BC846
BC848
BC850
参数
BC847
BC849
电气特性（续）
符号
h
ie
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
第六组
A组
B组
C组
第六组
A组
h
re
典型值
典型值
典型值
典型值
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
第六组
A组
B组
C组
h
oe
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
20
40
18
30
30
60
60
110
60
110
60
110
450
600
900
20
40
18
30
2.5
1.5
2
75
110
150
125
220
260
2.5
1.5
2
75
110
150
125
220
260
BC846 BC847 BC848 BC849 BC850
单位条件。
k
k
k
k
k
k
k
k
k
动态
第六组
特征
A组
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
3.2
4.5
8.5
6
8.7
15
2.5
1.5
2
3
75
110
150
125
220
260
240
330
500
450
600
900
20
40
18
30
B组
C组
6
8.7
15
2
3
6
8.7
15
2
3
k
k
k
x10
-4
x10
-4
x10
-4
x10
-4
h
fe
V
CE
=5V
Ic=2mA
B组
C组
450
600
900
450
600
900
s
s
s
s
s
s
s
s
BC846
BC848
BC850
参数
BC847
BC849
电气特性（续）
符号
h
ie
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
第六组
A组
B组
C组
第六组
A组
h
re
典型值
典型值
典型值
典型值
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
第六组
A组
B组
C组
h
oe
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
20
40
18
30
30
60
60
110
60
110
60
110
450
600
900
20
40
18
30
2.5
1.5
2
75
110
150
125
220
260
2.5
1.5
2
75
110
150
125
220
260
BC846 BC847 BC848 BC849 BC850
单位条件。
k
k
k
k
k
k
k
k
k
动态
第六组
特征
A组
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
3.2
4.5
8.5
6
8.7
15
2.5
1.5
2
3
75
110
150
125
220
260
240
330
500
450
600
900
20
40
18
30
B组
C组
6
8.7
15
2
3
6
8.7
15
2
3
k
k
k
x10
-4
x10
-4
x10
-4
x10
-4
h
fe
V
CE
=5V
Ic=2mA
B组
C组
450
600
900
450
600
900
s
s
s
s
s
s
s
s
BC856 BC860 ...
BC856 BC860 ...
PNP
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
1.1
PNP
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
版本2011-07-11
塑料外壳
Kunststoffgehuse
±0.1
TYPE
CODE
1
1.9
2
2.5最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC856
BC857
BC860
45 V
50 V
5V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
BC858
BC859
30 V
30 V
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
首席执行官
- V
CBO
- V
EBO
P
合计
- I
C
- I
CM
T
j
T
S
65 V
80 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 A
A组
B组
C组
A组
B组
C组
H
FE
h
FE
h
FE
H
FE
h
FE
h
FE
- V
CESAT
- V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
–
–
–
125
220
420
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
90
150
270
180
290
520
–
–
700毫伏
900毫伏
马克斯。
–
–
–
250
475
800
300毫伏
650毫伏
–
–
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2％
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BC856 BC860 ...
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
- V
CE
= 5 V，I
C
= - 2毫安
- V
CE
= 5 V，I
C
= - 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
- V
CB
= 30 V ， （E打开）
- V
CE
= 30 V ，T
j
= 125°C ， （E打开）
发射基截止电流
- V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
- V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
- V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200 A
R
G
= 2 kΩ的， F = 1 kHz时， ΔF = 200赫兹
BC856 BC858 ...
BC859 BC860 ...
F
F
R
THA
–
–
2分贝
1.2分贝
< 420 K / W
1
)
BC846 BC850 ...
