BCP 54 ， BCP 55 ， BCP 56
NPN
通用晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
1.65
4
±0.2
±0.3
6.5
±0.1
3
±0.2
1.3 W
SOT-223
0.04 g
塑料外壳
Kunststoffgehuse
3.5
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1
0.7
2.3
2
3
3.25
尺寸/集体单位为毫米
1 = B 2 ， 4 = C 3 = E
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
BCP 54
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Koll. - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
45 V
45 V
7
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BCP 55
60 V
60 V
5V
1.3 W
1
)
1A
1.5 A
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BCP 56
80 V
100 V
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 30 V ，T
j
= 125
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
EB0
V
CESAT
–
–
I
CB0
I
CB0
–
–
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
–
–
–
马克斯。
100 nA的
10
:
A
100 nA的
500毫伏
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。
2
)
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
26
01.11.2003
1
通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
BCP 54 ， BCP 55 ， BCP 56
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
分钟。
典型值。
–
–
–
–
–
–
130兆赫
–
马克斯。
100
160
250
–
–
1V
–
1.6
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
1
)
BCP 5X - 6
V
CE
= 2 V，I
C
= 150毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 500毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 500毫安
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
补体的DC电流增益比。对
Verhltnis DER Stromverst 。补充。 Paare
热电阻 - Wrmewiderstand
结到环境空气 - Sperrschicht祖umgebender拉夫特
结到焊接点 - Sperrschicht祖Ltpad
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
R
THA
R
THS
95 K / W
2
)
14 K / W
f
T
h
FE1
'
h
FE2
–
–
BCP 5X- 10
BCP 5X- 16
h
FE
h
FE
h
FE
40
63
100
63
40
–
h
FE
BCP 54 ...
BCP56
FE
V
BEON
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
BCP 51 ， BCP 52 ， BCP 53
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
27
BCP 54 /五十六分之五十五
采用SOT223 NPN硅平面中功率晶体管
特点
I
C
= 1A的连续集电极电流
低饱和电压V
CE （ SAT ）
<为500mV @ 0.5A
增益组10和16
外延平面片建设
互补PNP类型： BCP51 ， 52和53
无铅，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT223
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物（注2 ）
防火等级94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端：雾锡完成
重量： 0.112克（近似值）
应用
中功率开关或放大应用
自动对焦驱动级和输出级
SOT223
C
E
C
C
B
B
E
顶视图
设备符号
顶视图
引脚输出
订购信息
（注3）
产品
BCP54TA
BCP5410TA
BCP5416TA
BCP55TA
BCP5510TA
BCP5516TA
BCP56TA
BCP5610TA
BCP5616TA
BCP5616TC
注意事项：
记号
BCP 54
BCP 5410
BCP 5416
BCP 55
BCP 5510
BCP 5516
BCP 56
BCP 5610
BCP 5616
BCP 5616
卷尺寸（英寸）
7
7
7
7
7
7
7
7
7
13
胶带宽度（mm）
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
QUANTITY每卷
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
4,000
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com
标识信息
BCP
xxxx
BCP =产品型号标识代码， 1号线。
XXXX =产品型号标识代码， 2号线如下：
BCP54 = 54
BCP5410 = 5410
BCP5416 = 5416
BCP55 = 55
BCP5510 = 5510
BCP5516 = 5516
BCP56 = 56
BCP5610 = 5610
BCP5616 = 5616
BCP 54 /五十六分之五十五
数据表编号： DS35367修订版2 - 2
1 7
www.diodes.com
2011年6月
Diodes公司
BCP 54 /五十六分之五十五
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲集电极电流
连续基极电流
峰值脉冲电流基地
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
BCP54
45
45
BCP55
60
60
5
1
2
100
200
BCP56
100
80
单位
V
V
V
A
mA
热特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散（注4 ）
热阻，结到环境（注4 ）
热阻，结到信息（注5 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
价值
2
62
19.4
-65到+150
单位
W
° C / W
° C / W
°C
4，对于设备的表面安装在50毫米×50毫米的FR4 PCB覆盖率高的单面的1盎司铜皮，在静止空气条件;该装置测得的
在稳态条件下运行时。
从结点到焊接点5，热敏电阻（在集电极引线的端部） 。
BCP 54 /五十六分之五十五
数据表编号： DS35367修订版2 - 2
2 7
www.diodes.com
2011年6月
Diodes公司
SMD型
BCP54 ; BCP55 ; BCP56
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
I
E
= 0 ; V
CB
= 30 V
I
E
= 0 ; V
CB
= 30 V ; TJ = 150
I
C
= 0 ; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 2 V
直流电流增益
h
FE
