飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大20V） 。
应用
通用开关和放大
功率应用，例如音频输出级。
手册， halfpage
BC868
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
2
描述
在SOT89塑料NPN中功率晶体管
封装。 PNP补充： BC869 。
记号
类型编号
BC868
BC868-25
标识代码
CAC
疾病预防控制中心
1
底部视图
2
3
MAM296
3
1
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
32
20
5
1
2
200
1.35
+150
150
+150
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
°C
单位
1999年4月08
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
93
13
BC868
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 25 V
I
E
= 0; V
CB
= 25 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 1V ;见图2
I
C
= 1 ; V
CE
= 1V ;见图2
直流电流增益
BC868-25
V
CESAT
V
BE
f
T
h
FE1
-----------
h
FE2
基射极电压
跃迁频率
的直流电流增益比
互补对
I
C
= 500毫安; V
CE
= 1V ;见图2
I
C
= 5毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 1 ; V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 0.5 A;
V
CE
= 1 V
160
40
620
375
500
1
1.6
mV
mV
V
兆赫
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
分钟。
50
85
60
典型值。
MAX 。 UNIT
100
10
100
375
nA
A
nA
1999年4月08
3
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