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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第9页 > BCP53-16
BCP53-16
低功率PNP晶体管
订购代码
BCP53-16
s
记号
BCP5316
s
s
s
硅外延平面PNP MEDIUM
电压晶体管
SOT- 223塑料包装
表面安装电路
卷带式包装
的互补NPN类型是
BCP56-16
2
1
SOT-223
2
3
应用
s
中型高压负荷开关
晶体管
s
输出级音频放大器
电路
s
汽车后电压
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CER
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
集电极 - 发射极电压(R
BE
= 1K)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值(T
p
& LT ; 5毫秒)
基极电流
基峰电流(T
p
<毫秒)
总功耗在T
AMB
= 25 C
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
-100
-80
-100
-5
-1
-1.5
-0.1
-0.2
1.6
-65到150
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
2003年9月
1/4
BCP53-16
热数据
R
THJ - AMB
热阻结到环境
2
最大
78
o
C / W
设备安装在1cm的PCB面积
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CBO
V
( BR ) CBO
参数
集电极截止
电流(I
E
= 0)
集电极 - 基
击穿电压
(I
E
= 0)
测试条件
V
CB
= -30 V
V
CB
= -30 V
I
C
= -100
A
T
j
= 125
o
C
-100
分钟。
典型值。
马克斯。
-100
-10
单位
nA
A
V
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
V
( BR ) CER
集电极 - 发射极
击穿电压
(R
BE
= 1 K)
发射极 - 基
击穿电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极上
电压
直流电流增益
I
C
= -20毫安
-80
V
I
C
= -100
A
-100
V
V
( BR ) EBO
I
E
= -10
A
-5
V
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
I
C
= -500毫安
I
C
= -500毫安
I
C
= -5毫安
I
C
= -150毫安
I
C
= -500毫安
I
B
= -50毫安
V
CE
= -2 V
V
CE
= -2 V
V
CE
= -2 V
V
CE
= -2 V
F = 20MHz的
40
100
25
50
-0.5
-1
V
V
250
兆赫
f
T
跃迁频率
I
C
= -10毫安V
CE
= -5 V
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比
1.5 %
2/4
BCP53-16
SOT- 223机械数据
mm
分钟。
A
B
B1
c
D
e
e1
E
H
V
A1
0.02
3.30
6.70
0.60
2.90
0.24
6.30
0.70
3.00
0.26
6.50
2.30
4.60
3.50
7.00
3.70
7.30
10
o
0.130
0.264
典型值。
马克斯。
1.80
0.80
3.10
0.32
6.70
0.024
0.114
0.009
0.248
0.027
0.118
0.010
0.256
0.090
0.181
0.138
0.276
0.146
0.287
10
o
分钟。
典型值。
马克斯。
0.071
0.031
0.122
0.013
0.264
DIM 。
P008B
3/4
BCP53-16
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息,也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
如有更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的,而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
所有其他名称均为其各自所有者的财产。
2003意法半导体 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 比利时 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 捷克 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 -
马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
http://www.st.com
4/4
BCP51...BCP53
PNP硅晶体管自动对焦
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型: BCP54 ... BCP56 (NPN)




4
3
2
1
VPS05163
TYPE
BCP51
BCP51-10
BCP51-16
BCP52
BCP52-10
BCP52-16
BCP53
BCP53-10
BCP53-16
记号
BCP 51
1=B
BCP 51-10 1 = B
BCP 51-16 1 = B
BCP 52
1=B
BCP 52-10 1 = B
BCP 52-16 1 = B
BCP 53
1=B
BCP 53-10 1 = B
BCP 53-16 1 = B
引脚配置
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
1
Nov-29-2001
BCP51...BCP53
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
R
BE
1k
符号
V
首席执行官
V
CER
V
CBO
V
EBO
BCP51
45
45
45
5
BCP52
60
60
60
5
BCP53
80
100
100
5
单位
V
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗,
T
S
= 124 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻


I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
1
1.5
100
200
1.5
150
-65 ... 150
A
mA
W
°C

17
K / W
2
Nov-29-2001
BCP51...BCP53
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0
V
( BR ) CEO
典型值。
马克斯。
单位
V
45
60
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
-
nA
A
-
BCP51
BCP52
BCP53
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0
V
( BR ) CBO
BCP51
BCP52
BCP53
45
60
100
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CBO
h
FE
h
FE
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流增益1 )
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 2 V
直流电流增益1 )
