飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V）
中等功率（最大1.3瓦） 。
应用
音响，电话和汽车应用
厚和薄膜电路。
描述
在SOT223塑料PNP中功率晶体管
封装。 NPN补充： BCP54 ， BCP55和BCP56 。
1
顶视图
手册， halfpage
BCP51 ; BCP52 ; BCP53
钉扎
针
1
2, 4
3
BASE
集热器
辐射源
描述
4
2, 4
1
3
2
3
MAM288
Fig.1简化外形（ SOT223 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BCP51
BCP52
BCP53
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCP51
BCP52
BCP53
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
45
60
80
5
1
1.5
0.2
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
45
60
100
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月08
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
BCP51 ; BCP52 ; BCP53
条件
注1
价值
95
14
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
2
V ;见图2
I
C
=
5
mA
I
C
=
150
mA
I
C
=
500
mA
h
FE
直流电流增益
BCP53-10
BCP51-16 ; BCP52-16 ; BCP53-16
V
CESAT
V
BE
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
2
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V;
F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安; V
CE
=
2
V ;见图2
63
100
115
160
250
0.5
1
V
V
兆赫
40
63
25
250
分钟。
典型值。马克斯。单位
100
10
100
nA
A
nA
1999年4月08
3
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