【摩托罗拉半导体技术资料订购此文件通过BC856AWT1 / D通用晶体管PNP硅这些晶体管被设计为通】,IC型号BC858BWT1,BC858BWT1 PDF资料,BC858BWT1经销商,ic,电子元器件-51电子网

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过BC856AWT1 / D

通用晶体管

PNP硅

这些晶体管被设计为通用放大器

应用程序。它们都装在SOT -323 / SC- 70，它是

专为低功率表面贴装应用。

BASE

辐射源

符号

VCEO

VCBO

VEBO

BC856

–65

–80

–5.0

–100

BC857

–45

–50

–5.0

–100

BC858

–30

–5.0

–100

单位

MADC

集热器

BC856AWT1,BWT1

BC857AWT1,BWT1

BC858AWT1,BWT1,

CWT1

摩托罗拉的首选设备

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

CASE 419-02 ，花柱3

SOT–323/SC–70

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局，（ 1 ）

TA = 25°C

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

TJ ， TSTG

最大

150

833

- 55 + 150

单位

° C / W

°C

器件标识

BC856AWT1 = 3A ; BC856BWT1 = 3B ; BC857AWT1 = 3E ; BC857BWT1 = 3F ;

BC858AWT1 = 3J ; BC858BWT1 = 3K ; BC858CWT1 = 3L

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = -10毫安）

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = -10

VEB = 0）的

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = -10

发射极 - 基极击穿电压

（IE = -1.0

BC856系列

BC857系列

BC858系列

BC856系列

BC857系列

BC858系列

BC856系列

BC857系列

BC858系列

BC856系列

BC857系列

BC858系列

V（ BR ） CEO

–65

–45

–30

–80

–50

–30

–80

–50

–30

–5.0

—

–15

–4.0

V（ BR ） CES

V（ BR ） CBO

V（ BR ） EBO

集电极截止电流（ VCB = -30 V）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = -30 V， TA = 150 ° C）

在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062

ICBO

热复合是贝格斯公司的注册商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

BC856AWT1 ， BWT1 BC857AWT1 ， BWT1 BC858AWT1 ， BWT1 ， CWT1

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

直流电流增益

（ IC = -10

VCE = -5.0 V）

BC856A ， BC857A ， BC585A

BC856A ， BC857A ， BC858A

BC858C

BC856A ， BC857A ， BC858A

BC856B ， BC857B ， BC858B

BC858C

VCE （ SAT ）

—

VBE （ SAT ）

—

VBE （ON）的

–0.6

—

–0.75

–0.82

–0.7

–0.9

—

–0.3

–0.65

的hFE

—

125

220

420

150

270

180

290

520

—

250

475

800

—

（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）

（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）

基地 - 发射极饱和电压

（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）

（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）

基地 - 发射极电压上

（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）

（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V）

小信号特性

电流 - 增益 - 带宽积

（ IC = -10毫安， VCE = -5.0伏， F = 100兆赫）

输出电容

（ VCB = -10 V ， F = 1.0兆赫）

噪声系数

（ IC = -0.2毫安， VCE = -5.0伏， RS = 2.0 kΩ的，

F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）

COB

100

—

4.5

兆赫

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BC856AWT1 ， BWT1 BC857AWT1 ， BWT1 BC858AWT1 ， BWT1 ， CWT1

