BC856ALT1G系列
通用
晶体管
PNP硅
特点
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这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
集热器
3
1
BASE
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC856
BC857
BC858 ， BC859
BC856
BC857
BC858 ， BC859
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
5.0
100
单位
V
2
辐射源
3
V
1
2
V
MADC
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
CASE 318
类型6
集电极 - 基极电压
V
CBO
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
V
EBO
I
C
符号
P
D
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
最大
225
1.8
556
单位
标记图
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1
300
2.4
417
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
xx
M
G
=器件代码
XX = （参见第6页）
=日期代码*
= Pb-Free包装
XX M
G
G
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024 99.5 ％的氧化铝。
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
启示录11
1
出版订单号：
BC856ALT1/D
BC856ALT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
=
10
毫安）
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
=
10
毫安，
V
EB
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
=
10
毫安）
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=
1.0
毫安）
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857A ， BC857B只有
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
5.0
5.0
5.0
125
220
420
V
CE （ SAT ）
0.6
100
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
15
4.0
250
475
800
V
0.3
0.65
V
V
0.75
0.82
4.5
兆赫
pF
dB
10
4.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（V
CB
=
30
V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
30
V，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
=
10
毫安，
V
CE
=
5.0
V)
(I
C
=
2.0
毫安，V
CE
=
5.0
V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C ， BC858C
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
I
CBO
nA
mA
h
FE
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
=
10
妈，我
B
=
0.5
毫安）
(I
C
=
100
妈，我
B
=
5.0
毫安）
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
=
10
妈，我
B
=
0.5
毫安）
(I
C
=
100
妈，我
B
=
5.0
毫安）
BASE
：辐射源
ON电压
(I
C
=
2.0
毫安，V
CE
=
5.0
V)
(I
C
=
10
毫安，V
CE
=
5.0
V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
=
10
毫安，V
CE
=
5.0
VDC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
=
10
V，F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
=
0.2
毫安，V
CE
=
5.0
VDC ，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC856 ， BC857 ， BC858系列
BC859系列
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
ob
NF
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2
BC856ALT1G系列
BC856
-1.0
HFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= -5.0 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
-0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
-0.6
V
BE
@ V
CE
= -5.0 V
-0.4
-0.2
0.2
0
-0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
-1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200
I
C
，集电极电流（毫安）
-0.5
-5.0 -10 -20
-50 -100 -200
-1.0 -2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
-0.1 -0.2
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
-2.0
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-1.0
-1.6
I
C
=
-10毫安
-20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
-1.4
-1.2
-1.8
q
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
-0.8
-2.2
-0.4
T
J
= 25°C
0
-0.02
-0.05 -0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0
-10
-20
-2.6
-3.0
-0.2
-0.5 -1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100 -200
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
500
V
CE
= -5.0 V
200
100
50
10
8.0
6.0
4.0
2.0
-0.1 -0.2
C
ob
20
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
V
R
，反向电压（伏）
-50 -100
-100
-1.0
-10
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益
带宽积
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
