BC 856W ... BC 860W
PNP
通用晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
200毫瓦
SOT-323
0.01 g
1
±0.1
1.25
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
1.3
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
BC 856W
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
2.1
±0.1
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BC 857W
BC 860W
45 V
50 V
5V
200毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 858W
BC 859W
30 V
30 V
特性（T
j
= 25
/
C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10
:
A
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
h
FE
h
FE
（典型值） 。 90
110...220
（典型值） 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
B组
（典型值） 。 150
200...450
（典型值） 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
（典型值） 。 2 * 10
-4
C组
（典型值） 。 270
420...800
（典型值） 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
（典型值） 。 3 * 10
-4
H-参数为 - V
CE
= 5V ， - 我
C
= 2毫安， F = 1千赫
小信号电流增益 - Stromverstrkung
fe
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
1
h
ie
h
oe
h
re
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
16
01.11.2003
通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
- V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
)
F = 200赫兹
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 30 ... 15千赫
BC 856W ...
F
BC 858W
BC 859W ...
BC860W
BC 859W
BC 860W
F
F
–
–
–
–
R
THA
f
T
C
CB0
100兆赫
–
- I
EB0
–
- I
CB0
- I
CB0
–
–
- V
BEON
- V
BEON
600毫伏
–
-V
CESAT
-V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
–
–
–
–
BC 856W ... BC 860W
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
75毫伏
250毫伏
700毫伏
850毫伏
650毫伏
–
–
–
–
–
10 pF的
马克斯。
300毫伏
600毫伏
–
–
750毫伏
820毫伏
15 nA的
4
:
A
100 nA的
–
12 pF的
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
–
–
–
–
10分贝
4分贝
4分贝
4分贝
620 K / W
2
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
BC 856AW = 3A
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen亲典型值
BC 857AW = 3E
BC 858AW = 3J
BC 846W ... BC 850W
BC 856BW = 3B
BC 857BW = 3F
BC 858BW = 3K
BC 859BW = 4B
BC 860BW = 4F
BC 857CW = 3G
BC 858CW = 3L
BC 859CW = 4C
BC 860CW = 4G
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
17
BC856W ... BC859W
BC856W ... BC859W
PNP
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
PNP
200毫瓦
SOT-323
0.01 g
版本2006-06-27
1
±0.1
1.25
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
1.3
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
2.1
±0.1
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC856W
BC857W
45 V
50 V
5V
200毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
BC858W
BC859W
30 V
30 V
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor - 发射极Spannung B开
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
ê开放
c打开
- V
CBO
- V
首席执行官
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 A
A组
B组
C组
A组
B组
C组
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
- V
CESAT
- V
CESAT
–
–
–
125
220
420
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
140
250
480
180
290
520
75毫伏
250毫伏
马克斯。
–
–
–
250
475
800
300毫伏
650毫伏
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BC856W ... BC859W