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
直流电流增益
BCP54-10 ; BCP55-10 ; BCP56-10
BCP54-16 ; BCP55-16 ; BCP56-16
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
互补对的直流电流增益比
V
CESAT
V
BE
f
T
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50毫安
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 2 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
|I
C
| = 150毫安| V
CE
| = 2 V
h
FE
V
CE
= 2 V ;我
C
= 150毫安
63
100
63
63
40
民
晶体管
典型值
最大
100
10
100
单位
nA
ìA
nA
250
160
250
500
1
130
1.6
mV
V
兆赫
2
www.kexin.com.cn
BCP54 ... BCP56
BCP54 ... BCP56
NPN
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗
Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
3.5
±0.2
NPN
1.3 W
SOT-223
0.04 g
版本2006-06-26
6.5
3
±0.2
±0.1
1.65
4
TYPE
CODE
1
0.7
2.3
2
3.25
3
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2/4 = C
3=E
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
7
±0.3
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BCP54
45 V
45 V
BCP55
60 V
60 V
5V
1.3 W
1
)
1A
1.5 A
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
BCP56
80 V
100 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 150毫安
所有组
集团-6
集团-10
集团-16
所有组
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
BE
25
40
63
100
25
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
–
–
–
–
–
–
100
160
250
–
0.5 V
1V
V
CE
= 2 V，I
C
= 500毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
2
)
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
1
2
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor发射极 - Sttigungsspg 。
2
)
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BCP54 ... BCP56
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
V
CB
= 30 V ， （E打开）
V
CB
= 30 V ，T
j
= 125°C ， （E打开）
发射基截止电流 - 发射极 - 基 - Reststrom
V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
互补对的直流电流增益比
Verhltnis德Stromverstrkungen komplementrer Paare
L I
C
升= 150毫安， L V
CE
升= 2 V
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到焊接点
Wrmewiderstand Sperrschicht - Ltpad
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
h
FE1
/h
FE2
R
THA
R
THS
–
–
< 93 K / W
1
)
< 27 K / W
BCP51 ... BCP53
1.6
f
T
–
130兆赫
–
I
EB0
–
–
100 nA的
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
100 nA的
10 A
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
120
[%]
100
80
60
40
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
功耗与环境温度
1
)
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。
1
)
1
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
BCP54...BCP56
NPN硅晶体管自动对焦
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BCP51 ... BCP53 （ PNP ）
4
3
2
1
VPS05163
TYPE
BCP54
BCP54-10
BCP54-16
BCP55
BCP55-10
BCP55-16
BCP56
BCP56-10
BCP56-16
记号
BCP 54
1=B
BCP 54-10 1 = B
BCP 54-16 1 = B
BCP 55
1=B
BCP 55-10 1 = B
BCP 55-16 1 = B
BCP 56
1=B
BCP 56-10 1 = B
BCP 56-16 1 = B
引脚配置
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
包
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
1
Nov-29-2001
NPN硅晶体管自动对焦
BCP 54
BCP ... 56
q
用于AF的驱动级和输出级
q
高集电极电流
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型： BCP 51 ... BCP 53 （ PNP ）
TYPE
BCP 54
BCP 54-10
BCP 54-16
BCP 55
BCP 55-10
BCP 55-16
BCP 56
BCP 56-10
BCP 56-16
记号
BCP 54
BCP 54-10
BCP 54-16
BCP 55
BCP 55-10
BCP 55-16
BCP 56
BCP 56-10
BCP 56-16
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C2117
Q62702-C2119
Q62702-C2120
Q62702-C2148
Q62702-C2122
Q62702-C2123
Q62702-C2149
Q62702-C2125
Q62702-C2106
引脚配置
1
2
3
4
B
C
E
C
包
1)
SOT-223
1)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
5.91
BCP 54
BCP ... 56
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
BCP 54
BCP 55
BCP 56
集电极 - 基极击穿电压
1)
I
C
= 100
A,
I
B
= 0
BCP 54
BCP 55
BCP 56
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0,
T
A
= 150 C
发射基截止电流
V
EB
= 5 V
直流电流增益
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 2 V
BCP 54 / BCP 55 / BCP 56
