BC856ALT1系列
首选设备
通用
晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
集热器
3
1
BASE
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC856
BC857
BC858 ， BC859
BC856
BC857
BC858 ， BC859
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
5.0
100
单位
V
2
辐射源
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
1
V
MADC
2
3
SOT23
CASE 318
类型6
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
标记图
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
1
XXM
2
XX =器件代码
M =日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 8版本
出版订单号：
BC856ALT1/D
BC856ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安）
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857A ， BC857B只有
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
5.0
5.0
5.0
15
4.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -30 V，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C ， BC858C
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
I
CBO
nA
mA
h
FE
125
220
420
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
250
475
800
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极电压上
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= -10毫安，V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= -10毫安，V
CE
= -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= -0.2毫安，V
CE
= -5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC856 ， BC857 ， BC858系列
BC859系列
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.6
0.75
0.82
0.3
0.65
V
V
V
f
T
C
ob
NF
100
4.5
兆赫
pF
dB
10
4.0
http://onsemi.com
2
BC856ALT1系列
BC856
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5.0 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50 100 200
5.0 10 20
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.0
1.6
I
C
=
= 10毫安
= 20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
1.4
1.2
1.8
q
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
0.8
2.2
0.4
T
J
= 25°C
0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
2.6
3.0
0.2
0.5 1.0
50
2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
100 200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
500
V
CE
= 5.0 V
200
100
50
20
100
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1 0.2
C
ob
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
V
R
，反向电压（伏）
50 100
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
4
BC856ALT1系列
首选设备
通用
晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
集热器
3
1
BASE
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC856
BC857
BC858 ， BC859
BC856
BC857
BC858 ， BC859
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
5.0
100
单位
V
2
辐射源
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
1
V
MADC
2
3
SOT23
CASE 318
类型6
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
标记图
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
1
XXM
2
XX =器件代码
M =日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 8版本
出版订单号：
BC856ALT1/D
BC856ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安）
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857A ， BC857B只有
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
5.0
5.0
5.0
15
4.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -30 V，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C ， BC858C
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
I
CBO
nA
mA
h
FE
125
220
420
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
250
475
800
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极电压上
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= -10毫安，V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= -10毫安，V
CE
= -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= -0.2毫安，V
CE
= -5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC856 ， BC857 ， BC858系列
BC859系列
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.6
0.75
0.82
0.3
0.65
V
V
V
f
T
C
ob
NF
100
4.5
兆赫
pF
dB
10
4.0
http://onsemi.com
2
BC856ALT1系列
BC856
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5.0 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50 100 200
5.0 10 20
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.0
1.6
I
C
=
= 10毫安
= 20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
1.4
1.2
1.8
q
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
0.8
2.2
0.4
T
J
= 25°C
0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
2.6
3.0
0.2
0.5 1.0
50
2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
100 200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
500
V
CE
= 5.0 V
200
100
50
20
100
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1 0.2
C
ob
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