BC856A = 3A
BC856B = 3B
BC857A = 3E
BC857B = 3F
BC857C = 3G
BC860B = 3F
BC860C
= 3G或4G
BC858A = 3E
BC858B = 3F
BC858C = 3G
BC859B = 3F
BC859C
= 3G或4C
10分贝
4分贝
C
EB0
–
9 pF的
–
C
CBO
–
–
4.5 pF的
f
T
100兆赫
–
–
- I
EBO
–
–
100 nA的
- I
CBO
- I
CBO
–
–
–
–
15 nA的
4 A
- V
BE
- V
BE
600毫伏
–
–
–
750毫伏
720毫伏
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
可用电流增益组标记
Stempelung德lieferbaren
Stromverstrkungsgruppen
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2％
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
BC856系列
数据表
PNP通用晶体管
225毫瓦
动力
电压
65/45/30伏特
特点
通用运算放大器应用
NPN硅外延，平面设计
集电极电流Ic = -100mA
免费（ PnP）设备： BC846 / BC847 / BC848 / BC849系列
符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
机械数据
案例： SOT -23
码头：每MIL -STD- 750 ，方法2026
大约重量： 0.008克
器件标识：
B C 856A = 56A
B C 856B = 56B
B C 857A = 57A
B C 857B = 57B
B C 857C = 57C
B C 858A = 58A
B C 858B = 58B
B C 858C = 58℃
B C 859B = 59B
B C 859C = 59C
顶视图
3
集热器
3
集热器
1
BASE
1
BASE
2
辐射源
2
辐射源
绝对最大额定值
PA RA M E TE
C 0 LLE 至R -E MI TTE 武LTA克é
C 0 LLE C到R-B A S é武LTA克é
MI TTE R-B A S é武LTA克é
C 0 L L权证吨 R C乌尔鄂西北 - C NT I傩我们
马X P o我们R D所I S的I P A TI 0：N （无德1 ）
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
S YM B○升
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
合计
T
J
, T
s TG
BC856
-65
-80
BC857
-45
-50
-5
-100
225
BC858
BC859
-30
-30
加利它s
V
V
V
mA
mW
- 5 0到+ 1 5 0
O
C
REV.0.1-FEB.9.2009
PAGE 。 1
BC856系列
热特性
参数
热阻，结到环境
符号
R
θJA
价值
556
单位
O
C / W
注1 ：晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062的最小焊盘布局。
EL ECTRICAL特性（T
J
= 25℃，除非另有说明）
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -10mA ，我
B
=0)
BC856A,B
BC857A ， B，C V
（ BR ）
首席执行官
BC858A ， B，C ， BC859B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= -10μA ，我
E
=0)
BC856A,B
BC857A ， B，C V
（ BR ）
CBO
BC858A ， B，C ， BC859B ，C
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= -1μA ，我
C
=0)
V
（ BR ）
EBO
I
EBO
符号
分钟。
-65
-45
-30
-80
-50
-30
-5.0
-
-
T
J
=150
O
C
直流电流增益
(I
C
= -10μA ，V
CE
=-5V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
h
FE
(I
C
= -2.0mA ，V
CE
=-5V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -10mA ，我
B
=-0.5mA)
V
CE （ SAT ）
(I
C
= -100mA ，我
B
=-5.0mA)
基地 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10mA ，我
B
=-0.5mA)
V
BE （ SAT ）
(I
C
= -100mA ，我
B
=-5.0mA)
基地 - 发射极电压上
(I
C
= -2.0mA ，V
CE
=-5.0V)
V
BE（上）
(I
C
= -10mA ，V
CE
=-5.0V)
集电极 - 基极电容
电流增益 - 带宽积
F
T
(I
C
= -10mA ，V
CE
= -5.0V ， F = 100MHz时）
REV.0.1-FEB.9.2009
PAGE 。 2
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
150
270
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-100
-15
-4.0
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
uA
发射基截止电流（V
EB
=-5V)
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= -30V ，我
E
=0)
I
CBO
-
-
-
-
-
110
200
420
-
-
-
-
-0.60
-
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
-
-
-
220
450
800
-0.3
V
-0.65
-
V
-
-0.75
V
-0.82
4.5
pF
(V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的）
C
CB
-
-
200
-
兆赫
BC856系列
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改，恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