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 2 V
5
-
-
25
BCP51...53
hFE-grp.10
hFE-grp.16
40
63
100
h
FE
V
CESAT
V
BE(上)
-
100
160
-
-
-
250
160
250
-
0.5
1
V
直流电流增益1 )
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压1 )
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
基极 - 发射极电压1)
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 2 V
25
-
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
1 )脉冲测试:吨
≤=300s,
D = 2%
f
T
-
125
-
兆赫
3
Nov-29-2001
BCP51...BCP53
总功耗
P
合计
=
f
(
T
S
)
跃迁频率
f
T
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 10V
10
3
兆赫
f
T
5
BCP 51 ... 53
EHP00260
1.6
W
1.2
P
合计
1
0.8
10
2
0.6
5
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
1
10
0
10
1
10
2
mA
10
3
T
S
Ι
C
直流电流增益
h
FE =
f
(
I
C
)
VCE = 2V
BCP 51 ... 53
EHP00261
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(
T
A
)
V
CB
= 30V
BCP 51 ... 53
EHP00262
10
3
h
FE
5
10
4
Ι
CBO
100 C
25 C
-50 C
nA
10
3
最大
10
2
5
10
2
10
1
典型值
10
1
5
10
0
10
0 0
10
10
1
10
2
10
3
10毫安
4
10
-1
0
50
100
C
T
A
150
Ι
C
4
Nov-29-2001
BCP51...BCP53
基射极饱和电压
I
C
=
f
(
V
BESAT
),
h
FE
= 10
BCP 51 ... 53
EHP00263
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(
V
CESAT
),
h
FE
= 10
BCP 51 ... 53
EHP00264
10
4
10
4
Ι
C
mA
10
3
100 C
25 C
-50C
Ι
C
mA
10
3
5
100 C
25 C
-50 C
10
2
10
2
5
10
1
10
1
5
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
V
BESAT
1.2
10
0
0
0.2
0.4
0.6
V
V
CESAT
0.8
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(
t
p
)
BCP 51 ... 53
EHP00265
5
P
TOT最大
P
TOT DC
10
2
5
t
p
D
=
T
t
p
T
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
s
10
0
5
Nov-29-2001
SOT223 PNP硅平面
中功率晶体管
第3期? 1995年8月
7
特点
*适用于自动对焦驱动器和输出级
*高集电极电流和低V
CE ( SAT )
互补式 -
PARTMARKING细节?
BCP56
BCP53
BCP53 ? 10
BCP53 ? 16
C
BCP53
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极导通
电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
分钟。
-100
-80
-5
-100
-20
-10
-0.5
-1.0
40
25
63
100
250
100
160
125
160
250
兆赫
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-100
-80
-5
-1.5
-1
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
条件。
I
C
=-100
A
I
C
= - 10毫安*
I
E
=-10
A
V
CB
=-30V
V
CB
= -30V ,T
AMB
=150°C
V
EB
=-5V
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA*
I
C
= -500mA ,V
CE
=-2V*
I
C
=-150mA,
I
C
=-500mA,
I
C
=-150mA,
I
C
=-150mA,
V
CE
=-2V*
V
CE
=-2V*
V
CE
=-2V*
V
CE
=-2V*
A
A
发射极截止电流I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
V
V
静态正向电流
FE
传输比
BCP53-10
BCP53-16
跃迁频率
f
T
I
C
= -50mA ,V
CE
=-10V,
f=100MHz
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
2%
3 - 15
PNP硅晶体管自动对焦
BCP 51
BCP ... 53
q
用于AF的驱动级和输出级
q
高集电极电流
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型: BCP 54 ... BCP 56 ( NPN )
TYPE
BCP 51
BCP 51-10
BCP 51-16
BCP 52
BCP 52-10
BCP 52-16
BCP 53
BCP 53-10
BCP 53-16
记号
BCP 51
BCP 51-10
BCP 51-16
BCP 52
BCP 52-10
BCP 52-16
BCP 53
BCP 53-10
BCP 53-16
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-C2107
Q62702-C2109
Q62702-C2110
Q62702-C2146
Q62702-C2112
Q62702-C2113
Q62702-C2147
Q62702-C2115
Q62702-C2116
引脚配置
1
2
3
4
B
C
E
C
1)
SOT-223
1)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
5.91
BCP 51
BCP ... 53
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
R
BE
1 k
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗,
T
S
= 124 C
1)
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
1)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
72
17
符号
BCP 51
V
CE0
V
CER
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
45
45
45
BCP 52
60
60
60
5
1
1.5
100
200
1.5
150
BCP 53
80
100
100
单位
V
A
mA
W
C
– 65 … + 150
K / W
1)
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
2
BCP 51
BCP ... 53
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0
BCP 51
BCP 52
BCP 53