BC857/BC858

2.0

的hFE ，规范直流电流增益

1.5

1.0

0.7

0.5

VCE = -10 V

TA = 25°C

V，电压（V ）

–1.0

–0.9

–0.8

–0.7

–0.6

–0.5

–0.4

–0.3

–0.2

–0.1

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

–0.5 –1.0 –2.0

–5.0 –10 –20

IC ，集电极电流（ MADC ）

–50

–100

VBE （ ON） @ VCE = -10 V

TA = 25°C

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

0.3

0.2

–0.2

–0.5 –1.0 –2.0

–5.0 –10 –20

–50

IC ，集电极电流（ MADC ）

–100 –200

–0.1 –0.2

图1.归DC电流增益

图2. “饱和度”和“开”电压

–2.0

VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）

VB ，温度系数（毫伏/

TA = 25°C

–1.6

1.0

-55 ° C至+ 125°C

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

–1.2

IC =

= 10毫安

IC = -50毫安

IC = -20毫安

IC = -200毫安

IC = -100毫安

–0.8

–0.4

–0.02

–0.1

–1.0

IB ，基极电流（毫安）

–10 –20

–0.2

–10

–1.0

IC ，集电极电流（毫安）

–100

图3.集电极饱和区

F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）

图4.基射极温度系数

7.0

C，电容（pF ）

5.0

COB

兴业银行

TA = 25°C

400

300

200

150

100

–0.5

VCE = -10 V

TA = 25°C

3.0

2.0

1.0

–0.4 –0.6

–1.0

–2.0

–4.0 –6.0

–10

–20 –30 –40

–1.0

–2.0 –3.0

–5.0

–10

–20

–30

–50

VR ，反向电压（伏）

IC ，集电极电流（ MADC ）

图5的电容

图6.电流增益 - 带宽积

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BC856AWT1 ， BWT1 BC857AWT1 ， BWT1 BC858AWT1 ， BWT1 ， CWT1

BC856

–1.0

的hFE ， DC电流增益（标准化）

VCE = -5.0 V

TA = 25°C

2.0

1.0

0.5

V，电压（V ）

TJ = 25°C

–0.8

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

–0.6

VBE @ VCE = -5.0 V

–0.4

–0.2

0.2

–0.2

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

–1.0 –2.0 –5.0 –10 –20 –50 –100 –200

IC ，集电极电流（ AMP ）

–0.5

–50 –100 –200

–5.0 –10 –20

–1.0 –2.0

IC ，集电极电流（毫安）

–0.1 –0.2

图7.直流电流增益

图8. “开”电压

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

–2.0

VB ，温度系数（毫伏/

–1.0

–1.6

IC =

= 10毫安

= 20毫安

-50毫安

-100毫安-200毫安

–1.4

–1.2

–1.8

VB的VBE

-55 ° C至125°C

–0.8

–2.2

–0.4

TJ = 25°C

–0.02

–0.05 –0.1 –0.2

–0.5 –1.0 –2.0

IB ，基极电流（毫安）

–5.0

–10

–20

–2.6

–3.0

–0.2

–0.5 –1.0

–50

–2.0

–5.0 –10 –20

IC ，集电极电流（毫安）

–100 –200

图9.集电极饱和区

图10.基射极温度系数

F T ，电流增益 - 带宽积

TJ = 25°C

C，电容（pF ）

兴业银行

500

VCE = -5.0 V

200

100

8.0

6.0

4.0

2.0

–0.1 –0.2

COB

–0.5 –1.0 –2.0

–5.0 –10 –20

VR ，反向电压（伏）

–50 –100

–100

–1.0

–10

IC ，集电极电流（毫安）

图11.电容

图12.电流增益 - 带宽积

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BC856AWT1 ， BWT1 BC857AWT1 ， BWT1 BC858AWT1 ， BWT1 ， CWT1

R（T ），瞬态热

电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

D = 0.5

0.2

0.05

单脉冲

P（ PK）

占空比D = T1 / T2

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

= 83.3 ° C / W MAX

θJA

（吨）= R（T ）R

θJA

= 200 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间在T1

TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R

θJC

(t)

