SMD型
NPN型中功率晶体管
BC868
晶体管
特点
HIGH CURRENT
两个电流增益的选择
1.2 W的总功耗。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
* 1 ，* 2
* 1， * 3
* 1和* 4
储存温度
结温
环境温度
从结点到环境的热阻
* 1 ，* 2
* 1， * 3
* 1和* 4
从结热阻到焊点
* 1.Refer以SOT89标准安装条件。
* 2.Device安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡的足迹。
* 3.Device安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
* 4.Device安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
R
日（ J- S）
T
英镑
T
j
T
AMB
R
号（j -a）的
P
合计
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
等级
32
20
5
1
2
200
0.5
0.85
1.2
-65到+150
150
-65到+150
250
147
104
20
K / W
K / W
K / W
K / W
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
W
www.kexin.com.cn
1
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型中功率晶体管;
20 V ，1 A
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
T
AMB
≤
25
°C
注1和2
注1和3
注1和4
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考SOT89标准安装条件。
2.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡的足迹。
储存温度
结温
环境温度
65
65
0.5
0.85
1.2
+150
150
+150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
32
20
5
1
2
200
BC868
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
W
°C
°C
°C
3.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
4.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
手册， halfpage
1.6
MLE323
P合计
(W)
1.2
(1)
(2)
0.8
(3)
0.4
0
-65
-5
55
115
175
TAMB （ ° C）
（ 1 ） FR4印刷电路板; 6厘米
2
安装垫的收藏家。
（ 2 ） FR4印刷电路板; 1厘米
2
安装垫的收藏家。
（ 3 ）标准的足迹。
图1功率降额曲线。
2004年11月8日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型中功率晶体管;
20 V ，1 A
热特性
符号
R
号（j -a）的
参数
从结点到环境的热阻
条件
T
AMB
≤
25
°C
注1和2
注1和3
注1和4
R
日（ J- S）
笔记
1.参考SOT89标准安装条件。
2.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡的足迹。
从结热阻到焊点
T
AMB
≤
25
°C
250
147
104
20
价值
BC868
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
3.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
4.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
10
3
手册，全页宽
ZTH
（K / W）
10
2
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
MLE324
10
(7)
(8)
(9)
P
1
(10)
δ
=
tp
T
tp
T
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
TP （多个）
10
3
安装在FR4印刷电路板;安装垫集热1厘米
2
.
(1)
δ
= 1.
(2)
δ
= 0.75.
(3)
δ
= 0.5.
(4)
δ
= 0.33.
(5)
δ
= 0.2.
(6)
δ
= 0.1.
(7)
δ
= 0.05.
(8)
δ
= 0.02.
(9)
δ
=0.01.
(10)
δ
= 0.
图2瞬态热阻抗的脉冲时间的函数;典型值。
2004年11月8日
4
SOT89 NPN硅平面
中功率晶体管
第4期 - 1995年10月
7
特点
*适用于一般AF应用和
B类音频输出级UPTO 3W
*高
FE
与低饱和电压
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
BC869
BC868
- CAC
BC868-16 - CCC
BC868-25 - 疾病预防控制中心
BC868
C
E
C
B
SOT89
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
25
20
5
2
1
1
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
BC868-16
BC868-25
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
50
85
60
100
160
60
45
分钟。
25
20
5
10
1
10
0.5
1.0
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
mA
A
V
V
条件。
I
C
=100A
I
C
=10mA*
I
E
=10A
V
CB
= 25V
V
CB
= 25V ，T
AMB
=150
o
C
V
EB
=5V
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=1V*
I
C
= 5毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=1V*
I
C
= 1A ，V
CE
=1V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=1V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=1V*
兆赫
pF
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V
F = 35MHz时
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
375
250
375
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