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A,
I
B
= 0
BCP 51
BCP 52
BCP 53
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0,
T
A
= 150 C
发射基截止电流
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 2 V
BCP 51 / BCP 52 / BCP 53
BCP 51 / BCP 52 / BCP 53-10
BCP 51 / BCP 52 / BCP 53-16
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
基射极电压
1)
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 2 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
f
T
125
兆赫
V
(BR)CE0
45
60
80
V
(BR)CB0
45
60
100
V
(BR)EB0
I
CB0
I
EB0
h
FE
25
40
63
100
25
V
CESAT
V
BE
100
160
250
160
250
0.5
1
V
100
20
10
nA
A
A
典型值。
马克斯。
单位
V
5
1)
脉冲测试条件:
t
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
BCP 51
BCP ... 53
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 2 V
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
= 30 V
半导体集团
4
BCP 51
BCP ... 53
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
)
h
FE
= 10
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
)
h
FE
= 10
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
半导体集团
5
分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D087
BCP51 ; BCP52 ; BCP53
PNP中功率晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据4月08
1999年4月08
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特点
大电流(最大1 A)
低电压(最大80 V)
中等功率(最大1.3瓦) 。
应用
音响,电话和汽车应用
厚和薄膜电路。
描述
在SOT223塑料PNP中功率晶体管
封装。 NPN补充: BCP54 , BCP55和BCP56 。
1
顶视图
手册, halfpage
BCP51 ; BCP52 ; BCP53
钉扎
1
2, 4
3
BASE
集热器
辐射源
描述
4
2, 4
1
3
2
3
MAM288
Fig.1简化外形( SOT223 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
BCP51
BCP52
BCP53
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCP51
BCP52
BCP53
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
1.装置安装在一个印刷电路板,单面铜,镀锡,集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件,请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
45
60
80
5
1
1.5
0.2
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
45
60
100
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月08
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
BCP51 ; BCP52 ; BCP53
条件
注1
价值
95
14
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板,单面铜,镀锡,集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件,请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
2
V ;见图2
I
C
=
5
mA
I
C
=
150
mA
I
C
=
500
mA
h
FE
直流电流增益
BCP53-10
BCP51-16 ; BCP52-16 ; BCP53-16
V
CESAT
V
BE
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
2
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V;
F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安; V
CE
=
2
V ;见图2
63
100
115
160
250
0.5
1
V
V
兆赫
40
63
25
250
分钟。
典型值。马克斯。单位
100
10
100
nA
A
nA
1999年4月08
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
BCP51 ; BCP52 ; BCP53
手册,全页宽
160
MBH730
的hFE
120
VCE =
2
V
80
40
0
10
1
1
10
10
2
10
3
IC (MA )
10
4
图2直流电流增益;典型值。
1999年4月08
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
包装外形
BCP51 ; BCP52 ; BCP53
塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 4引线
SOT223
D
B
E
A
X
c
y
H
E
b
1
v
M
A
4
Q
A
A
1
1
e
1
e
2
b
p
3
w
M
B
细节X
L
p
0
2
规模
4 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.8
1.5
A
1
0.10
0.01
b
p
0.80
0.60
b
1
3.1
2.9
c
0.32
0.22
D
6.7
6.3
E
3.7
3.3
e
4.6
e
1
2.3
H
E
7.3
6.7
L
p
1.1
0.7
Q
0.95
0.85
v
0.2
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT223
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
96-11-11
97-02-28
1999年4月08
5
BCP51...-BCP53...
PNP硅晶体管自动对焦
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型: BCP54 ... BCP56 (NPN)
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
4
2
1
3
TYPE
BCP51
BCP51-16
BCP52-16
BCP53-10
BCP53-16
记号
*
*
*
*
*
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
*标记是相同的类型名
1
含有铅,
包可能是可根据特殊要求
1
2008-10-10
BCP51...-BCP53...