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
- V
CB
= 30 V ， （E打开）
- V
CE
= 30 V ，T
j
= 125°C ， （E打开）
发射基截止电流
- V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
- V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
- V
EB
= 0.5 V,
I
C
= i
c
= 0,
F = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200 μA ，R
G
= 2 k
F = 1千赫
Δf
= 200赫兹
BC856W ... BC858W
BC859W
F
F
R
THA
–
–
–
1分贝
< 620 K / W
1
)
BC846W ... BC849W
BC856AW = 3A
BC857AW = 3E
BC858AW = 3J
BC856BW = 3B
BC857BW = 3F
BC858BW = 3K
BC859BW = 4B
BC857CW = 3G
BC858CW = 3L
BC859CW = 4C
10分贝
4分贝
C
EB0
–
10 pF的
15 pF的
C
CBO
–
–
4.5 pF的
f
T
100兆赫
–
–
- I
EB0
–
–
100 nA的
- I
CB0
- I
CB0
–
–
–
–
15 nA的
5 A
- V
BE
- V
BE
600毫伏
–
650毫伏
–
750毫伏
820毫伏
- V
BESAT
- V
BESAT
–
–
700毫伏
850毫伏
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbare Stromverstrkungs-
GRUPPEN亲典型值
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大65V）时。
应用
通用的开关和放大。
描述
PNP晶体管在SOT323塑料包装。
NPN补充： BC846W ， BC847W和BC848W 。
记号
类型编号
BC856W
BC856AW
BC856BW
BC857W
BC857AW
BC857BW
BC857CW
BC858W
记
1. * = - ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
标识代码
(1)
3D*
3A*
3B*
3H*
3E*
3F*
3G*
3M*
Fig.1
1
顶视图
手册， halfpage
BC856W ; BC857W ;
BC858W
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
2
MAM048
简化外形（ SOT323 ， SC70 ）和
符号。
2002年2月04
2
BC856AW BC859CW
PNP通用晶体管
电压
特点
0.087(2.20)
0.078(2.00)
30/45/65伏特
当前
200毫瓦
PNP硅外延，平面设计
集电极电流I
C
= 100毫安
免费（ NPN ）设备： BC846W / BC847W / BC848W /
BC849W系列
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
0.087(2.20)
0.070(1.80)
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
机械数据
案例： SOT- 323 ，塑料
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
约。重量：0.0001盎司， 0.005克
0.016(0.40)
0.008(0.20)
0.004(0.10)MAX.
0.044(1.10)
0.035(0.90)
器件标识：
BC856AW=56A
BC856BW=56B
BC857AW=57A
BC857BW=57B
BC857CW=57C
BC858AW=58A
BC858BW=58B
BC858CW=58C
BC859BW=59B
BC859CW=59C
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BC856W
BC857W
BC858W ， BC859W
BC856W
BC857W
BC858W ， BC859W
BC856W
BC857W
BC858W ， BC859W
符号
V
首席执行官
价值
-65
-45
-30
-80
-50
-30
6.0
6.0
-5.0
-100
200
-55到150
-55到150
单位
V
0.004(0.10)MIN.
通用放大器应用
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
最大功率耗散（注1 ）
存储温度范围
结温范围
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
J
V
mA
mW
O
C
C
O
十二月17,2010 - REV.00
PAGE 。 1
BC856AW BC859CW
热特性
参数
符号
价值
单位
热阻
R
θJA
R
θJC
400
100
O
C / W
注1 ：晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸
电气特性（T
J
=25
O
C，除非另有说明）
PA RA M E TE
C 0 LLE C到的R - é英里TTE 重新akdo WN武LTA阁B
( I
C
= - 1 0 mA时，我
B
= 0 )
C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B
( I
C
= - 1 0
μ
A，I
E
= 0 )
英里TTE -B一个发E B再A K D 2 O W N武LTA克é
( I
E
= - 1微安，我
C
= 0 )
英里TTE -B A S式C反对派FF C-UR重新新台币
( V
E B
= -5 V )
C 0 LLE C到R- B A S式C反对派FF C-UR重新新台币
( V
C B
-3 = 0 V，I
E
= 0 )
C C URR鄂西北嘎I N
( I
C
= - 1 0
μ
A，V
权证
= - 5 V )
C C URR鄂西北嘎I N
( I
C
= - 2 0.0米A，V
权证
= - 5 V )
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 5 0
O
C
公元前8 5 6 公元前8 5 8秒uffi X " AW "
公元前8 5 6 公元前8 5 9 S uffi X " BW "