500

1.0 k

2.0 k

5.0 k

10 k

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.1

单脉冲

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

吨，时间（ ms）的

100

200

图13.热响应

–200

IC ，集电极电流（毫安）

–100

–50

TA = 25°C

TJ = 25°C

3毫秒

安全工作区曲线表明的IC- VCE限制

晶体管必须为可靠的操作来观察。集电极负载

对于具体的电路线必须低于由所指示的范围

适用的曲线。

图14的数据是基于TJ （峰） = 150 ℃; TC或TA是

变量，这取决于条件。脉冲曲线是有效的责任

周期，以10％的提供的TJ （ pk）的

≤

150℃。 TJ （ pk）的可以从计算

在图13中的数据在高的情况下或环境温度下，热

限制将减少可处理到的值更小的功率

比由二次击穿所造成的限制。

–10

–5.0

BC558

BC557

BC556

焊线LIMIT

热限制

第二击穿极限

–5.0

–10

–30 –45 –65 –100

VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）

–2.0

–1.0

图14.活动区的安全工作区

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过BC856AWT1 / D

通用晶体管

PNP硅

这些晶体管被设计为通用放大器

应用程序。它们都装在SOT -323 / SC- 70，它是

专为低功率表面贴装应用。

BASE

辐射源

符号

VCEO

VCBO

VEBO

BC856

–65

–80

–5.0

–100

BC857

–45

–50

–5.0

–100

BC858

–30

–5.0

–100

单位

MADC

集热器

BC856AWT1,BWT1

BC857AWT1,BWT1

BC858AWT1,BWT1,

CWT1

摩托罗拉的首选设备

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

CASE 419-02 ，花柱3

SOT–323/SC–70

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局，（ 1 ）

TA = 25°C

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

TJ ， TSTG

最大

150

833

- 55 + 150

单位

° C / W

°C

器件标识

BC856AWT1 = 3A ; BC856BWT1 = 3B ; BC857AWT1 = 3E ; BC857BWT1 = 3F ;

BC858AWT1 = 3J ; BC858BWT1 = 3K ; BC858CWT1 = 3L

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = -10毫安）

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = -10

VEB = 0）的

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = -10

发射极 - 基极击穿电压

（IE = -1.0

BC856系列

BC857系列

BC858系列

BC856系列

BC857系列

BC858系列

BC856系列

BC857系列

BC858系列

BC856系列

BC857系列

BC858系列

V（ BR ） CEO

–65

–45

–30

–80

–50

–30

–80

–50

–30

–5.0

—

–15

–4.0

V（ BR ） CES

V（ BR ） CBO

V（ BR ） EBO

集电极截止电流（ VCB = -30 V）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = -30 V， TA = 150 ° C）

在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062

ICBO

热复合是贝格斯公司的注册商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

BC856AWT1 ， BWT1 BC857AWT1 ， BWT1 BC858AWT1 ， BWT1 ， CWT1

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

直流电流增益

（ IC = -10

VCE = -5.0 V）

BC856A ， BC857A ， BC585A

BC856A ， BC857A ， BC858A

BC858C

BC856A ， BC857A ， BC858A

BC856B ， BC857B ， BC858B

BC858C

VCE （ SAT ）

—

VBE （ SAT ）

—

VBE （ON）的

–0.6

—

–0.75

–0.82

–0.7

–0.9

—

–0.3

–0.65

的hFE

—

125

220

420

150

270

180

290

520

—

250

475

800

—

（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）

（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）

基地 - 发射极饱和电压

（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）

（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）

基地 - 发射极电压上

（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）

（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V）

小信号特性

电流 - 增益 - 带宽积

（ IC = -10毫安， VCE = -5.0伏， F = 100兆赫）

输出电容

（ VCB = -10 V ， F = 1.0兆赫）

噪声系数

（ IC = -0.2毫安， VCE = -5.0伏， RS = 2.0 kΩ的，

F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）

COB

100

—

4.5

兆赫

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BC856AWT1 ， BWT1 BC857AWT1 ， BWT1 BC858AWT1 ， BWT1 ， CWT1