BCP 54 / BCP 55 / BCP 56-10
BCP 54 / BCP 55 / BCP 56-16
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基射极电压
1)
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
f
T
–
100
–
兆赫
V
(BR)CE0
45
60
80
V
(BR)CB0
45
60
100
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
25
40
63
100
25
V
CESAT
V
BE
–
–
–
–
100
160
–
–
–
–
250
160
250
–
0.5
1
V
–
–
–
–
100
20
10
nA
A
A
值
典型值。
马克斯。
单位
V
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
1)
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
切换。
描述
在SOT223塑料NPN型中功率晶体管
封装。 PNP补充： BCP51 ， BCP52和BCP53 。
手册， halfpage
BCP54 ; BCP55 ; BCP56
钉扎
针
1
2, 4
3
BASE
集热器
辐射源
描述
4
2, 4
1
3
1
顶视图
2
3
MAM287
Fig.1
简化外形（ SOT223 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BCP54
BCP55
BCP56
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCP54
BCP55
BCP56
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
45
60
80
5
1
1.5
0.2
1.33
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
45
60
100
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月08
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
BCP54 ; BCP55 ; BCP56
条件
注1
价值
94
13
单位
K / W
K / W
1.装置安装在印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
h
FE
直流电流增益
BCP55-10 ; 56-10
BCP54-16 ; 55-16 ; 56-16
V
CESAT
V
BE
f
T
h
FE1
-----------
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
的直流电流增益比
互补对
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50毫安
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 2 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安;
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
63
100
分钟。
25
63
25
典型值。
130
160
250
500
1
1.6
mV
V
兆赫
马克斯。
100
10
100
250
单位
nA
A
nA
1999年4月08
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BCP54 ; BCP55 ; BCP56
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年4月08
5
BCP55
BCP55
C
E
C
B
SOT-223
NPN通用放大器
该器件是专为通用中等功率
放大器和开关电路需要的集电极电流
1.0答：从工艺38.见BCP54来源的特征。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
价值
60
60
5.0
1.5
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θ
JA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25
°
C
热阻，结到环境
最大
BCP55
1.5
12
83.3
单位
W
毫瓦/
°
C
° C / W
1997仙童半导体公司
SOT- 223磁带和卷轴数据和封装尺寸，继续
SOT- 223压花载带
CON组fi guration ：
图3.0
T
E1
P0
D0
F
K0
Wc
B0
E2
W
Tc
A0
P1
D1
饲料用户方向
尺寸均为毫米
PKG型
SOT-223
(12mm)
A0
6.83
+/-0.10
B0
7.42
+/-0.10
W
12.0
+/-0.3
D0
1.55
+/-0.05
D1
1.50
+/-0.10
E1
1.75
+/-0.10
E2
10.25
民
F
5.50
+/-0.05
P1
8.0
+/-0.1
P0
4.0
+/-0.1
K0
1.88
+/-0.10
T
0.292
+/-
0.0130
Wc
9.5
+/-0.025
Tc
0.06
+/-0.02
备注： A0，B0 ，和K0尺寸相对于所述的EIA / JEDEC的RS- 481测定
旋转和横向移动的要求（见草图A， B和C ） 。
最高20度
典型
部件
空穴
中线
0.5mm
最大
B0
20度的最大组成部分旋转
0.5mm
最大
素描A（侧面或正面剖视图）
体旋转
A0
素描B（顶视图）
典型
部件
中线
素描C（顶视图）
组件横向移动
SOT- 223卷配置：
图4.0
体旋转
W1测得中心
黯淡了
最大
黯淡了
最大
昏暗的
详细信息，请参阅AA
7"直径选项
B敏
尺寸C
详细信息，请参阅AA
W3
昏暗的
民
13"直径选项
W2最大的测量中心
DETAIL AA
尺寸为英寸和毫米
磁带尺寸
12mm
REEL
选项
7"迪亚
黯淡了
7.00
177.8
13.00
330
昏暗的B
0.059
1.5
0.059
1.5
尺寸C
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
昏暗的
0.795
20.2
0.795
20.2
昏暗的
5.906
150
7.00
178
昏暗W1
0.488 +0.078/-0.000
12.4 +2/0
0.488 +0.078/-0.000
12.4 +2/0
昏暗的W2
0.724
18.4
0.724
18.4
朦胧W3 （ LSL - USL ）
0.469 – 0.606
11.9 – 15.4
0.469 – 0.606
11.9 – 15.4
12mm
13"迪亚
1999年7月，修订版A
BCP55/56
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.
4/4
恩智浦半导体
BC637 ; BCP55 ; BCX55
60 V ，1 A NPN型中功率晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
BC637
BCP55
BCX55
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
[2]
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
60
60
5
1
1.5
0.2
单位
V
V
V
A
A
A
-
-
-
-
-
-
-
65
65
0.83
0.64
0.96
0.5
0.85
1.25
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
°C
°C
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
BC637_BCP55_BCX55_7
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产品数据表
牧师07 - 2007年6月25日
4 15
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