REV.0.1-FEB.9.2009
PAGE 。 4
商标
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旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BC859
BC860
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC859
BC860
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
分钟。
BC859 ; BC860
马克斯。
30
50
30
45
5
100
200
200
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
价值
500
单位
K / W
2004年01月16日
3
BC859
PNP硅外延平面晶体管
用于切换自动对焦和放大器应用。
该晶体管被分成三个组A，B
和C ，根据其DC电流增益。
互补型NPN晶体管BC849是
推荐使用。
SOT- 23塑料包装
绝对最大额定值（T
a
=25
O
C)
符号
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
功耗
热阻结到环境空气
热阻结到衬底背面
结温
存储温度范围
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
CES
-V
EBO
-I
C
-I
CM
-I
BM
I
EM
P
合计
R
θJA
R
ΔSb
T
J
T
S
价值
30
30
30
5
100
200
200
200
200
450
320
150
-65到+150
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
O
C / W
C / W
O
O
C
C
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/10/2005
BC859
特点在T
a
=25
O
C
符号
H-参数为-V
CE
= 5V ， -I
C
= 2毫安中，f = 1KHz的
电流增益
电流增益组
A
B
C
输入阻抗
电流增益A组
B
C
输出导纳
电流增益组
A
B
C
反向VoltageTransfer比
电流增益A组
B
C
直流电流增益
在-V
CE
= 5V ， -I
C
=2mA
电流增益组
A
B
C
h
FE
h
FE
h
FE
-V
CESAT
-V
CESAT
-V
BE（上）
-V
BE（上）
-I
CBO
-I
CBO
110
200
420
-
-
-
220
450
800
-
-
-
h
fe
h
fe
h
fe
h
ie
h
ie
h
ie
h
oe
h
oe
h
oe
h
re
h
re
h
re
-
-
-
1.6
3.2
6.0
-
-
-
-
-
-
220
330
600
2.7
4.5
8.7
18
30
60
1.5 10
2 10
3 10
.
.
.
-4
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
-
4.5
8.5
15
30
60
110
-
-
-
单位
-
-
-
K
K
K
S
S
S
-
-
-
-4
-4
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 10毫安， -I
B
=0.5mA
在-I
C
= 100mA时-I
B
=5mA
基射极电压上
在-I
C
= 2毫安， -V
CE
=5V
在-I
C
= 10毫安， -V
CE
=5V
收藏家Cuto FF电流
在-V
CB
=30V
在-V
CB
= 30V ，T
J
=150
O
C
-
-
600
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
650
750
820
15
5
mV
mV
mV
mV
nA
A
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/10/2005
BC859
特点在T
AMB
=25
O
C
符号
增益带宽积
在-V
CE
= 5V ， -I
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
集电极电容基地
在-V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
噪声系数
在-I
C
= 200μA ， -V
CE
= 5V ，R
G
= 2KΩ ， F = 1.0kHz ，
Δf=200Hz
在-I
C
= 200μA ， -V
CE
= 5V ，R
G
= 2KΩ ， F = 30 ... 15000Hz
F
F
-
-
-
-
4
4
dB
dB
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
f
T
C
CBO
-
-
150
-
-
6
兆赫
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/10/2005
BC859
受理的功耗
与基板背面的温度
集电极电流
与基极发射极电压
mW
500
mA
2
10
5
4
3
2
-V
CE
=5V
Tamb=25
o
C
400
10
P
合计
300
-I
C
5
4
3
2
200
1
100
5
4
3
2
0
0
100
200
o
C
T
SB
10
-1
0
0.5
1V
-V
BE
脉冲热电阻
与脉冲持续时间（标准化）
增益带宽积
与集电极电流
10
5
4
3
2
0.5
兆赫
10
3
7
5
4
3
Tamb=25
o
C
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
-1
r
THSB
R
THSB
5
4
3
2
f
T
2
-V
CE
=10V
5V
2V
10
2
7
5
4
tp
tp
v=
T
T
P
I
3
2
10
-2
5
4
3
2
5
-3
v=0
10
-3
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1s
t
p
10
0.1
2
5
1
2
5
10
2
5
100mA
-I
C
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/10/2005
BC859
集电极饱和电压
与集电极电流
直流电流增益
与集电极电流
V
0.5
-I
C
/-I
B
=20
10
3
-V
CE
=5V
5
4
3
2
100 C
o
o
0.4
10
2
-V
CESAT
0.3
h
FE
5
4
