BCP53-16
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4/4
BCP51...BCP53
PNP硅晶体管自动对焦
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型: BCP54 ... BCP56 (NPN)
4
3
2
1
VPS05163
TYPE
BCP51
BCP51-10
BCP51-16
BCP52
BCP52-10
BCP52-16
BCP53
BCP53-10
BCP53-16
记号
BCP 51
1=B
BCP 51-10 1 = B
BCP 51-16 1 = B
BCP 52
1=B
BCP 52-10 1 = B
BCP 52-16 1 = B
BCP 53
1=B
BCP 53-10 1 = B
BCP 53-16 1 = B
引脚配置
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
4=C
包
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
1
Nov-29-2001
PNP硅晶体管自动对焦
BCP 51
BCP ... 53
q
用于AF的驱动级和输出级
q
高集电极电流
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型: BCP 54 ... BCP 56 ( NPN )
TYPE
BCP 51
BCP 51-10
BCP 51-16
BCP 52
BCP 52-10
BCP 52-16
BCP 53
BCP 53-10
BCP 53-16
记号
BCP 51
BCP 51-10
BCP 51-16
BCP 52
BCP 52-10
BCP 52-16
BCP 53
BCP 53-10
BCP 53-16
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-C2107
Q62702-C2109
Q62702-C2110
Q62702-C2146
Q62702-C2112
Q62702-C2113
Q62702-C2147
Q62702-C2115
Q62702-C2116
引脚配置
1
2
3
4
B
C
E
C
包
1)
SOT-223
1)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
5.91
BCP 51
BCP ... 53
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0
BCP 51
BCP 52
BCP 53
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A,
I
B
= 0
BCP 51
BCP 52
BCP 53
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0,
T
A
= 150 C
发射基截止电流
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 2 V
BCP 51 / BCP 52 / BCP 53
BCP 51 / BCP 52 / BCP 53-10
BCP 51 / BCP 52 / BCP 53-16
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
基射极电压
1)
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 2 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
f
T
–
125
–
兆赫
V
(BR)CE0
45
60
80
V
(BR)CB0
45
60
100
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
25
40
63
100
25
V
CESAT
V
BE
–
–
–
–
100
160
–
–
–
–
250
160
250
–
0.5
1
V
–
–
–
–
100
20
10
nA
A
A
值
典型值。
马克斯。
单位
V
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
1)
脉冲测试条件:
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特点
大电流(最大1 A)
低电压(最大80 V)
中等功率(最大1.3瓦) 。
应用
音响,电话和汽车应用
厚和薄膜电路。
描述
在SOT223塑料PNP中功率晶体管
封装。 NPN补充: BCP54 , BCP55和BCP56 。
1
顶视图
手册, halfpage
BCP51 ; BCP52 ; BCP53
钉扎
针
1
2, 4
3
BASE
集热器
辐射源
描述
4
2, 4
1
3
2
3
MAM288
Fig.1简化外形( SOT223 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
BCP51
BCP52
BCP53
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCP51
BCP52
BCP53
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板,单面铜,镀锡,集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件,请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
45
60
80
5
1
1.5
0.2
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
45
60
100
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月08
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
BCP51 ; BCP52 ; BCP53
条件
注1
价值
95
14
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板,单面铜,镀锡,集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件,请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
2
V ;见图2
I
C
=
5
mA
I
C
=
150
mA
I
C
=
500
mA
h
FE
直流电流增益
BCP53-10
BCP51-16 ; BCP52-16 ; BCP53-16
V
CESAT
V
BE
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
2
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V;
F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安; V
CE
=
2
V ;见图2
63
100
115
160
250
0.5
1
V
V
兆赫
40
63
25
250
分钟。
典型值。马克斯。单位
100
10
100
nA
A
nA
1999年4月08
3
BCP51...-BCP53...
