BCM856BS ; BCM856BS / DG
BCM856DS ; BCM856DS / DG
PNP / PNP匹配的双晶体管
版本01 - 2008年8月7日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP / PNP匹配的小型表面安装器件的双晶体管( SMD )塑料
包。该晶体管被完全内部隔离。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BCM856BS
BCM856BS/DG
BCM856DS
BCM856DS/DG
SOT457
SC-74
小
SOT363
JEITA
SC-88
非常小
包装CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
电流增益匹配
基极 - 发射极电压的匹配
简易替换为标准的双晶体管
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
电流镜
I
差分放大器器
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
=
5
V;
I
C
=
2
mA
条件
开基
民
-
-
200
典型值
-
-
290
最大
65
100
450
单位
V
mA
每个晶体管
恩智浦半导体
BCM856BS ; BCM856DS
PNP / PNP匹配的双晶体管
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
* BS
PB *
DS
R9
类型编号
BCM856BS
BCM856BS/DG
BCM856DS
BCM856DS/DG
[1]
* = - :香港制造
* = P :香港制造
* = T:在马来西亚
* = W :中国制造
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
BCM856BS ( SOT363 )
BCM856BS / DG ( SOT363 )
BCM856DS ( SOT457 )
BCM856DS / DG ( SOT457 )
每个器件
P
合计
总功耗
BCM856BS ( SOT363 )
BCM856BS / DG ( SOT363 )
BCM856DS ( SOT457 )
BCM856DS / DG ( SOT457 )
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
民
-
-
-
-
-
最大
80
65
5
100
200
单位
V
V
V
mA
mA
每个晶体管
-
-
200
250
mW
mW
[1]
T
AMB
≤
25
°C
[1]
-
-
-
55
65
300
380
150
+150
+150
mW
mW
°C
°C
°C
[1]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
BCM856BS_BCM856DS_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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恩智浦半导体
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6.热特性
表7中。
热特性
条件
在自由空气
[1]
符号参数
每个晶体管
R
号(j -a)的
热阻结到
环境
BCM856BS ( SOT363 )
BCM856BS / DG ( SOT363 )
BCM856DS ( SOT457 )
BCM856DS / DG ( SOT457 )
每个器件
R
号(j -a)的
热阻结到
环境
BCM856BS ( SOT363 )
BCM856BS / DG ( SOT363 )
BCM856DS ( SOT457 )
BCM856DS / DG ( SOT457 )
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
625
500
K / W
K / W
[1]
在自由空气
[1]
-
-
-
-
416
328
K / W
K / W
[1]
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止
当前
条件
V
CB
=
30
V;
I
E
= 0 A
V
CB
=
30
V;
I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
V
EB
=
5
V;
I
C
= 0 A
V
CE
=
5
V;
I
C
=
10 A
V
CE
=
5
V;
I
C
=
2
mA
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
=
10
毫安;
I
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;
I
B
=
5
mA
V
BESAT
基射极饱和
电压
I
C
=
10
毫安;
I
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;
I
B
=
5
mA
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
15
5
单位
nA
A
每个晶体管
-
-
200
-
-
-
-
-
250
290
50
200
760
920
100
-
450
200
400
-
-
nA
mV
mV
mV
mV
[1]
BCM856BS_BCM856DS_1
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