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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第50页 > BC858CLT1G
BC856ALT1系列
首选设备
通用
晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
集热器
3
1
BASE
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC856
BC857
BC858 ， BC859
BC856
BC857
BC858 ， BC859
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
5.0
100
单位
V
2
辐射源
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
1
V
MADC
2
3
SOT23
CASE 318
类型6
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
标记图
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
1
XXM
2
XX =器件代码
M =日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 8版本
出版订单号：
BC856ALT1/D
BC856ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安）
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857A ， BC857B只有
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
5.0
5.0
5.0
15
4.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -30 V，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C ， BC858C
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
I
CBO
nA
mA
h
FE
125
220
420
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
250
475
800
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极电压上
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= -10毫安，V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= -10毫安，V
CE
= -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= -0.2毫安，V
CE
= -5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC856 ， BC857 ， BC858系列
BC859系列
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.6
0.75
0.82
0.3
0.65
V
V
V
f
T
C
ob
NF
100
4.5
兆赫
pF
dB
10
4.0
http://onsemi.com
2
BC856ALT1系列
BC857/BC858/BC859
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
50
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100 200
0
0.1 0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50
100
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.3
图1.归DC电流增益
图2. “饱和度”和“开”电压
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
T
A
= 25°C
1.6
1.2
I
C
=
= 10毫安
I
C
= -50毫安
I
C
= -20毫安
I
C
= -200毫安
I
C
= -100毫安
1.0
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10 20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
C
ob
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
150
100
80
60
40
30
20
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
30
50
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
3.0
2.0
1.0
0.4 0.6
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20 30 40
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
3
BC856ALT1系列
BC856
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5.0 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50 100 200
5.0 10 20
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.0
1.6
I
C
=
= 10毫安
= 20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
1.4
1.2
1.8
q
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
0.8
2.2
0.4
T
J
= 25°C
0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
2.6
3.0
0.2
0.5 1.0
50
2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
100 200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
500
V
CE
= 5.0 V
200
100
50
20
100
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1 0.2
C
ob
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
V
R
，反向电压（伏）
50 100
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
4
BC856ALT1系列
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
D = 0.5
0.2
0.05
单脉冲
单脉冲
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
Z
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 83.3 ° C / W MAX
Z
qJA
（吨）= R（T ）R
qJA
R
qJA
= 200 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k 10 k
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
吨，时间（ ms）的
50
100
200
图13.热响应
200
1s
IC ，集电极电流（毫安）
100
50
T
A
= 25°C
T
J
= 25°C
3毫秒
10
5.0
2.0
1.0
BC558 ， BC559
BC557
BC556
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
5.0
10
30 45 65 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
极限
必须可靠运行被观察的晶体管。
具体电路集电极负载线必须低于
由适用的曲线所示限度。
图14的数据是基于
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
or
T
A
是可变的，这取决于条件。脉冲曲线
有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
≤
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从数据计算在图13中在高的情况下，或
环境温度下，热限制将减少
可处理到值小于限制功率
由二次击穿的罚款。
图14.活动区的安全工作区
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5
BC856ALT1系列
首选设备
通用
晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
集热器
3
1
BASE
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC856
BC857
BC858 ， BC859
BC856
BC857
BC858 ， BC859
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
5.0
100
单位
V
2
辐射源
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
1
V
MADC
2
3
SOT23
CASE 318
类型6
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
标记图
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
1
XXM
2
XX =器件代码
M =日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 8版本
出版订单号：
BC856ALT1/D
BC856ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安）
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857A ， BC857B只有
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
5.0
5.0
5.0
15
4.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -30 V，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C ， BC858C
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
I
CBO
nA
mA
h
FE
125
220
420
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
250
475
800
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极电压上
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= -10毫安，V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= -10毫安，V
CE
= -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= -0.2毫安，V
CE
= -5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC856 ， BC857 ， BC858系列
BC859系列
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.6
0.75
0.82
0.3
0.65
V
V
V
f
T
C
ob
NF
100
4.5
兆赫
pF
dB
10
4.0
http://onsemi.com
2
BC856ALT1系列
BC857/BC858/BC859
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
50
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100 200
0
0.1 0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50
100
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.3
图1.归DC电流增益
图2. “饱和度”和“开”电压
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
T
A
= 25°C
1.6
1.2
I
C
=
= 10毫安
I
C
= -50毫安
I
C
= -20毫安
I
C
= -200毫安
I
C
= -100毫安
1.0
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10 20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
C
ob
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
150
100
80
60
40
30
20
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
30
50
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
3.0
2.0
