nov-29-2001
NPN硅晶体管自动对焦
q
对于一般自动对焦的应用
q
高集电极电流
q
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补型: BCP 69 ( PNP )
BCP 68
TYPE
BCP 68
BCP 68-10
BCP 68-16
BCP 68-25
记号
BCP 68
BCP 68-10
BCP 68-16
BCP 68-25
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-C2126
Q62702-C2127
Q62702-C2128
Q62702-C2129
引脚配置
1
2
3
4
B
C
E
C
1)
SOT-223
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗,
T
S
= 124 C
2)
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
1)
2)
符号
V
CE0
V
CES
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
20
25
25
5
1
2
100
200
1.5
150
– 65 … + 150
单位
V
A
mA
W
C
R
日JA
R
日JS
72
17
K / W
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
01.97
BCP 68
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30毫安,
I
B
= 0
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
V
BE
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A,
I
B
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A,
I
B
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 25 V
V
CB
= 25 V,
T
A
= 150 C
发射基截止电流
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 1 V
V
(BR)CE0
V
( BR ) CES
V
(BR)CB0
V
(BR)EB0
I
CB0
I
EB0
h
FE
BCP 68
BCP 68-10
BCP 68-16
BCP 68-25
V
CESAT
V
BE
0.6
1
50
85
85
100
160
60
100
160
250
375
160
250
375
0.5
V
100
100
100
nA
A
nA
20
25
25
5
V
典型值。
马克斯。
单位
I
C
= 1 A,
V
CE
= 1 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 1 A,
I
B
= 100毫安
基射极电压
1)
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 1 A,
V
CE
= 1 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
f
T
100
兆赫
1)
脉冲测试条件:
t
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
BCP 68
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
= 25 V
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CB
= 1 V
半导体集团
3
BCP 68
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
)
h
FE
= 10
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
)
h
FE
= 10
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
半导体集团
4
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BCP68-10
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
BCP68-10
INF/NXP
20+
48122
SOT23-3
有挂就有货 支持订货.备货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BCP68-10
NXP/INFINEON
21+
15360
SOT223
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:864187665 复制 点击这里给我发消息 QQ:1807086236 复制
电话:0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人:何
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区501栋1109-1110室
BCP68-10
PHILIPS/飞利浦
24+
66000
SOT-223
十五年专营 金牌供应商
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
BCP68-10
PHILIPS/NXP
24+
95000
SOT-223
假一罚十,原装进口正品现货供应,只做原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BCP68-10
PHILIPS/飞利浦
2443+
23000
SOT223
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BCP68-10
PHILIPS/飞利浦
21+
39150
SOT-223
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
BCP68-10
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9210
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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