BC857/BC858

2.0

的hFE ，规范直流电流增益

1.5

1.0

0.7

0.5

VCE = -10 V

TA = 25°C

V，电压（V ）

–1.0

–0.9

–0.8

–0.7

–0.6

–0.5

–0.4

–0.3

–0.2

–0.1

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

–0.5 –1.0 –2.0

–5.0 –10 –20

IC ，集电极电流（ MADC ）

–50

–100

VBE （ ON） @ VCE = -10 V

TA = 25°C

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

0.3

0.2

–0.2

–0.5 –1.0 –2.0

–5.0 –10 –20

–50

IC ，集电极电流（ MADC ）

–100 –200

–0.1 –0.2

图1.归DC电流增益

图2. “饱和度”和“开”电压

–2.0

VB ，温度系数（毫伏/

VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）

TA = 25°C

–1.6

1.0

-55 ° C至+ 125°C

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

–1.2

IC =

= 10毫安

IC = -50毫安

IC = -20毫安

IC = -200毫安

IC = -100毫安

–0.8

–0.4

–0.02

–0.1

–1.0

IB ，基极电流（毫安）

–10 –20

–0.2

–10

–1.0

IC ，集电极电流（毫安）

–100

图3.集电极饱和区

F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）

图4.基射极温度系数

7.0

C，电容（pF ）

5.0

COB

兴业银行

TA = 25°C

400

300

200

150

100

–0.5

VCE = -10 V

TA = 25°C

3.0

2.0

1.0

–0.4 –0.6

–1.0

–2.0

–4.0 –6.0

–10

–20 –30 –40

–1.0

–2.0 –3.0

–5.0

–10

–20

–30

–50

VR ，反向电压（伏）

IC ，集电极电流（ MADC ）

图5的电容

图6.电流增益 - 带宽积

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BC856AWT1 ， BWT1 BC857AWT1 ， BWT1 BC858AWT1 ， BWT1 ， CWT1

BC856

–1.0

的hFE ， DC电流增益（标准化）

VCE = -5.0 V

TA = 25°C

2.0

1.0

0.5

V，电压（V ）

TJ = 25°C

–0.8

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

–0.6

VBE @ VCE = -5.0 V

–0.4

–0.2

0.2

–0.2

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

–1.0 –2.0 –5.0 –10 –20 –50 –100 –200

IC ，集电极电流（ AMP ）

–0.5

–50 –100 –200

–1.0 –2.0

–5.0 –10 –20

IC ，集电极电流（毫安）

–0.1 –0.2

图7.直流电流增益

图8. “开”电压

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

–2.0

VB ，温度系数（毫伏/

–1.0

–1.6

IC =

= 10毫安

= 20毫安

-50毫安

-100毫安-200毫安

–1.4

–1.2

–1.8

VB的VBE

-55 ° C至125°C

–0.8

–2.2

–0.4

TJ = 25°C

–0.02

–0.05 –0.1 –0.2

–0.5 –1.0 –2.0

IB ，基极电流（毫安）

–5.0

–10

–20

–2.6

–3.0

–0.2

–0.5 –1.0

–50

–2.0

–5.0 –10 –20

IC ，集电极电流（毫安）

–100 –200

图9.集电极饱和区

图10.基射极温度系数

F T ，电流增益 - 带宽积

TJ = 25°C

C，电容（pF ）

兴业银行

500

VCE = -5.0 V

200

100

8.0

6.0

4.0

2.0

–0.1 –0.2

COB

–0.5 –1.0 –2.0

–5.0 –10 –20

VR ，反向电压（伏）

–50 –100

–100

–1.0

–10

IC ，集电极电流（毫安）

图11.电容

图12.电流增益 - 带宽积

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

BC856AWT1 ， BWT1 BC857AWT1 ， BWT1 BC858AWT1 ， BWT1 ， CWT1

R（T ），瞬态热

电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

D = 0.5

0.2

0.05

单脉冲

P（ PK）

占空比D = T1 / T2

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

= 83.3 ° C / W MAX

θJA

（吨）= R（T ）R

θJA

= 200 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间在T1

TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R

θJC

(t)