PNP硅晶体管自动对焦
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型: BCP54 ... BCP56 (NPN)
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
4
2
1
3
TYPE
BCP51
BCP51-16
BCP52-16
BCP53-10
BCP53-16
记号
*
*
*
*
*
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
包
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
*标记是相同的类型名
1
含有铅,
包可能是可根据特殊要求
1
2008-10-10
BCP51...-BCP53...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
V
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BCP51
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BCP52
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BCP53
45
60
80
V
( BR ) CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0, BCP51
I
C
= 100 A,
I
E
= 0, BCP52
I
C
= 100 A,
I
E
= 0, BCP53
45
60
100
V
( BR ) EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
h
FE
-
-
-
-
100
160
-
-
-
0.1
20
-
-
250
160
250
-
0.5
1
V
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 2 V , BCP51
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 2 V , BCP53-10
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 2 V , BCP51-16 ... BCP53-16
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 2 V
25
40
63
100
25
V
CESAT
V
BE(上)
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
基射极电压
1)
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 2 V
-
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
1
脉冲
f
T
-
125
-
兆赫
测试:吨< 300μS ; < 2 %
3
2008-10-10
BCP53 ; BCX53 ; BC53PA
80 V ,1 A PNP中功率晶体管
启9 - 2011年10月19日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP中等功率晶体管系列的表面贴装器件( SMD )塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BCP53
BCX53
BC53PA
[1]
类型编号
[1]
NPN补
JEITA
SC-73
SC-62
-
JEDEC
-
TO-243
-
BCP56
BCX56
BC56PA
SOT223
SOT89
SOT1061
适用于所有可用的选项组。
1.2特点和优点
HIGH CURRENT
三个电流增益的选择
高功率耗散能力
裸露散热片的优良导热和导电性能( SOT89 , SOT1061 )
无铅非常小的SMD塑料封装中功率能力( SOT1061 )
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
线性稳压器
高边开关
电池驱动设备
电源管理
MOSFET驱动器
放大器器
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
单脉冲;吨
p
1毫秒
条件
开基
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
80
1
2
单位
V
A
A
恩智浦半导体
BCP53 ; BCX53 ; BC53PA
80 V ,1 A PNP中功率晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
BCP53
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
C
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
1毫秒
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
100
80
5
1
2
0.3
0.3
单位
V
V
V
A
A
A
A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
0.65
1.00
1.35
0.50
0.95
1.35
0.42
0.83
1.10
0.81
1.65
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
C
C
C
BCX53
[1]
[2]
[3]
BC53PA
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB , 4层铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB , 4层铜,镀锡,安装垫集热1厘米
2
.
BCP53_BCX53_BC53PA
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产品数据表
启9 - 2011年10月19日
4 22
恩智浦半导体
BCP53 ; BCX53 ; BC53PA
80 V ,1 A PNP中功率晶体管
1.5
(1)
006aac674
1.5
(1)
006aac675
P
合计
(W)
(2)
P
合计
(W)
1.0
(2)
1.0
(3)
(3)
0.5
0.5
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
( 1 ) FR4印刷电路板,安装板集热6厘米
2
( 2 ) FR4印刷电路板,安装板集热1厘米
2
( 3 ) FR4 PCB,标准的足迹
( 1 ) FR4印刷电路板,安装板集热6厘米
2
( 2 ) FR4印刷电路板,安装板集热1厘米
2
( 3 ) FR4 PCB,标准的足迹
图1 。
功率降额曲线SOT223
2.0
P
合计
(W)
1.5
(1)
图2 。
功率降额曲线SOT89
006aac676
(2)
1.0
(3)
(4)
0.5
(5)
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
( 1 ) FR4 PCB , 4层铜垫安装集热1厘米
2
( 2 ) FR4 PCB ,单面铜,安装垫集热6厘米
2
(3)的FR4印刷电路板,单面铜,集电极安装焊盘1厘米
2
( 4 ) FR4 PCB , 4层铜,标准的足迹
( 5 ) FR4 PCB ,单面铜,标准的足迹
图3 。
功率降额曲线SOT1061
BCP53_BCX53_BC53PA
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产品数据表
启9 - 2011年10月19日
5 22