【BCP 51 /五十三分之五十二采用SOT223 PNP硅平面中功率晶体管特点IC= -1A连续集电】,IC型号BCP52TA,BCP52TA PDF资料,BCP52TA经销商,ic,电子元器件-51电子网

BCP 51 /五十三分之五十二

采用SOT223 PNP硅平面中功率晶体管

特点

= -1A连续集电极电流

低饱和电压V

CE （ SAT ）

< -500mV @ -0.5A

增益组10和16

外延平面片建设

互补NPN型： BCP54 ， 55和56

无铅，符合RoHS （注1 ）

卤素和无锑。 “绿色”设备（注2 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

机械数据

案例： SOT223

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑

化合物（注2 ）

防火等级94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端：雾锡完成

重量： 0.112克（近似值）

应用

中功率开关或放大应用

自动对焦驱动级和输出级

SOT223

顶视图

设备符号

顶视图

引脚输出

订购信息

（注3）

产品

BCP51TA

BCP5110TA

BCP5116TA

BCP5116TC

BCP52TA

BCP5210TA

BCP5216TA

BCP53TA

BCP5310TA

BCP5316TA

BCP5316TC

注意事项：

记号

BCP 51

BCP 5110

BCP 5116

BCP 52

BCP 5210

BCP 5216

BCP 53

BCP 5310

BCP 5316

卷尺寸（英寸）

胶带宽度（mm）

QUANTITY每卷

1,000

4,000

1,000

4,000

1.没有故意添加铅。

2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com

3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com

标识信息

BCP

xxxx

BCP =产品型号标识代码， 1号线。

XXXX =产品型号标识代码， 2号线如下：

BCP51 = 51

BCP5110 = 5110

BCP5116 = 5116

BCP52 = 52

BCP5210 = 5210

BCP5216 = 5216

BCP53 = 53

BCP5310 = 5310

BCP5316 = 5316

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最大额定值

@ T

= 25 ° C除非另有说明

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值脉冲集电极电流

连续基极电流

峰值脉冲电流基地

符号

CBO

首席执行官

EBO

BCP51

-45

BCP52

-60

-5

-1

-2

-100

-200

BCP53

-100

-80

单位

热特性

@ T

= 25 ° C除非另有说明

特征

功率耗散（注4 ）

热阻，结到环境（注4 ）

热阻，结到信息（注5 ）

工作和存储温度范围

注意事项：

符号

θJA

θJL

英镑

价值

19.4

-65到+150

单位

° C / W

°C

4，对于设备的表面安装在50毫米×50毫米的FR4 PCB覆盖率高的单面的1盎司铜皮，在静止空气条件;该装置测得的

在稳态条件下运行时。

从结点到焊接点5，热敏电阻（在集电极引线的端部）。

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热特性

热阻（ ° C / W）

160

100

10m 100m

D=0.2

单脉冲

D=0.05

D=0.1

最大功率（W）的

50毫米×50毫米1盎司铜

AMB

25°C

140

120

100

10m 100m

50毫米×50毫米1盎司铜

AMB

25°C

单脉冲

D=0.5

100

脉冲宽度（S ）

瞬态热阻抗

最大功耗（ W）

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

50毫米×50毫米

1盎司铜

脉冲功率耗散

100 120 140 160

温度（℃）

降额曲线

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电气特性

@ T

= 25 ° C除非另有说明

特征

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压（注6 ）

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

所有版本

静态正向电流传输比（注6 ）

10增益GRP

16增益GRP

集电极 - 发射极饱和电压（注6 ）

基射极导通电压（注6 ）

跃迁频率

输出电容

注意事项：

符号

BCP51

BCP52

BCP53

BCP51

BCP52

BCP53

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

民

-45

-60

-100

-45

-60

-80

-5

100

150

典型值

最大

单位

测试条件

= -100A

-0.1

-20

250

160

250

-0.5

-1.0

= -10mA

= -10A

= -30V

= -30V ，T

= 150°C

= -4V

= -5mA ，V

= -2V

= -150mA ，V

= -2V

= -500mA ，V

= -2V

= -150mA ，V

= -2V

= -150mA ，V

= -2V

= -500mA ，我

= -50mA

= -500mA ，V

= -2V

= -50mA ，V

= -10V

F = 100MHz的

= -10V ， F = 1MHz的

CE （ SAT ）

BE（上）

敖包

兆赫

脉冲条件下测得6 。脉冲宽度

≤

300μS 。占空比

≤

2%.

1.0

= 10毫安

500

= -5V

，集电极电流（ A）

0.8

= 8毫安

400

，直流电流增益

= 6毫安

= 150°C

0.6

= 4毫安

300

= 85°C

0.4

= 2毫安

200

= 25°C

0.2

100

= -55°C

-V

，集电极 - 发射极电压（ V）

图。 1典型集电极电流

与集电极 - 发射极电压

0.001

0.01

0.1

-I

，集电极电流（ A）

图。 2典型的DC电流增益与集电极电流

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-V

BE（上）

，基极发射极导通电压（V ）

0.5

1.0

-V

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

0.4

0.8

= -55°C

0.3

= 150°C

0.6

= 25°C

= 85°C

0.4

0.2

= 85°C

= 150°C

0.2

= -2V

0.1

= 25°C

= -55°C

0.001

0.01

0.1

-I

，集电极电流（ A）

图3典型的基射极导通电压

与集电极电流

0.001

0.01

0.1

-I

，集电极电流（ A）

图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压

与集电极电流

-V

BE （ SAT ）

，基射极饱和电压（ V）

1.2

300

，增益带宽积（兆赫）

250

1.0

0.8

= -55°C

200

0.6

= 25°C

= 85°C

150

0.4

= 150°C

100

= -5V

F = 100MHz的

0.2

/ I

= 10

0.001

0.01

0.1

-I

，集电极电流（ A）

图。 5典型的基射极饱和电压

与集电极电流

100

-I

，集电极电流（毫安）

图。 6典型增益带宽积与集电极电流

160

140

120

电容（pF）

100

IBO

F = 1MHz的

敖包

，反向电压（V）的

图。 7典型的电容特性

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