1.0
0.4 0.6
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20 30 40
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
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3
BC856ALT1系列
BC856
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5.0 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50 100 200
5.0 10 20
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.0
1.6
I
C
=
= 10毫安
= 20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
1.4
1.2
1.8
q
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
0.8
2.2
0.4
T
J
= 25°C
0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
2.6
3.0
0.2
0.5 1.0
50
2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
100 200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
500
V
CE
= 5.0 V
200
100
50
20
100
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1 0.2
C
ob
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
V
R
，反向电压（伏）
50 100
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
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4
BC856ALT1系列
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
D = 0.5
0.2
0.05
单脉冲
单脉冲
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
Z
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 83.3 ° C / W MAX
Z
qJA
（吨）= R（T ）R
qJA
R
qJA
= 200 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k 10 k
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
吨，时间（ ms）的
50
100
200
图13.热响应
200
1s
IC ，集电极电流（毫安）
100
50
T
A
= 25°C
T
J
= 25°C
3毫秒
10
5.0
2.0
1.0
BC558 ， BC559
BC557
BC556
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
5.0
10
30 45 65 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
极限
必须可靠运行被观察的晶体管。
具体电路集电极负载线必须低于
由适用的曲线所示限度。
图14的数据是基于
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
or
T
A
是可变的，这取决于条件。脉冲曲线
有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
≤
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从数据计算在图13中在高的情况下，或
环境温度下，热限制将减少
可处理到值小于限制功率
由二次击穿的罚款。
图14.活动区的安全工作区
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5
BC856ALT1系列
首选设备
通用
晶体管
PNP硅
特点
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无铅包可用
集热器
3
1
BASE
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC856
BC857
BC858 ， BC859
BC856
BC857
BC858 ， BC859
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
5.0
100
单位
V
2
辐射源
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
1
V
MADC
2
3
SOT23
CASE 318
类型6
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
标记图
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
1
XXM
2
XX =器件代码
M =日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 8版本
出版订单号：
BC856ALT1/D
BC856ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安）
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857A ， BC857B只有
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
5.0
5.0
5.0
15
4.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -30 V，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C ， BC858C
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
I
CBO
nA
mA
h
FE
125
220
420
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
250
475
800
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极电压上
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= -10毫安，V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= -10毫安，V
CE
= -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= -0.2毫安，V
CE
= -5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC856 ， BC857 ， BC858系列
BC859系列
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.6
0.75
0.82
0.3
0.65
V
V
V
f
T
C
ob
NF
100
4.5
兆赫
pF
dB
10
4.0
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2
BC856ALT1系列
BC857/BC858/BC859
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
50
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100 200
0
0.1 0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50
100
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.3
图1.归DC电流增益
图2. “饱和度”和“开”电压
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
T
A
= 25°C
1.6
1.2
I
C
=
= 10毫安
I
C
= -50毫安
I
C
= -20毫安
I
C
= -200毫安
I
C
= -100毫安
1.0
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10 20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
C
ob
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
150
100
80
60
40
30
20
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
30
50
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
3.0
2.0
1.0
0.4 0.6
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20 30 40
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
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BC856ALT1系列
BC856
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5.0 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50 100 200
5.0 10 20
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.0
1.6
I
C
=
= 10毫安
= 20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
1.4
1.2
1.8
q
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
0.8
2.2
0.4
T
J
= 25°C
0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
2.6
3.0
0.2
0.5 1.0
50
2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
100 200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
500
V
CE
= 5.0 V
200
100
50
20
100
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1 0.2
C
ob
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
V
R
，反向电压（伏）
50 100
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
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BC856ALT1系列
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
D = 0.5
0.2
0.05
单脉冲
单脉冲
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
Z
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 83.3 ° C / W MAX
Z
qJA
（吨）= R（T ）R
qJA
R
qJA
= 200 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k 10 k
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
吨，时间（ ms）的
50
100
200
图13.热响应
200
1s
IC ，集电极电流（毫安）
100
50
T
A
= 25°C
T
J
= 25°C
3毫秒
10
5.0
2.0
1.0
BC558 ， BC559
BC557
BC556
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
5.0
10
30 45 65 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
极限
必须可靠运行被观察的晶体管。
具体电路集电极负载线必须低于
由适用的曲线所示限度。
图14的数据是基于
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
or
T
A
是可变的，这取决于条件。脉冲曲线
有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
≤
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从数据计算在图13中在高的情况下，或
环境温度下，热限制将减少
可处理到值小于限制功率
由二次击穿的罚款。
图14.活动区的安全工作区
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B43697A5156Q009
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B37872K5822K070
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BH16652DGG
B43508B2827M002
B41044A3688M000
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