3
2
TAMB = 100℃
o
=2 5
TAMB
C
o
-50 C
0.2
o
10
25 C
5
4
3
2
0.1
-50
o
C
0
10
-1 2
5
1
2
5
10
2
5
10
2
mA
1
10
-2
10
-1
1
10
10
2
mA
-I
C
-I
C
噪声系数
与集电极电流
噪声系数
集电极与发射极电压
dB
20
18
16
F
14
12
10
-V
CE
=5V
f=1KHz
Tamb=25
o
C
100K
dB
20
18
16
-I
C
=0.2mA
R
G
=2K
f=1KHz
o
环境温度Tamb = 25℃
500
R
G
=1M
10K
F
14
12
1K
10
8
6
8
6
4
2
0
10
-3
10
-2
10
-1
1
10毫安
-I
C
500
4
2
0
10
-1 2
5
1
2
5
10
2
5
10
2
V
-V
CE
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/10/2005
BC856- BC860 PNP外延硅晶体管
2006年8月
BC856- BC860
PNP外延硅晶体管
特点
开关和放大器的应用
适用于自动插入厚薄膜电路
低噪声： BC859 ， BC860
补到BC846 BC850 ...
2
1
3
tm
SOT-23
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值*
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
： BC856
： BC857 / 860
： BC858 / 859
价值
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
-100
310
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： BC856
： BC857 / 860
： BC858 / 859
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散功率
结温
储存温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
NF
参数
集电极截止电流
直流电流增益
测试条件
V
CB
= -30V ，我
E
=0
V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA
分钟。
110
典型值。
马克斯。
-15
800
单位
nA
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA
基射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
： BC856 /八百五十八分之八百五十七
： BC859 / 860
： BC859
： BC860
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA
f=100MHz
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -5V ，我
C
= -200A
R
G
= 2KΩ中，f = 1KHz的
V
CE
= -5V ，我
C
= -200A
R
G
= 2KΩ ， F = 30 15000Hz
-600
-90
-250
-700
-900
-660
150
-300
-650
mV
mV
mV
mV
-750
-800
mV
mV
兆赫
6
2
1
1.2
1.2
10
4
4
2
pF
dB
dB
dB
dB
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
BC856- BC860版本B
BC856- BC860 PNP外延硅晶体管
h
FE
分类
分类
h
FE
A
110 ~ 220
B
200 ~ 450
C
420 ~ 800
订购信息
设备
(note1)
BC856AMTF
BC856BMTF
BC856CMTF
BC857AMTF
BC857BMTF
BC857CMTF
BC858AMTF
BC858BMTF
BC858CMTF
BC859AMTF
BC859BMTF
BC859CMTF
BC860AMTF
BC860BMTF
BC860CMTF
注1 ：
器件标识
9AA
9AB
9AC
9BA
9BB
9BC
9CA
9CB
9CC
9DA
9DB
9DC
9EA
9EB
9EC
包
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
包装方法
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
数量（PCS ）
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
销Difinitions
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
缀“ -A，-B ，-C ”指的hFE分类。
贴上“ M”指的磨砂型封装。
贴上“ -TF ”是指磁带&卷筒式包装。
2
BC856- BC860版本B
www.fairchildsemi.com
BC856- BC860 PNP外延硅晶体管
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利
提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何责任
任何产品或电路此处所述，它也没有传达任何许可根据其专利权，也不是
他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款的，特殊
CIFICALLY所述的保修涵盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，但不
飞兆半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统设备或其中， （一）是系统
打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，或
（三）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件
其不履行可以合理预期造成的故障
生命支持设备或系统的，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I20
5
BC856- BC860版本B
www.fairchildsemi.com
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