【BC846T...BC850TNPN硅晶体管自动对焦对于AF输入级和驱动器应用高电流增益低集电极 -】,IC型号BC859T,BC859T PDF资料,BC859T经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第441页 > BC859T

BC846T...BC850T

NPN硅晶体管自动对焦

对于AF输入级和驱动器应用

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

30 Hz至15 kHz的低噪音

互补类型：

BC856T ， BC857T ，

BC858T ， BC859T ， BC860T

BC846AT

BC846BT

BC847AT

BC847BT

BC847CT

BC848AT

BC848BT

BC848CT

BC849BT

BC849CT

BC850BT

BC850CT

3

2

1

VPS05996

TYPE

记号

1As

1Bs

1Es

1Fs

1Gs

1Js

1Ks

1Ls

2Bs

2cs

2Fs

2Gs

1=B

1=B

1=B

1=B

1=B

1=B

1=B

1=B

1=B

1=B

1=B

1=B

引脚配置

2=E

2=E

2=E

2=E

2=E

2=E

2=E

2=E

2=E

2=E

2=E

2=E

3=C

3=C

3=C

3=C

3=C

3=C

3=C

3=C

3=C

3=C

3=C

3=C

包

SC75

SC75

SC75

SC75

SC75

SC75

SC75

SC75

SC75

SC75

SC75

SC75

1

Aug-01-2002

BC846T...BC850T

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

峰值发射极电流

总功耗，

T

S

= 109 °C

结温

储存温度

热阻

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

I

EM

P

合计

T

j

T

英镑

R

thjs

BC846T

65

80

80

6

BC847T BC848T

BC850T BC849T

45

50

50

6

100

200

200

200

250

150

-65 ... 150

30

30

30

5

单位

V

mA

mA

mW

°C

结 - 焊接点

1)

165

K / W

单位

马克斯。

V

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

BC846T

BC847T/BC850T

BC848T/BC849T

V

（ BR ） CBO

80

50

30

-

-

-

-

-

-

BC846T

BC847T/850T

BC848T/849T

V

（ BR ） CEO

65

45

30

-

-

-

-

-

-

典型值。

集电极 - 基极击穿电压

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

2

Aug-01-2002

BC846T...BC850T

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10 A,

V

BE

= 0

I

C

= 10 A,

V

BE

= 0

I

C

= 10 A,

V

BE

= 0

I

E

= 1 A,

I

C

= 0

I

E

= 1 A,

I

C

= 0

I

E

= 1 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

直流电流增益1 ）

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

直流电流增益1 ）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极电压1）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

1 ）脉冲测试：吨

≤=

300

S，D = 2 ％

单位

马克斯。

V

典型值。

V

（ BR ） CES

65

50

30

V

（ BR ） EBO

6

6

5

I

CBO

I

CBO

h

FE

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

15

5

-

-

-

-

-

-

BC846T

BC847T/850T

BC848T/849T

BC846T

BC847T/BC850T

BC848T/BC849T

发射极 - 基极击穿电压

nA

A

-

h

FE

-group一

h

FE

乙类

h

FE

-group

h

FE

h

FE

-group一

h

FE

乙类

h

FE

-group

V

CESAT

-

-

-

110

200

420

-

-

V

BESAT

-

-

V

BE（上）

580

-

140

250

480

180

290

520

90

200

700

900

660

-

-

-

-

220

450

800

mV

250

600

-

-

700

770

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

3

Aug-01-2002

BC846T...BC850T

电气Characteristicsat

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

开路输出导纳

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

HFE- A组

HFE- B组

HFE- C组

HFE- A组

HFE- B组

HFE- C组

h

12e

-

-

-

h

21e

-

-

-

h

22e

-

-

-

18

30

60

-

-

-

200

330

600

-

-

-

S

1.5

2

3

-

-

-

-

HFE- A组

HFE- B组

HFE- C组

HFE- A组

HFE- B组

HFE- C组

-

-

-

2.7

4.7

8.7

-

-

-

10

-4

短路输入阻抗

C

eb

h

11e

-

8

-

k

C

cb

-

3

-

pF

f

T

-

250

-

兆赫

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

开路反向电压transf.ratio

短路正向电流transf.ratio

4

Aug-01-2002

BC846T...BC850T

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

AC特性

噪声系数

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

等效噪声电压

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

f

= 10 ... 50赫兹

F

f

= 200赫兹

f

= 200赫兹

典型值。

马克斯。

单位

dB

-

-

-

1.2

1

-

4

4

0.135 V

f

= 1千赫，

f

= 1千赫，

BC849T

BC850T

V

n

BC850T

5

Aug-01-2002

查看更多BC859TPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

BC859T

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

BC859T

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

北京上用科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

BC859T

√ 欧美㊣品

▲10/11+

9383

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

查询更多BC859T供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！