对于典型特征图看FMMT449数据表。
3 - 11
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大20V） 。
应用
通用开关和放大
功率应用，例如音频输出级。
手册， halfpage
BC868
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
2
描述
在SOT89塑料NPN中功率晶体管
封装。 PNP补充： BC869 。
记号
类型编号
BC868
BC868-25
标识代码
CAC
疾病预防控制中心
1
底部视图
2
3
MAM296
3
1
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
32
20
5
1
2
200
1.35
+150
150
+150
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
°C
单位
1999年4月08
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
93
13
BC868
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 25 V
I
E
= 0; V
CB
= 25 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 1V ;见图2
I
C
= 1 ; V
CE
= 1V ;见图2
直流电流增益
BC868-25
V
CESAT
V
BE
f
T
h
FE1
-----------
h
FE2
基射极电压
跃迁频率
的直流电流增益比
互补对
I
C
= 500毫安; V
CE
= 1V ;见图2
I
C
= 5毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 1 ; V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 0.5 A;
V
CE
= 1 V
160
40
620
375
500
1
1.6
mV
mV
V
兆赫
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
分钟。
50
85
60
典型值。
MAX 。 UNIT
100
10
100
375
nA
A
nA
1999年4月08
3
BC868
晶体管（ NPN ）
SOT-89
特点
HIGH CURRENT
低电压
1.基地
最大额定值
(T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
32
20
5
1
500
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
℃
℃
2.收集
3.辐射源
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
BE1
基射极电压
V
BE2
跃迁频率
f
T
V
CE
=1V,I
C
=1A
V
CE
=5V,I
C
=10mA,f=100MHz
40
1
V
兆赫
TEST
条件
民
32
20
5
0.1
0.1
85
60
50
0.5
0.62
V
V
375
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
=25V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=1V,I
C
=500mA
V
CE
=1V,I
C
=1A
V
CE
=10V,I
C
=5mA
I
C
=1A,I
B
=100mA
V
CE
=10V,I
C
=5mA
分类
秩
范围
记号
h
FE(1)
BC868-10
85-160
CBC
BC868-16
100-250
CCC
BC868-25
160-375
疾病预防控制中心
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
晶体管（ NPN ）
特点
批量
特点
工艺设计，出色的功耗报价
威伦
FM120-M
BC868
THRU
FM1200-M
包
无铅产品
SOT-89
包装外形
SOD-123H
更好的反向漏电流和耐热性。
高
低调的表面安装，以便应用程序
当前
优化电路板空间。
低
电压
损失，效率很高。
低功耗
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
最大额定值
过电压保护。
Guardring为
(T
a
=25
℃
除非另有说明）
超高速开关。
符号
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
单位
参数
价值
无铅零件符合环保标准
32
V
V
CBO
集电极 - 基极电压
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
V
V
首席执行官
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
20
集电极 - 发射极电压
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
1.基地
2.收集
3.辐射源
0.071(1.8)
0.056(1.4)
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基
数据
机械
电压
5
V
储存温度
-55~150
尺寸以英寸（毫米）
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
重量：的逼近0.011克
最大额定值和电气特性
发射极 - 基极击穿电压
标识代码
Pr
el
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
在25 ℃的环境温度额定值
V
（ BR ） CBO
I
C
=100μA,I
E
=0
集电极 - 基极击穿电压
除非另有规定ED 。
im
I
C
=1mA,I
B
=0
12
20
14
参数
符号
INA
测试条件
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
=25V,I
E
=0
21
13
30
14
40
28
40
15
50
35
50
20
30
V
EB
=5V,I
C
=0
I
O
方法2026
℃
ry
民
32
20
16
60
42
60
1.0
85
30
40
120
50
集电极电流 - 连续
A
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
1
集电极耗散功率
500
mW
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031(0.8)
“H”
卤素
0.031(0.8)
产品包装代号后缀
典型值。
免费
典型值。
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
结温
150
℃
无铅封装可用
0.040(1.0)
0.024(0.6)
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
典型值
最大
单位
V
V
V
（ BR ） EBO
I
CBO
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