V
R
，反向电压（伏）
50 100
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
4
乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
PNP硅
1
BASE
3
集热器
2
辐射源
BC856ALT1 ， BLT1
BC857ALT1 ， BLT1
BC858ALT1 ， BLT1
CLT1
单位
V
V
1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
BC856
–65
–80
–5.0
–100
BC857
–45
–50
–5.0
–100
BC858
–30
–30
–5.0
–100
3
V
MADC
2
I
C
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
θJA
P
D
556
300
R
θJA
T
J
, T
英镑
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
器件标识
BC856ALT1 = 3A ; BC856BLT1 = 3B ; BC857ALT1 = 3E ; BC857BLT1 = 3F ;
BC858ALT1 = 3J ; BC858BLT1 = 3K ; BC858CLT1 = 3L
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安）
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= –10
A,
V
EB
= 0)
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
V
（ BR ） CEO
– 65
– 45
– 30
– 80
– 50
– 30
– 80
– 50
– 30
– 5.0
– 5.0
– 5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 15
– 4.0
v
V
（ BR ） CES
v
集电极 - 基极击穿电压BC856系列
(I
C
= – 10
A)
BC857系列
BC858系列
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= – 1.0
A)
BC856系列
BC857系列，
BC858系列
V
（ BR ） CBO
v
V
（ BR ） EBO
I
CBO
v
nA
A
集电极截止电流（V
CB
= – 30 V)
(V
CB
= - 30 V ，T
A
= 150°C)
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062in
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
M5–1/5
乐山无线电公司， LTD 。
BC856ALT1 ， BLT1 BC857ALT1 ， BLT1 BC858ALT1 ， BLT1 ， CLT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
(I
C
= –10
A,
V
CE
= –5.0 V)
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= –5.0 V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC858C,
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC858C
V
CE （ SAT ）
V
V
BE （ SAT ）
h
FE
—
—
—
125
220
420
—
—
—
—
– 0.6
—
90
150
270
180
290
520
—
—
– 0.7
– 0.9
—
—
—
—
—
250
475
800
– 0.3
– 0.65
—
—
– 0.75
– 0.82
—
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -10毫安，我
B
= - 0.5毫安）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -100毫安，我
B
= - 5.0毫安）
基射极饱和电压（I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
基射极饱和电压
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基射极电压上（我
C
= -2.0毫安，V
CE
= –5.0 V)
基射极电压
(I
C
= -10毫安，V
CE
= –5.0 V)
V
V
V
BE（上）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= - 10毫安，V
CE
= - 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= - 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= - 0.2毫安， V
CE
= – 5.0 V
dc
, R
S
= 2.0千欧， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
f
T
C
ob
NF
100
—
––
—
—
––
—
4.5
10
兆赫
pF
dB
M5–2/5
乐山无线电公司， LTD 。
BC856ALT1 ， BLT1 BC857ALT1 ， BLT1 ， BC858ALT1 ， BLT1 ， CLT1
BC857/BC858
–1.0
2.0
h
FE
归一化直流电流增益
1.5
V
CE
= –10 V
V，电压（V ）
–0.9
–0.8
–0.7
–0.6
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
=10
T
A
= 25°C
1.0
0.7
V
BE（上）
@ V
CE
= –10 V
0.5
0.3
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
–0.1
–0.2
–0.5
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100
0.2
–0.2
–0.5
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100
–200
0
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图1.归DC电流增益
θ
VB
，温度系数（毫伏/ ° C）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图2. “饱和度”和“开”电压
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
–2.0
1.0
T
A
= 25°C
–1.6
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
–1.2
2.0
–0.8
I
C
=
= 10毫安
I
C
= -50毫安
I
C
= -200毫安
I
C
= -100毫安
2.4
–0.4
I
C
= -20毫安
2.8
0
–0.02
–0.1
–1.0
–10
–20
–0.2
–1.0
–10
–100
I
B
，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.基射极温度系数
400
300
10.0
f
T
型，电流增益 - 带宽
产品（兆赫）
C
ib
7.0
200
T
A
=25°C
5.0
V，电压（V ）
100
80
V
CE
=–10V
T
A
= 25°C
3.0
C
ob
60
40
30
20
2.0
1.0
–0.4
–0.6
–1.0
–2.0
–4.0
–6.0
–10
–20 –30 –40
–0.5
–1.0
–2.0
–3.0
–5.0
–10
–20
–30
–50
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
M5–3/5
乐山无线电公司， LTD 。
BC856ALT1 ， BLT1 BC857ALT1 ， BLT1 ， BC858ALT1 ， BLT1 ， CLT1
BC856
h
FE
，直流电流增益（标准化）
–1.0
V
CE
= –5.0V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
–0.1–0.2
–1.0–2.0 –5.0–10–20 –50–100–200
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
–0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
–0.6
–0.4
–0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
–0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200
V
BE
@V
CE
= –5.0 V
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图8. “开”电压
θ
VB
，温度系数（毫伏/ ° C）
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
T
J
= 25°C
0
–0.02
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0
–10 –20
I
C
=
= 10毫安
–20mA
–50mA
-100mA -200mA
–1.0
–1.4
–1.8
–2.2
–2.6
–3.0
–0.2
θ
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0