500

1.0 k

2.0 k

5.0 k

10 k

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.1

单脉冲

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

吨，时间（ ms）的

100

200

图13.热响应

–200

IC ，集电极电流（毫安）

–100

–50

TA = 25°C

TJ = 25°C

3毫秒

安全工作区曲线表明的IC- VCE限制

晶体管必须为可靠的操作来观察。集电极负载

对于具体的电路线必须低于由所指示的范围

适用的曲线。

图14的数据是基于TJ （峰） = 150 ℃; TC或TA是

变量，这取决于条件。脉冲曲线是有效的责任

周期，以10％的提供的TJ （ pk）的

≤

150℃。 TJ （ pk）的可以从计算

在图13中的数据在高的情况下或环境温度下，热

限制将减少可处理到的值更小的功率

比由二次击穿所造成的限制。

–10

–5.0

BC558

BC557

BC556

焊线LIMIT

热限制

第二击穿极限

–5.0

–10

–30 –45 –65 –100

VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）

–2.0

–1.0

图14.活动区的安全工作区

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

乐山无线电公司， LTD 。

通用晶体管

PNP硅

这些晶体管被设计用于一般目的

放大器应用。它们都装在SOT -323 /

SC- 70是专为低功耗表面贴装

应用程序。

BASE

集热器

BC856AWT1 ， BWT1

BC857AWT1 ， BWT1

BC858AWT1 ， BWT1

CWT1

辐射源

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

符号

首席执行官

CBO

EBO

BC856

–65

–80

–5.0

–100

BC857

–45

–50

–5.0

–100

BC858

–30

–5.0

–100

单位

MADC

CASE 419-02 ，花柱3

SOT- 323 / SC- 70

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局，（ 1 ）

= 25°C

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

θJA

, T

英镑

最大

150

833

-55到+150

单位

° C / W

°C

器件标识

BC856AWT1 = 3A ; BC856BWT1 = 3B ; BC857AWT1 = 3E ; BC857BWT1 = 3F ;

BC858AWT1 = 3J ; BC858BWT1 = 3K ; BC858CWT1 = 3L

电气特性

= 25 ° C除非另有说明。）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

= -10毫安）

集电极 - 发射极击穿电压

= –10

= 0)

BC856系列

BC857系列

BC858系列

BC856系列

（ BR ） CEO

– 65

– 45

– 30

– 80

– 50

– 30

– 80

– 50

– 30

– 5.0

—

– 15

– 4.0

BC857系列

BC858系列

集电极 - 基极击穿电压BC856系列

= – 10

发射极 - 基极击穿电压

= – 1.0

BC857系列

BC858系列

BC856系列

（ BR ） CES

（ BR ） CBO

BC857系列，

BC858系列

集电极截止电流（V

= – 30 V)

= - 30 V ，T

= 150°C)

1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062in

（ BR ） EBO

CBO

K5–1/5

乐山无线电公司， LTD 。

BC856AWT1 ， BWT1 BC857AWT1 ， BWT1 BC858AWT1 ， BWT1 ， CWT1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

直流电流增益

= –10

= –5.0 V)

= -2.0毫安，V

= –5.0 V)

BC856A ， BC857A ， BC858A

BC856B ， BC857B ， BC858B

BC858C,

BC856A ， BC857A ， BC858A

BC856B ， BC857B ， BC858B

—

125

220

420

—

– 0.6

—

150

270

180

290

520

—

– 0.7

– 0.9

—

250

475

800

– 0.3

– 0.65

—

– 0.75

– 0.82

—

BC858C

集电极 - 发射极饱和电压（I

= -10毫安，我

= - 0.5毫安）

集电极 - 发射极饱和电压

= -100毫安，我

= - 5.0毫安）

基射极饱和电压（I

= -10毫安，我

= -0.5毫安）

基射极饱和电压

= -100毫安，我

= -5.0毫安）

基射极电压（I

= -2.0毫安，V

= –5.0 V)

基射极电压

= -10毫安，V

= –5.0 V)