5
集电极截止电流
最大RMS电压
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
V
RMS
18
80
56
80
10
100
70
0.1
115
150
105
V
μA
120
200
140
200
V
V
最大直流阻断电压
发射极截止电流
V
I
EBO
DC
100
0.1
150
μA
V
最大正向平均整流电流
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
h
FE(1)
直流电流增益
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
FSM
V
CE
=1V,I
C
=500mA
V
CE
=1V,I
C
=1A
375
A
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
h
FE(2)
R
θJA
T
J
60
C
h
FE(3)
J
TSTG
V
CE （ SAT ）
V
CE
=10V,I
C
-55到+125
=5mA
-55到+150
℃
存储温度范围
集电极 - 发射极饱和电压
特征
最大正向电压
基射极电压
在1.0A DC
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
I
C
=1A,I
B
=100mA
0.50
0.70
-
65
到+175
0.5
0.85
0.9
V
0.92
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
BE1
V
CE
=10V,I
C
=5mA
0.62
V
U
V
F
V
V
BE2
R
I
f
T
V
CE
=1V,I
C
=1A
V
CE
=5V,I
C
=10mA,f=100MHz
0.5
10
1
V
兆赫
m
过渡
注意事项：
频率
40
1测得1 MHz和应用
FE(1)
分类h及
反向的4.0 VDC电压。
秩
2-热阻结点到环境
BC868-10
85-160
CBC
BC868-16
100-250
CCC
BC868-25
160-375
疾病预防控制中心
范围
记号
2012-
2012-06
0
威伦电子股份有限公司
威伦电子股份有限公司。
SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
威伦
FM120-M
BC868
THRU
FM1200-M
包
无铅全国生产
特点
包装外形
外形绘图
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOT-89
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
.181(4.60)
ry
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.173(4.39)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
.061REF
方法2026
(1.55)REF
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
0.040(1.0)
0.024(0.6)
.063(1.60)
.055(1.40)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
im
12
20
13
30
21
30
Pr
el
.167(4.25)
.154(3.91)
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
INA
.102(2.60)
.091(2.30)
14
15
40
50
28
40
35
50
V
DC
I
O
20
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
尺寸以英寸（毫米）
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
V
RRM
.023(0.58)
14
V
RMS
.016(0.40)
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大正向平均整流电流
.047(1.2)
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
.031(0.8)
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
典型结电容（注1 ）
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
.060TYP
(1.50)TYP
.118TYP
(3.0)TYP
@T A = 25 ℃
@T A = 125 ℃
特征
最大正向电压在1.0A DC
在最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
.197(0.52)
.013(0.32)
0.50
V
F
I
R
0.70
10
.017(0.44)
.014(0.35)
0.85
0.9
0.92
0.5
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
尺寸以英寸（毫米）
2012-06
REV.C
威伦电子COR
威伦电子股份有限公司。
2012-
0
SMD型
晶体管
IC
BC868
特点
HIGH CURRENT
两个电流增益的选择
1.2 W的总功耗。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
* 1 ，* 2
* 1， * 3
* 1和* 4
储存温度
结温
环境温度
从结点到环境的热阻
* 1 ，* 2
* 1， * 3
* 1和* 4
从结热阻到焊点
* 1.Refer以SOT89标准安装条件。
* 2.Device安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡的足迹。
* 3.Device安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
* 4.Device安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
R
日（ J- S）
T
英镑
T
j
T
AMB
R
号（j -a）的
P
合计
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
等级
32
20
5
1
2
200
0.5
0.85
1.2
-65到+150
150
-65到+150
250
147
104
20
K / W
K / W
K / W
K / W
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
W
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
BCP68 ; BC868 ; BC68PA
20 V ，2 A NPN型中功率晶体管
启8 - 二○一一年十月十八日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN型中功率晶体管系列表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BCP68
