恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BC859
BC860
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC859
BC860
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
分钟。
BC859 ; BC860
马克斯。
30
50
30
45
5
100
200
200
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
价值
500
单位
K / W
2004年01月16日
3
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
公元前856 ...公元前860
PNP
通用晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
公元前856
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BC八百六十零分之八百五十七
45 V
50 V
5V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 859分之858
30 V
30 V
特性（T
j
= 25
/
C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10
:
A
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstrkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
1
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
B组
（典型值） 。 150
200...450
C组
（典型值） 。 270
420...800
h
FE
h
FE
（典型值） 。 90
110...220
H-参数为 - V
CE
= 5V ， - 我
C
= 2毫安， F = 1千赫
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
（典型值） 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
（典型值） 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
（典型值） 。 2 * 10
-4
（典型值） 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
（典型值） 。 3 * 10
-4
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
14
01.11.2003
通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
- V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
)
F = 200赫兹
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 30 ... 15千赫
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 10 ... 50赫兹
公元前856 ...
F
公元前858
BC八百六十○分之八百五十九
公元前859
公元前860
F
F
F
–
–
–
–
f
T
C
CB0
100兆赫
–
–
–
- I
EB0
–
–
- I
CB0
- I
CB0
–
–
–
–
- V
BEON
- V
BEON
600毫伏
–
-V
CESAT
-V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
–
–
–
–
公元前856 ...公元前860
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
90毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
650毫伏
–
马克斯。
250毫伏
600毫伏
–
–
750毫伏
820毫伏
15 nA的
5
:
A
100 nA的
–
6 pF的
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
2分贝
1分贝
1.2分贝
1.2分贝
10分贝
4分贝
4分贝
4分贝
0.11
:
V
420 K / W
2
)
等效噪声电压 - quivalente Rauschspannung
公元前860
u
F
–
R
THA
公元前846 ...公元前850
BC 856A = 3A
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen亲典型值
BC 857A = 3E
BC 858A = 3J
BC 856B = 3B
BC 857B = 3F
BC 858B = 3K
BC 859B = 4B
BC 860B = 4F
BC 857C = 3G
BC 858C = 3L
BC 859C = 4C
公元前860 = 4G
–
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
15
BC856...BC860
PNP硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型： BC846 ， BC847 ， BC848
BC849 ， BC850 （ NPN ）
3
2
1
VPS05161
TYPE
BC856A
BC856B
BC857A
BC857B
BC857C
BC858A
BC858B
BC858C
BC859A
BC859B
BC859C
BC860B
BC860C
记号
3As
3Bs
3Es
3Fs
3Gs
3Js
3Ks
3Ls
4As
4Bs
4Cs
4Fs
4Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
1
Dec-11-2001
商标
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旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
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补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
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恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
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