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SOT223 NPN硅平面
中功率晶体管
第3期？ 1995年8月
7
特点
*适用于自动对焦驱动器和输出级
*高集电极电流和低V
CE （ SAT ）
互补式 -
PARTMARKING细节？
BCP51
BCP54
BCP54 ？ 10
BCP54 ？ 16
C
BCP54
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
45
45
5
1.5
1
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极导通
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
分钟。
45
45
5
100
20
10
0.5
1.0
40
25
63
100
250
100
160
100
160
250
兆赫
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
条件。
I
C
=100
A
I
C
= 10毫安*
I
E
=10
A
V
CB
=30V
V
CB
= 30V ，T
AMB
=150°C
V
EB
=5V
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
=150mA,
I
C
=500mA,
I
C
=150mA,
I
C
=150mA,
V
CE
=2V*
V
CE
=2V*
V
CE
=2V*
V
CE
=2V*
A
A
发射极截止电流I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
V
静态正向电流
FE
传输比
BCP54-10
BCP54-16
跃迁频率
f
T
I
C
= 50mA时V
CE
=10V,
f=100MHz
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
3 - 16
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供货商
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封装
单价/备注
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