公元前8 5 7 公元前8 5 9 S uffi X " CW "
公元前8 5 6 公元前8 5 8秒uffi X " AW "
公元前8 5 6 公元前8 5 9 S uffi X " BW "
公元前8 5 7 公元前8 5 9 S uffi X " CW "
( I
C
= -1 0米A，I
B
= - 0 0.5米A）
( I
C
= - 1 0 0微米的，我
B
= - 5 0.0米A）
( I
C
= -1 0米A，I
B
= - 0 0.5米A）
( I
C
= - 1 0 0微米的，我
B
= - 5 0.0米A）
( I
C
= -2米A，V
权证
= -5 .0 V )
( I
C
= -1 0米A，V
权证
= -5 .0 V )
( V
C B
-1 = 0 V，I
E
= 0中，f = 1 M·H
Z
)
B C 8 5 6仙，B W
B C 8 5 7 AW / B W / C W，
B C 8 5 8 AW / B W / C W， B C 8 5 9 B W / C宽
B C 8 5 6仙，B W
B C 8 5 7 AW / B W / C W，
B C 8 5 8 AW / B W / C W， B C 8 5 9 B W / C宽
S YM B○升
分钟。
-65
-45
-30
-80
-50
-30
- 5 .0
典型值。
马克斯。
UNI TS
V
（ B R ）
权证
-
-
V
V
（ B R ）
C B
-
-
V
V
（ B R ）
E B
-
-
V
I
E B
I
C B
-
-
-1 0 0
-1 5
- 4 .0
nA
nA
μA
-
-
90
150
270
180
290
520
-
-
- 0 .7
- 0 .9
-
-
-
200
h
F ê
-
-
-
h
F ê
11 0
200
420
-
-
-
-
- 0 .6 0
-
-
-
220
450
800
- 0 .3
- 0 .6 5
-
-
- 0 .7 5
- 0 .8 2
4 .5
-
-
C 0 LLE C到的R - é英里TTE R 5对武LTA戈图拉缇
B一个发E - ê M I TTE R 5一土拉TI 0：N武LTA克é
B一个发E - ê M I TTE 武LTA克é
C 0 LLE C到的R - B A S式C一P A C I TA NC ê
urre NT-嘎我N-乙钕无线个P ，R 0 UC吨
( I
C
= - 1 0 mA时， V
权证
= -5 0.0 V，F = 1 0 0 MH
Z
)
V
权证（S AT ）
V
B E（ AT ）
V
B E（ ON）
C
CB
F.
V
V
V
pF
M·H
Z
十二月17,2010 - REV.00
PAGE 。 2
BC856AW BC859CW
贴装焊盘布局
SOT-323
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
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版权所有强茂国际有限公司2010
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十二月17,2010 - REV.00
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BC856W…BC860W
PNP硅外延平面晶体管
用于通用和开关应用
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
BC856W
BC857W
BC858W
BC859W
BC860W
集电极 - 发射极电压
BC856W
BC857W
BC858W
BC859W
BC860W
发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
-V
首席执行官
65
45
30
30
45
5
100
100
200
150
- 55至+ 150
V
-V
CBO
80
50
30
30
50
V
符号
价值
单位
-V
EBO
-I
C
-I
CM
P
合计
T
j
T
S
V
mA
mA
mW
O
C
C
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2
1
/0
6
/2006
BC856W…BC860W
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 2毫安
BC856AW~BC860AW
BC856BW~BC860BW
BC856CW~BC860CW
集电极 - 基极电压
在-I
C
= 10 A
BC856W
BC857W
BC858W
BC859W
BC860W
集电极 - 发射极电压
在-I
C
= 10毫安
BC856W
BC857W
BC858W
BC859W
BC860W
发射极电压
在-I
E
= 1 A
集电极基截止电流
在-V
CB
= 30 V
发射基地截止电流
在-V
EB
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 10毫安， -I
B
- 0.5毫安
-I
C
= 100毫安， -I
B
= 5毫安
基极发射极电压
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 2毫安
-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 10毫安
跃迁频率
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
输出电容
在-V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
-V
首席执行官
65
45
30
30
45
5
-
-
-
-
-
-
-
-
15
100
V
-V
CBO
80
50
30
30
50
-
-
-
-
-
V
h
FE
h
FE
h
FE
125
220
420
250
475
800
-
-
-
符号
分钟。
马克斯。
单位
-V
EBO
-I
CBO
-I
EBO
V
nA
nA
-V
CE （ SAT ）
-
-
0.6
-
100
-
0.3
0.65
0.75
0.82
-
4.5
V
-V
BE
V
f
T
C
ob
兆赫
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2
1
/0
6
/2006
BC856W…BC860W
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2
1
/0
6
/2006
BC856W…BC860W
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2
1
/0
6
/2006
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