BCP53T1系列
首选设备
PNP硅
外延晶体管
这PNP硅外延晶体管设计用于音频应用
放大器应用。该设备被容纳在SOT -223包
这是专为中等功率表面贴装应用。
高电流： 1.5安培
NPN补是BCP56
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。该
焊接过程中形成的线索吸收热应力，消除了
损坏模具的可能性
采用12毫米磁带和卷轴
使用BCP53T1责令7英寸/ 1000单元卷轴。
使用BCP53T3订购13英寸/ 4000单元卷轴。
器件标识：
BCP53T1 = AH
BCP53-10T1 = AH- 10
BCP53-16T1 = AH- 16
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中功率
HIGH CURRENT
表面贴装
PNP晶体管
集热2,4
BASE
1
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ TA = 25 ° C（注1 ）
减免上述25℃
工作和存储
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
1.5
12
TJ ， TSTG
-65
+150
瓦
毫瓦/°C的
°C
价值
–80
–100
–5.0
1.5
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
1
2
3
4
辐射源3
标记图
AHxxx
SOT–223
CASE 318E
风格1
AHxxx =器件代码
xxx
= -10或-16
热特性
特征
热阻，
结到环境
（表面贴装）
无铅焊接温度的，
0.0625 “的情况下，
在焊接洗澡时间
符号
R
θJA
最大
83.3
单位
° C / W
订购信息
设备
BCP53T1
BCP53–10T1
TL
260
10
°C
美国证券交易委员会
BCP53–16T1
包
SOT–223
SOT–223
SOT–223
航运
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
1.装置安装在一个玻璃环氧印刷电路板的1.575英寸x 1.575英寸
X 0.059英寸;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2000年11月 - 第2版
出版订单号：
BCP53T1/D
BCP53T1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -100
μAdc ，
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -100
μAdc ，
RBE = 1.0千欧）
发射极 - 基极击穿电压（IE = -10
μAdc ，
IC = 0）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ）
发射基截止电流（ VEB = -5.0伏， IC = 0 ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CER
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
–100
–80
–100
–5.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–100
–10
VDC
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
基本特征
直流电流增益（ IC = -5.0 MADC ， VCE = -2.0 V直流）的所有部件类型
（ IC = -150 MADC ， VCE = -2.0 V直流）
BCP53T1
BCP53–10T1
BCP53–16T1
（ IC = -500 MADC ， VCE = -2.0 V直流）的所有部件类型
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）
基射极电压上（IC = -500 MADC ， VCE = -2.0 V直流）
的hFE
25
40
63
100
25
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
250
160
250
–
–0.5
–1.0
–
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
VDC
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -10 MADC ， VCE = -5.0伏， F = 35兆赫）
fT
–
50
–
兆赫
典型电气特性
VCE = 2 V
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
500
500
300
的hFE ， DC电流增益
200
VCE = 2 V
100
50
100
50
20
1
3
5
10
30 50 100
IC ，集电极电流（毫安）
300 500
1000
20
1
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
1000
图1.直流电流增益
1
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
V（ CE ）坐@ IC / IB = 10
0
1
10
100
1000
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
图2.电流增益带宽积
对@ VCE = 2 V V （ BE ）
C，电容（pF ）
V（ BE ）坐@ IC / IB = 10
兴业银行
COB
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IC ，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
图3.饱和度和“ON”电压
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2
图4的电容
BCP53T1系列
包装尺寸
SOT–223
CASE 318E -04
ISSUE
A
F
4
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3
S
1
2
B
D
L
G
J
C
0.08 (0003)
H
M
K
英寸
DIM MIN
最大
A
0.249
0.263
B
0.130
0.145
C
0.060
0.068
D
0.024
0.035
F
0.115
0.126
G
0.087
0.094
H
0.0008 0.0040
J
0.009
0.014
K
0.060
0.078
L
0.033
0.041
M
0
_
10
_
S
0.264
0.287
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
6.30
6.70
3.30
3.70
1.50
1.75
0.60
0.89
2.90
3.20
2.20
2.40
0.020
0.100
0.24
0.35
1.50
2.00
0.85
1.05
0
_
10
_
6.70
7.30
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
安森美半导体
和
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4
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