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> BC860C/T1
分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D088
BC859 ; BC860
PNP通用晶体管
产品speci fi cation
取代1998年的数据07月16日
1999年5月28日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
特点
低电流(最大100 mA时)
低电压(最大45 V ) 。
应用
对音频设备的低噪声输入级。
描述
PNP晶体管在SOT23塑料包装。
NPN补充: BC849和BC850 。
记号
TYPE
数
BC859B
BC859C
记
1.
= P :香港制造。
= T:在马来西亚。
记号
CODE
(1)
4B
4C
TYPE
数
BC860B
BC860C
记号
CODE
(1)
4F
4G
顶视图
手册, halfpage
BC859 ; BC860
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
1
2
MAM256
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
BC859
BC860
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC859
BC860
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
30
45
5
100
200
200
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
30
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年5月28日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC859B ; BC860B
BC859C ; BC860C
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
BC859B ; BC860B ;
BC859C ; BC860C
噪音科幻gure
BC859B ; BC860B ;
BC859C ; BC860C
笔记
1. V
BESAT
减少了约
1.7
毫伏/ K随温度的升高。
2. V
BE
减少了约
2
毫伏/ K随温度的升高。
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
mA
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
毫安;注1
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V ;注意2
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ;注意2
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
500
毫伏; F = 1 MHz的
I
C
=
200 A;
V
CE
=
5
V ;
S
= 2 k;
F = 30赫兹到15千赫兹
I
C
=
200 A;
V
CE
=
5
V ;
S
= 2 k;
F = 1千赫B = 200赫兹
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V;
参见图2和图3
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BC859 ; BC860
价值
500
单位
K / W
分钟。
220
420
600
典型值。
1
75
250
700
850
650
4.5
10
马克斯。
15
4
100
475
800
300
650
750
820
4
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的100
4
dB
1999年5月28日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
BC859 ; BC860
手册,全页宽
400
MBH727
的hFE
VCE =
5
V
300
200
100
0
10
2
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC859B ; BC860B 。
图2直流电流增益;典型值。
手册,全页宽
600
MBH728
的hFE
500
VCE =
5
V
400
300
200
100
0
10
2
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC859C ; BC860C 。
图3直流电流增益;典型值。
1999年5月28日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BC859 ; BC860
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年5月28日
5
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BC860C/T1
PDF信息
推荐型号
B43505A5227M002
B43511A9477M000
BYV255V50
BIM2006/16BLK
BL03RN2-R62
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B43304A9187M000
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