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BCP51
BCP52
BCP53
集电极 - 基极电压
BCP51
BCP52
BCP53
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流,
t
p
10毫秒
基极电流
峰值电流基地
总功率dissipation-
T
S
120°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
150
-65 ... 150
°C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
V
CBO
45
60
100
5
1
1.5
100
200
2
W
mA
A
符号
V
首席执行官
45
60
80
价值
单位
V
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
1
符号
R
thjs
价值
15
单位
K / W
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
2008-10-10
BCP51...-BCP53...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
V
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BCP51
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BCP52
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BCP53
45
60
80
V
( BR ) CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0, BCP51
I
C
= 100 A,
I
E
= 0, BCP52
I
C
= 100 A,
I
E
= 0, BCP53
45
60
100
V
( BR ) EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
h
FE
-
-
-
-
100
160
-
-
-
0.1
20
-
-
250
160
250
-
0.5
1
V
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 2 V , BCP51
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 2 V , BCP53-10
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 2 V , BCP51-16 ... BCP53-16
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 2 V
25
40
63
100
25
V
CESAT
V
BE(上)
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
基射极电压
1)
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 2 V
-
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
1
脉冲
f
T
-
125
-
兆赫
测试:吨< 300μS ; < 2 %
3
2008-10-10
BCP51...-BCP53...
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 2 V
10
3
h
FE
5
BCP 51 ... 53
EHP00261
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
4
BCP 51 ... 53
EHP00264
Ι
C
100 C
25 C
-50 C
mA
10
3
5
100 C
25 C
-50 C
10
2
5
10
2
5
10
1
5
10
1
5
10
0 0
10
10
1
10
2
10
3
10毫安
4
10
0
0
0.2
0.4
0.6
V
V
CESAT
0.8
Ι
C
基射极饱和电压
I
C
=
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
BCP 51 ... 53
EHP00263
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
(T
A
)
V
CBO
= 30 V
10
4
BCP 51 ... 53
EHP00262
10
4
Ι
C
mA
10
3
100 C
25 C
-50C
Ι
CBO
nA
10
3
最大
10
2
10
2
10
1
10
1
典型值
10
0
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
V
BESAT
1.2
10
-1
0
50
100
C
T
A
150
4
2008-10-10
BCP51...-BCP53...
跃迁频率
f
T
=
(I
C
)
V
CE
= 10 V
10
3
兆赫
f
T
5
W
BCP 51 ... 53
EHP00260
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
2.4
10
2
P
合计
5
10
1
10
0
10
1
10
2
10
3
1.6
1.2
0.8
0.4
mA
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
Ι
C
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
(t
p
)
10
2
10
3
P
totmax
/P
totDC
-
10
1
10
2
10
0
D = 0,5
0,2
0,1
0,05
0,02
0,01
0,005
0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
P
t
p
5
2008-10-10
BCP53 ; BCX53 ; BC53PA
80 V ,1 A PNP中功率晶体管
启9 - 2011年10月19日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP中等功率晶体管系列的表面贴装器件( SMD )塑料封装。
表1中。
产品概述
恩智浦
BCP53
BCX53
BC53PA
[1]
类型编号
[1]
NPN补
JEITA
SC-73
SC-62
-
JEDEC
-
TO-243
-
BCP56
BCX56
BC56PA
SOT223
SOT89
SOT1061
适用于所有可用的选项组。
1.2特点和优点
HIGH CURRENT
三个电流增益的选择
高功率耗散能力
裸露散热片的优良导热和导电性能( SOT89 , SOT1061 )
无铅非常小的SMD塑料封装中功率能力( SOT1061 )
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
线性稳压器
高边开关
电池驱动设备
电源管理
MOSFET驱动器
放大器器
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
单脉冲;吨
p
1毫秒
条件
开基
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
80
1
2
单位
V
A
A
恩智浦半导体
BCP53 ; BCX53 ; BC53PA
80 V ,1 A PNP中功率晶体管
快速参考数据
- 续
参数
直流电流增益
h
FE
选择-10
h
FE
选择-16
条件
V
CE
=
2
V;
I
C
=
150
mA
V
CE
=
2
V;
I
C
=
150
mA
V
CE
=
2
V;
I
C
=
150
mA
63
63
100
典型值
-
-
-
最大
250
