NPN硅达林顿晶体管
公元前875
...公元前879
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型：公元前876 ，公元前878
公元前880 （ PNP ）
q
TYPE
公元前875
公元前877
公元前879
记号
–
订购代码
C62702-C853
C62702-C854
C62702-C855
引脚配置
1
2
3
E
C
B
包
1)
TO-92
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
C
= 90 C
2)
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 壳
3)
1)
2)
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
值
公元前875
45
60
单位
公元前877
60
80
5
1
2
100
200
0.8 (1)
150
– 65 … + 150
W
C
mA
A
公元前879
80
100
V
R
日JA
R
日JC
≤
≤
156
75
K / W
3)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
如果晶体管，最大。 4毫米引线长度是固定在PCB上用分钟。 10毫米
×
10毫米大面积覆铜面积
集电极端，
R
thJA
= 125 K / W ，因此
P
TOT最大
= 1为W
T
A
= 25 C.
安装在铝散热片15毫米
×
25 mm
×
0.5 mm.
半导体集团
1
5.91
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
特点
高直流电流增益（最小1000）
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V）
集成的二极管和电阻。
应用
继电器驱动器。
描述
在TO- 92 （ SOT54 ） NPN塑料达林顿晶体管
封装。 PNP补充： BC878 。
Fig.1
手册， halfpage
BC875 ; BC879
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2
1
1
2
3
MAM307
3
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BC875
BC879
V
CES
集电极 - 发射极电压
BC875
BC879
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
V
BE
= 0
65
65
45
80
5
1
2
0.2
0.83
+150
150
+150
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
60
100
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年5月28日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC875 ; BC879
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年5月28日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
特点
高直流电流增益（最小1000）
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V）
集成的二极管和电阻。
应用
继电器驱动器。
描述
在TO- 92 （ SOT54 ） NPN塑料达林顿晶体管
封装。 PNP补充： BC878 。
Fig.1
手册， halfpage
BC875 ; BC879
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2
1
1
2
3
MAM307
3
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）和
符号。
订购信息
包
类型编号
名字
BC875
BC879
SC-43A
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
2004年11月05
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BC875
BC879
V
CES
集电极 - 发射极电压
BC875
BC879
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
V
BE
= 0 V
65
65
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
分钟。
BC875 ; BC879
马克斯。
60
100
45
80
5
1
2
0.2
0.83
+150
150
+150
V
V
V
V
V
A
A
A
W
单位
°C
°C
°C
价值
150
单位
K / W
2004年11月05
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC875 ; BC879
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
04-06-28
2004年11月05
5
QQ：2880707522 复制
