BC856W…BC860W
PNP硅外延平面晶体管
用于通用和开关应用
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
BC856W
BC857W
BC858W
BC859W
BC860W
集电极 - 发射极电压
BC856W
BC857W
BC858W
BC859W
BC860W
发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
-V
首席执行官
65
45
30
30
45
5
100
100
200
150
- 55至+ 150
V
-V
CBO
80
50
30
30
50
V
符号
价值
单位
-V
EBO
-I
C
-I
CM
P
合计
T
j
T
S
V
mA
mA
mW
O
C
C
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2
1
/0
6
/2006
BC856W…BC860W
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 2毫安
BC856AW~BC860AW
BC856BW~BC860BW
BC856CW~BC860CW
集电极 - 基极电压
在-I
C
= 10 A
BC856W
BC857W
BC858W
BC859W
BC860W
集电极 - 发射极电压
在-I
C
= 10毫安
BC856W
BC857W
BC858W
BC859W
BC860W
发射极电压
在-I
E
= 1 A
集电极基截止电流
在-V
CB
= 30 V
发射基地截止电流
在-V
EB
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 10毫安， -I
B
- 0.5毫安
-I
C
= 100毫安， -I
B
= 5毫安
基极发射极电压
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 2毫安
-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 10毫安
跃迁频率
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
输出电容
在-V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
-V
首席执行官
65
45
30
30
45
5
-
-
-
-
-
-
-
-
15
100
V
-V
CBO
80
50
30
30
50
-
-
-
-
-
V
h
FE
h
FE
h
FE
125
220
420
250
475
800
-
-
-
符号
分钟。
马克斯。
单位
-V
EBO
-I
CBO
-I
EBO
V
nA
nA
-V
CE （ SAT ）
-
-
0.6
-
100
-
0.3
0.65
0.75
0.82
-
4.5
V
-V
BE
V
f
T
C
ob
兆赫
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2
1
/0
6
/2006
BC856W…BC860W
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2
1
/0
6
/2006
BC856W…BC860W
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2
1
/0
6
/2006
BC 856W ... BC 860W
PNP
通用晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
200毫瓦
SOT-323
0.01 g
1
±0.1
1.25
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
1.3
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
BC 856W
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
2.1
±0.1
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BC 857W
BC 860W
45 V
50 V
5V
200毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 858W
BC 859W
30 V
30 V
特性（T
j
= 25
/
C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10
:
A
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
h
FE
h
FE
（典型值） 。 90
110...220
（典型值） 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
B组
（典型值） 。 150
200...450
（典型值） 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
（典型值） 。 2 * 10
-4
C组
（典型值） 。 270
420...800
（典型值） 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
（典型值） 。 3 * 10
-4
H-参数为 - V
CE
= 5V ， - 我
C
= 2毫安， F = 1千赫
小信号电流增益 - Stromverstrkung
fe
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
1
h
ie
h
oe
h
re
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
16
01.11.2003
通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
- V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
)
F = 200赫兹
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 30 ... 15千赫
BC 856W ...
F
BC 858W
BC 859W ...
BC860W
BC 859W
BC 860W
F
F
–
–
–
–
R
THA
f
T
C
CB0
100兆赫
–
- I
EB0
–
- I
CB0
- I
CB0
–
–
- V
BEON
- V
BEON
600毫伏
–
-V
CESAT
-V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
–
–
–
–
BC 856W ... BC 860W
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
75毫伏
250毫伏
700毫伏
850毫伏
650毫伏
–
–
–
–
–
10 pF的
马克斯。
300毫伏
600毫伏
–
–
750毫伏
820毫伏
15 nA的
4
:
A
100 nA的
–
12 pF的
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
–
–
–
–
10分贝
4分贝
4分贝
4分贝
620 K / W
2
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
BC 856AW = 3A
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen亲典型值
BC 857AW = 3E
BC 858AW = 3J
BC 846W ... BC 850W
BC 856BW = 3B
BC 857BW = 3F
BC 858BW = 3K
BC 859BW = 4B
BC 860BW = 4F
BC 857CW = 3G
BC 858CW = 3L
BC 859CW = 4C
BC 860CW = 4G
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
17
QQ：2880707522 复制