160
250
单位
表2中。
符号
h
FE
2.管脚信息
表3中。
SOT223
1
2
3
4
BASE
集热器
辐射源
集热器
1
2
3
3
sym028
钉扎
描述
简化的轮廓
图形符号
4
1
2, 4
SOT89
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
3
2
1
3
1
006aaa231
2
SOT1061
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
3
1
2
1
2
sym013
3
透明的顶视图
BCP53_BCX53_BC53PA
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启9 - 2011年10月19日
2 22
恩智浦半导体
BCP53 ; BCX53 ; BC53PA
80 V ,1 A PNP中功率晶体管
3.订购信息
表4 。
订购信息
名字
BCP53
BCX53
BC53PA
[1]
类型编号
[1]
描述
塑料表面贴装封装,增加了
散热器; 4引线
塑料表面贴装封装;暴露的芯片垫
良好的热传递; 3引线
VERSION
SOT223
SOT89
SOT1061
SC-73
SC-62
HUSON3塑料的热增强型超薄小外形
包;没有线索; 3个端子;体2
2
0.65 mm
适用于所有可用的选项组。
4.标记
表5 。
BCP53
BCP53-10
BCP53-16
BCX53
BCX53-10
BCX53-16
BC53PA
BC53-10PA
BC53-16PA
标记代码
标识代码
BCP53
BCP53/10
BCP53/16
AH
AK
AL
BV
BW
BX
类型编号
BCP53_BCX53_BC53PA
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启9 - 2011年10月19日
3 22
恩智浦半导体
BCP53 ; BCX53 ; BC53PA
80 V ,1 A PNP中功率晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
BCP53
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
C
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
1毫秒
-
-
-
-
-
-
-
最大
100
80
5
1
2
0.3
0.3
单位
V
V
V
A
A
A
A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
0.65
1.00
1.35
0.50
0.95
1.35
0.42
0.83
1.10
0.81
1.65
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
C
C
C
BCX53
[1]
[2]
[3]
BC53PA
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB , 4层铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB , 4层铜,镀锡,安装垫集热1厘米
2
.
BCP53_BCX53_BC53PA
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产品数据表
启9 - 2011年10月19日
4 22
恩智浦半导体
BCP53 ; BCX53 ; BC53PA
80 V ,1 A PNP中功率晶体管
1.5
(1)
006aac674
1.5
(1)
006aac675
P
合计
(W)
(2)
P
合计
(W)
1.0
(2)
1.0
(3)
(3)
0.5
0.5
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
( 1 ) FR4印刷电路板,安装板集热6厘米
2
( 2 ) FR4印刷电路板,安装板集热1厘米
2
( 3 ) FR4 PCB,标准的足迹
( 1 ) FR4印刷电路板,安装板集热6厘米
2
( 2 ) FR4印刷电路板,安装板集热1厘米
2
( 3 ) FR4 PCB,标准的足迹
图1 。
功率降额曲线SOT223
2.0
P
合计
(W)
1.5
(1)
图2 。
功率降额曲线SOT89
006aac676
(2)
1.0
(3)
(4)
0.5
(5)
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
( 1 ) FR4 PCB , 4层铜垫安装集热1厘米
2
( 2 ) FR4 PCB ,单面铜,安装垫集热6厘米
2
(3)的FR4印刷电路板,单面铜,集电极安装焊盘1厘米
2
( 4 ) FR4 PCB , 4层铜,标准的足迹
( 5 ) FR4 PCB ,单面铜,标准的足迹
图3 。
功率降额曲线SOT1061
BCP53_BCX53_BC53PA
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BCP53-16
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
BCP53-16
NXP(恩智浦)
24+
8000
全新原装正品,热卖价优
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BCP53-16
ST/意法
21+
10000
SOT-223
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
BCP53-16
NXP(恩智浦)
22+
31511
原装原厂公司现货
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电话:0755-82812004/82811605
联系人:朱先生
地址:广东深圳福田区华强北上步工业区405栋6楼607
BCP53-16
NXP
24+
36000
SOT223
进口原装!现货!假一赔十
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电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
BCP53-16
NXP
21+
12000
SOT-223
███全新原装正品,支持实单
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
BCP53-16
ST/意法
2418+
9000
SOT-223
正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BCP53-16
NXP
2019
19850
SOT-223
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BCP53-16
NEXPERIA
2019
79600
SOT-223
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ:936045363 复制

电话:13424184668
联系人:肖佳欣
地址:广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
BCP53-16
飞利蒲
24+
8000000
SMT
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
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电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
BCP53-16
ON/安森美
14000
19+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
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