–10 –20
–50 –100 –200
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
f
T
型，电流增益 - 带宽积牛逼
40
C，电容（pF ）
20
T
J
= 25°C
C
ib
500
200
100
50
20
V
CE
= –5.0 V
10
8.0
6.0
4.0
2.0
–0.1–0.2 –0.5
C
ob
–1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100
–1.0
–10
–100
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
M5–4/5
乐山无线电公司， LTD 。
BC856ALT1 ， BLT1 BC857ALT1 ， BLT1 ， BC858ALT1 ， BLT1 ， CLT1
1.0
0.7
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
D=0.5
0.2
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
单脉冲
0.05
单脉冲
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 83.3 ° C / W MAX
Z
θJA
（吨）= R（T ）R
θJA
R
θJA
= 200 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
– T
C
= P
（ PK）
R
θJC
(t)
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
吨，时间（ ms）的
50
100
200
500
1.0k 2.0k
5.0k
10k
图13.热响应
–200
1s
I
C
，集电极电流（毫安）
3毫秒
安全工作区曲线表明我
C
–V
CE
的极限
晶体管必须为可靠的操作来观察。收藏家
具体电路的负载线必须低于所指示的限制
适用的曲线。
图14的数据是基于
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
或T
A
是可变的，这取决于条件。脉冲曲线适用于
的占空比以10％的假定T
J（下PK）
< 150℃。牛逼
J（下PK）
可能是calcu-
从数据迟来图13.在高的情况下或室温
温度，热限制将降低功率，可以
进行处理，以值小于由节规定的限制
继发故障。
–100
–50
T
A
= 25°C
T
J
= 25°C
–10
–5.0
BC558
BC557
BC556
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
–2.0
–1.0
–0.5
–10
–30 –45 –65 –100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图14.活动区的安全工作区
M5–5/5
BC856ALT1系列
首选设备
通用
晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
集热器
3
1
BASE
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC856
BC857
BC858 ， BC859
BC856
BC857
BC858 ， BC859
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
5.0
100
单位
V
2
辐射源
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
1
V
MADC
2
3
SOT23
CASE 318
类型6
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
标记图
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
1
XXM
2
XX =器件代码
M =日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 8版本
出版订单号：
BC856ALT1/D
BC856ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安）
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857A ， BC857B只有
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
5.0
5.0
5.0
15
4.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -30 V，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C ， BC858C
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
I
CBO
nA
mA
h
FE
125
220
420
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
250
475
800
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极电压上
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= -10毫安，V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= -10毫安，V
CE
= -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= -0.2毫安，V
CE
= -5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC856 ， BC857 ， BC858系列
BC859系列
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.6
0.75
0.82
0.3
0.65
V
V
V
f
T
C
ob
NF
100
4.5
兆赫
pF
dB
10
4.0
http://onsemi.com
2
BC856ALT1系列
BC856
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5.0 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50 100 200
5.0 10 20
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.0
1.6
I
C
=
= 10毫安
= 20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
1.4
1.2
1.8
q
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
0.8
2.2
0.4
T
J
= 25°C
0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
2.6
3.0
0.2
0.5 1.0
50
2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
100 200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
500
V
CE
= 5.0 V
200
100
50
20
100
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1 0.2
C
ob
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
V
R
，反向电压（伏）
50 100
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
4
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过BC856ALT1 / D
通用晶体管
BC856ALT1,BLT1
BC857ALT1,
集热器
3
PNP硅
1
BASE
BLT1,CLT1
BC858ALT1,BLT1,
CLT1
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
BC856
–65
–80
–5.0
–100
BC857
–45
–50
–5.0
–100
BC858
–30
–30
–5.0
–100
2
辐射源
单位
V
V
V
MADC
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
1
2
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
225
1.8
R
q
JA
PD
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
器件标识
BC856ALT1 = 3A ; BC856BLT1 = 3B ; BC857ALT1 = 3E ; BC857BLT1 = 3F ;
BC857CLT1 = 3G ; BC858ALT1 = 3J ; BC858BLT1 = 3K ; BC858CLT1 = 3L
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10毫安）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10
A,
VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
m
A)
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -1.0
m
A)
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