BC868
BC68PA
[1]
类型编号
[1]
PNP补充
JEITA
SC-73
SC-62
-
JEDEC
-
TO-243
-
BCP69
BC869
BC69PA
SOT223
SOT89
SOT1061
适用于所有可用的选项组。
1.2特点和优点
HIGH CURRENT
两个电流增益的选择
高功率耗散能力
裸露散热片的优良导热和导电性能（ SOT89 ， SOT1061 ）
无铅非常小的SMD塑料封装中功率能力（ SOT1061 ）
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
线性稳压器
低边开关
电池驱动设备
电源管理
MOSFET驱动器
放大器器
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
单脉冲;吨
p
1毫秒
条件
开基
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
20
2
3
单位
V
A
A
恩智浦半导体
BCP68 ; BC868 ; BC68PA
20 V ，2 A NPN型中功率晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
BCP68
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
C
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
1毫秒
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
32
20
5
2
3
0.4
0.4
单位
V
V
V
A
A
A
A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
0.65
1.00
1.35
0.50
0.95
1.35
0.42
0.83
1.10
0.81
1.65
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
C
C
C
BC868
[1]
[2]
[3]
BC68PA
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
BCP68_BC868_BC68PA
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启8 - 二○一一年十月十八日
4 23
恩智浦半导体
BCP68 ; BC868 ; BC68PA
20 V ，2 A NPN型中功率晶体管
1.5
(1)
006aac674
1.5
(1)
006aac675
P
合计
(W)
(2)
P
合计
(W)
1.0
(2)
1.0
(3)
(3)
0.5
0.5
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
（ 1 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线SOT223
2.0
P
合计
(W)
1.5
(1)
图2 。
功率降额曲线SOT89
006aac676
(2)
1.0
(3)
(4)
0.5
(5)
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4 PCB ， 4层铜垫安装集热1厘米
2
（ 2 ） FR4 PCB ，单面铜，安装垫集热6厘米
2
（3）的FR4印刷电路板，单面铜，集电极安装焊盘1厘米
2
（ 4 ） FR4 PCB ， 4层铜，标准的足迹
（ 5 ） FR4 PCB ，单面铜，标准的足迹
图3 。
功率降额曲线SOT1061
BCP68_BC868_BC68PA
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启8 - 二○一一年十月十八日
5 23
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型中功率晶体管;
20 V ，1 A
订购信息
包
类型编号
名字
BCP68
BCP68-25
描述
塑料表面贴装封装;收集垫好热
转让; 4引线
BCP68
VERSION
SOT223
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
T
AMB
≤
25
°C;
注1和2
T
AMB
≤
25
°C;
注1和3
T
AMB
≤
25
°C;
注1和4
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.见SOT223 （ SC - 73 ）标准安装条件。
2.设备安装在FR4印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹SOT223 。
3.设备安装在FR4印刷电路板;单面铜;镀锡; 1厘米
2
集热器的安装盘。
4.设备安装在FR4印刷电路板;单面铜;镀锡; 6厘米
2
集热器的安装盘。
储存温度
结温
工作环境温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
32
20
5
1
2
200
0.625
1
1.4
+150
150
+150
V
V
V
A
A
mA
W
W
W
°C
°C
°C
单位
2003年11月25
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型中功率晶体管;
20 V ，1 A
BCP68
1.6
手册， halfpage
P合计
(W)
1.2
(2)
(1)
MDB846
0.8
(3)
0.4
0
60
0
60
120
180
TAMB （ ° C）
（1） 6厘米
2
集热器的安装盘。
（2） 1厘米
2
集热器的安装盘。
（ 3 ）标准的PCB占位面积。
图1功率降额曲线。
热特性
符号
R
号（j -a）的
参数
从结点到环境的热阻
条件
T
AMB
≤
25
°C;
注1和3
T
AMB
≤
25
°C;
注1和4
T
AMB
≤
25
°C;
注1和4
R
日（ J- S）
笔记
1.见SOT223 （ SC - 73 ）标准安装条件。
2.设备安装在FR4印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹SOT223 。
3.设备安装在FR4印刷电路板;单面铜;镀锡; 1厘米
2
集热器的安装盘。
4.设备安装在FR4印刷电路板;单面铜;镀锡; 6厘米
2
集热器的安装盘。
从结热阻到焊点
T
AMB
≤
25
°C
价值
200
125
89
15
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
2003年11月25
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型中功率晶体管;
20 V ，1 A
BCP68
手册，全页宽
1.20
(4x)
;;;;
;;;;
0.30
4
3.90 4.80 7.65
7.00
3.85
3.60
3.50
焊区
阻焊
占领区
锡膏
7.40
;;;;;;
;;;;;;
1
2
3
1.20 (3x)
1.30 (3x)
5.90
6.15
尺寸（mm） 。
MSA443
图2标准的PCB占位面积为装配SOT223 （回流焊） 。
2003年11月25
5
QQ：2580480828 复制
