BC857BF...BC860BF
PNP硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型： BC847BF ， BC848BF
BC849BF ， BC850BF （ NPN ）
TYPE
记号
引脚配置
包
3
1
2
BC857BF
BC858BF
BC859BF
BC860BF
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BC857BF ， BC860BF
BC858BF ， BC859BF
集电极 - 发射极电压
BC857BF ， BC860BF
BC858BF ， BC859BF
集电极 - 基极电压
BC857BF ， BC860BF
BC858BF ， BC859BF
发射极 - 基极电压
BC857BF ， BC860BF
BC858BF ， BC859BF
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
3Fs
3Ks
4Bs
4Fs
1=B
1=B
1=B
1=B
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
TSFP-3
TSFP-3
TSFP-3
TSFP-3
符号
V
首席执行官
价值
45
30
单位
V
V
CES
50
30
V
CBO
50
30
V
EBO
5
5
I
C
I
CM
I
BM
I
EM
P
合计
T
j
T
英镑
1
100
200
200
200
250
150
-65 ... 150
mA
mA
mW
°C
总功耗，
T
S
≤
128°C
结温
储存温度
Jun-16-2004
BC857BF...BC860BF
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
符号
R
thjs
价值
≤
90
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
单位
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 mA时， BC857BF ， BC860BF
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 mA时， BC858BF ， BC859BF
45
30
V
（ BR ） CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0 mA时， BC857BF ， BC860BF
I
C
= 10 A,
I
E
= 0 mA时， BC858BF ， BC859BF
50
30
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0 V ， BC857BF ， BC860BF
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0 V ， BC858BF ， BC859BF
50
30
V
（ BR ） EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1 A,
I
C
= 0 A
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 A
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 A,
T
A
= 150 °C
-
-
h
FE
-
-
250
290
75
250
700
850
650
-
0.015
5
-
-
475
mV
300
650
-
-
750
820
直流电流增益
2)
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
-
220
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
2)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BESAT
基极发射极饱和电压
2)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BE（上）
基射极电压
2)
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
2
脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％
600
-
1
对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
Jun-16-2004
QQ：2880707522 复制