V（ BR ） CEO
–65
–45
–30
–80
–50
–30
–80
–50
–30
–5.0
–5.0
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–15
–4.0
V
V（ BR ） CES
V
V（ BR ） CBO
V
V（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（ VCB = -30 V）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -30 V， TA = 150 ° C）
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
热复合是贝格斯公司的注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
ICBO
nA
A
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BC856ALT1 ， BLT1 BC857ALT1 ， BLT1 ， CLT1 BC858ALT1 ， BLT1 ， CLT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
A,
VCE = -5.0 V）
BC856A ， BC857A ， BC585A
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC857C ， BC858C
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C ， BC858C
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
VBE （ON）的
–0.6
—
—
—
–0.75
–0.82
–0.7
–0.9
—
—
V
—
—
–0.3
–0.65
V
的hFE
—
—
—
125
220
420
90
150
270
180
290
520
—
—
—
250
475
800
V
—
（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）
（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）
（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）
基地 - 发射极电压上
（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = -0.2毫安， VCE = -5.0伏， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
fT
COB
NF
100
—
—
—
—
—
—
4.5
10
兆赫
pF
dB
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC856ALT1 ， BLT1 BC857ALT1 ， BLT1 ， CLT1 BC858ALT1 ， BLT1 ， CLT1
BC857/BC858
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
VCE = -10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
–1.0
–0.9
–0.8
–0.7
–0.6
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
IC ，集电极电流（ MADC ）
–50
–100
VBE （ ON） @ VCE = -10 V
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.3
0.2
–0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
–50
IC ，集电极电流（ MADC ）
–100 –200
0
–0.1 –0.2
图1.归DC电流增益
图2. “饱和度”和“开”电压
–2.0
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
TA = 25°C
–1.6
1.0
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
–1.2
IC =
= 10毫安
IC = -50毫安
IC = -20毫安
IC = -200毫安
IC = -100毫安
–0.8
–0.4
0
–0.02
–0.1
–1.0
IB ，基极电流（毫安）
–10 –20
–0.2
–10
–1.0
IC ，集电极电流（毫安）
–100
图3.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
COB
兴业银行
TA = 25°C
400
300
200
150
100
80
60
40
30
20
–0.5
VCE = -10 V
TA = 25°C
3.0
2.0
1.0
–0.4 –0.6
–1.0
–2.0
–4.0 –6.0
–10
–20 –30 –40
–1.0
–2.0 –3.0
–5.0
–10
–20
–30
–50
VR ，反向电压（伏）
IC ，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BC856ALT1 ， BLT1 BC857ALT1 ， BLT1 ， CLT1 BC858ALT1 ， BLT1 ， CLT1
BC856
–1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = -5.0 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
V，电压（V ）
TJ = 25°C
–0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
–0.6
VBE @ VCE = -5.0 V
–0.4
–0.2
0.2
0
–0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–1.0 –2.0 –5.0 –10 –20 –50 –100 –200
IC ，集电极电流（ AMP ）
–0.5
–50 –100 –200
–5.0 –10 –20
–1.0 –2.0
IC ，集电极电流（毫安）
–0.1 –0.2
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
–2.0
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
–1.0
–1.6
IC =
= 10毫安
= 20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
–1.4
–1.2
–1.8
θ
VB的VBE
-55 ° C至125°C
–0.8
–2.2
–0.4
TJ = 25°C
0
–0.02
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
IB ，基极电流（毫安）
–5.0
–10
–20
–2.6
–3.0
–0.2
–0.5 –1.0
–50
–2.0
–5.0 –10 –20
IC ，集电极电流（毫安）
–100 –200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
20
兴业银行
500
VCE = -5.0 V
200
100
50
10
8.0
6.0
4.0
2.0
–0.1 –0.2
COB
20
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
VR ，反向电压（伏）
–50 –100
–100
–1.0
–10
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC856ALT1 ， BLT1 BC857ALT1 ， BLT1 ， CLT1 BC858ALT1 ， BLT1 ， CLT1
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.05
单脉冲
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 83.3 ° C / W MAX
Z
θJA
（吨）= R（T ）R
θJA
R
θJA
= 200 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
单脉冲
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
图13.热响应
–200
1s
IC ，集电极电流（毫安）
–100
–50
TA = 25°C
TJ = 25°C
3毫秒
安全工作区曲线表明的IC- VCE限制
晶体管必须为可靠的操作来观察。集电极负载
对于具体的电路线必须低于由所指示的范围
适用的曲线。
图14的数据是基于TJ （峰） = 150 ℃; TC或TA是
变量，这取决于条件。脉冲曲线是有效的责任
周期，以10％的提供的TJ （ pk）的
≤
150℃。 TJ （ pk）的可以从计算
在图13中的数据在高的情况下或环境温度下，热
限制将减少可处理到的值更小的功率
比由二次击穿所造成的限制。
–10
–5.0
BC558
BC557
BC556
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
–5.0
–10
–30 –45 –65 –100
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
–2.0
–1.0
图14.活动区的安全工作区
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
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