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

BE（上）

小信号特性

电流增益 - 带宽积

= - 10毫安，V

= - 5.0伏， F = 100兆赫）

输出电容（V

= - 10 V ， F = 1.0兆赫）

噪声系数

= - 0.2毫安， V

= – 5.0 V

, R

= 2.0千欧， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）

100

—

––

—

––

—

4.5

兆赫

K5–2/5

乐山无线电公司， LTD 。

BC856AWT1 ， BWT1 BC857AWT1 ， BWT1 ， BC858AWT1 ， BWT1 ， CWT1

BC857/BC858

2.0

–1.0

归一化直流电流增益

1.5

= –10 V

= 25°C

V，电压（V ）

–0.9

–0.8

–0.7

–0.6

–0.5

–0.4

–0.3

–0.2

–0.1

= 25°C

BE （ SAT ）

@ I

=10

1.0

0.7

BE（上）

@ V

= –10 V

0.5

0.3

CE （ SAT ）

@ I

= 10

0.2

–0.2

–0.5

–1.0

–2.0

–5.0

–10

–20

–50

–100

–200

–0.1

–0.2

–0.5

–1.0

–2.0

–5.0

–10

–20

–50

–100

，集电极电流（ MADC ）

图1.归DC电流增益

，温度系数（毫伏/ ° C）

，集电极电流（ MADC ）

图2. “饱和度”和“开”电压

，集电极 - 发射极电压（ V）

–2.0

1.0

= 25°C

–1.6

-55 ° C至+ 125°C

1.2

1.6

–1.2

2.0

–0.8

= 10毫安

= -50毫安

= -200毫安

= -100毫安

2.4

–0.4

= -20毫安

2.8

–0.02

–0.1

–1.0

–10

–20

–0.2

–1.0

–10

–100

，基极电流（毫安）

图3.集电极饱和区

，集电极电流（毫安）

图4.基射极温度系数

10.0

400

=25°C

C，电容（pF ）

5.0

300

型，电流增益 - 带宽

产品（兆赫）

7.0

200

150

100

= –10V

= 25°C

3.0

2.0

–0.5

–1.0

–2.0

–3.0

–5.0

–10

–20

–30

–50

1.0

–0.4

–0.6

–1.0

–2.0

–4.0

–6.0

–10

–20 –30 –40

，反向电压（伏）

，集电极电流（ MADC ）

图5的电容

图6.电流增益 - 带宽积

K5–3/5

乐山无线电公司， LTD 。

BC856AWT1 ， BWT1 BC857AWT1 ， BWT1 ， BC858AWT1 ， BWT1 ， CWT1

BC856

，直流电流增益（标准化）

–1.0

= –5.0V

= 25°C

2.0

1.0

0.5

0.2

–0.1–0.2

–1.0 –2.0 –5.0 –10 –20 –50 –100–200

，集电极电流（毫安）

–0.2

–0.5 –1.0 –2.0

–5.0

–10 –20

–50 –100 –200

= 25°C

V，电压（V ）

–0.8

BE （ SAT ）

@ I

=10

–0.6

–0.4

–0.2

CE （ SAT ）

@ I

= 10

= –5.0 V

，集电极电流（毫安）

图7.直流电流增益

，集电极 - 发射极电压（伏）

图8. “开”电压

，温度系数（毫伏/ ° C）

–2.0

–1.6

–20mA

–50mA

-100mA -200mA

–1.0

–1.4

–1.8

–2.2

–2.6

–3.0

–0.2

–1.2

–0.8

–0.4

–10mA

对于V

-55 ° C至125°C

= 25°C

–0.02

–0.05 –0.1 –0.2

–0.5 –1.0 –2.0

–5.0

–10 –20

–0.5 –1.0 –2.0

–5.0

–10 –20

–50 –100 –200

，基极电流（毫安）

，集电极电流（毫安）

图9.集电极饱和区

图10.基射极温度系数

型，电流增益 - 带宽积牛逼

C，电容（pF ）

= 25°C

500

200

100

= –5.0V

6.0

4.0

2.0

–0.1 –0.2 –0.5

–1.0 –2.0

–5.0

–10 –20

–50 –100

–1.0

–10

–100

，反向电压（伏）

，集电极电流（毫安）

图11.电容

图12.电流增益 - 带宽积

K5–4/5

乐山无线电公司， LTD 。

BC856AWT1 ， BWT1 BC857AWT1 ， BWT1 ， BC858AWT1 ， BWT1 ， CWT1

R（T ），瞬态热

电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

D=0.5

0.2

单脉冲

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.1

0.05

单脉冲

（ PK）

占空比D = T

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

= 83.3 ° C / W MAX

θJA

（吨）= R（T ）R

θJA

= 200 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

J（下PK）

– T

= P

（ PK）

θJC

(t)

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

吨，时间（ ms）的

100

200

500

1.0k 2.0k

5.0k

10k

图13.热响应

–200

，集电极电流（毫安）

3毫秒

–100

–50

= 25°C

安全工作区曲线表明我

–V

的极限

晶体管必须为可靠的操作来观察。收藏家

具体电路的负载线必须低于所指示的限制

适用的曲线。

图14的数据是基于

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

或T

是可变的，这取决于条件。脉冲曲线适用于

的占空比以10％的假定T

J（下PK）

< 150℃。牛逼

J（下PK）

可能是calcu-

从数据迟来图13.在高的情况下或室温

温度，热限制将降低功率，可以

进行处理，以值小于由节规定的限制

继发故障。

–10

–5.0

BC558

BC557

BC556

焊线LIMIT

热限制

第二击穿极限

–2.0

–1.0

–0.5

–10

–30 –45 –65 –100

，集电极 - 发射极电压（ V）

图14.活动区的安全工作区

K5–5/5