BC856A - BC858C
PNP表面贴装小信号晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
非常适合自动插入
可提供互补NPN类型
(BC846-BC848)
对于开关和AF放大器应用
B
E
SOT-23
A
C
B
顶视图
暗淡
A
C
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.85
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.80
8°
机械数据
案例: SOT -23 ,模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020A等级1
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
引脚连接:见图
标识代码(见下表&图
第3页)
订购&日期代码信息:见第3页
约。重量: 0.008克
E
D
G
H
B
C
D
E
G
K
J
L
M
H
J
K
L
M
a
尺寸:mm
标识代码(注2 )
TYPE
BC856A
BC856B
BC857A
BC857B
记号
3A , K3A
3B , K3B
3E , K3V , K3A
3F , K3W , K3B
TYPE
BC857C
BC858A
BC858B
BC858C
记号
3G , K3G
3J , K3J , K3A , K3V
3K , K3K , K3B , K3W
3L , K3L , K3G
最大额定值
集电极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
V
CBO
价值
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5.0
-100
-200
-200
300
417
-65到+150
单位
V
特征
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
V
V
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
工作和存储温度范围
注意事项:
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ,它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.电流增益小组“C”不适用于BC856 。
DS11207牧师12 - 2
1第3
BC856A-BC858C
电气特性
特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
V
( BR ) CBO
民
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
220
420
—
—
—
-600
—
—
—
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
200
330
600
2.7
4.5
8.7
18
30
60
1.5x10
-4
2x10
-4
3x10
-4
180
290
520
-75
-250
-700
-850
-650
—
—
—
—
—
—
200
3
2
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
250
475
800
-300
-650
—
-750
-820
-15
-15
-15
-15
-4.0
—
—
10
单位
V
测试条件
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压(注3 )
集电极 - 发射极击穿电压(注3 )
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
h
fe
h
fe
h
fe
h
ie
h
ie
h
ie
h
oe
h
oe
h
oe
h
re
h
re
h
re
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
V
V
—
—
—
kW
kW
kW
S
S
S
—
—
—
—
mV
mV
mV
nA
nA
nA
nA
A
兆赫
pF
dB
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
I
E
= 1mA时,我
C
= 0
发射极 - 基极击穿电压(注3 )
H-参数
小信号电流增益
输入阻抗
输出导纳
反向电压传输比
电流增益A组
B
C
电流增益A组
B
C
电流增益A组
B
C
电流增益A组
B
C
电流增益A组
B
C
V
CE
= -5.0V ,我
C
= -2.0mA ,
F = 1.0kHz
DC电流增益(注3)
V
CE
= -5.0V ,我
C
= -2.0mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -5.0mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -5.0mA
V
CE
= -5.0V ,我
C
= -2.0mA
V
CE
= -5.0V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -80V
V
CE
= -50V
V
CE
= -30V
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V ,T
A
= 150°C
V
CE
= -5.0V ,我
C
= -10mA ,
F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1.0MHz的
V
CE
= -5.0V ,我
C
= 200A,
R
S
= 2千瓦, F = 1kHz时,
Df
= 200Hz的
集电极 - 发射极饱和电压(注3 )
基射极饱和电压(注3 )
基射极电压(注3 )
集电极截止电流(注3 )
BC856
BC857
BC858
I
CES
I
CES
I
CES
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
注意事项:
3.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
DS11207牧师12 - 2
2 3
BC856A-BC858C
订购信息
设备
BC85xx-7*
(注4 )
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
注意事项:
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
* XX =设备类型,例如BC856A -7。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码(见第1页) ,例如: K3A = BC856A
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
FEB
2
1999
K
三月
3
2000
L
APR
4
五月
5
2001
M
JUN
6
JUL
7
2002
N
八月
8
SEP
9
2003
P
十月
O
NOV
N
2004
R
DEC
D
DS11207牧师12 - 2
YM
3 3
BC856A-BC858C