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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第123页 > BC858BL3
BC857BL3 ， BC858BL3
PNP硅晶体管自动对焦
初步数据
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BC847BL3 ，
BC848BL3 （ NPN ）
3
1
引脚配置
1=B
1=B
2=E
2=E
3=C
3=C
2
包
TSLP-3-1
TSLP-3-1
TYPE
BC857BL3
BC858BL3
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BC857BL3
BC858BL3
集电极 - 发射极电压
BC857BL3
BC858BL3
集电极 - 基极电压
BC857BL3
BC858BL3
发射极 - 基极电压
BC857BL3
BC858BL3
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
T
S
≤
138°C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
记号
3F
3K
符号
V
首席执行官
价值
45
30
单位
V
V
CES
50
30
V
CBO
50
30
V
EBO
5
5
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
100
200
250
150
-65 ... 150
价值
≤
50
mA
mW
°C
单位
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Jan-30-2004
BC857BL3 ， BC858BL3
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
单位
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， BC857BL3
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， BC858BL3
V
（ BR ） CEO
V
45
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nA
-
-
-
-
250
290
75
250
700
850
650
-
15
5
-
-
220
-
475
mV
-
-
300
650
-
-
750
820
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0， BC857BL3
I
C
= 10 A,
I
E
= 0， BC858BL3
V
（ BR ） CBO
50
30
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0， BC857BL3
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0， BC858BL3
50
30
V
（ BR ） EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 0 ,
I
C
= 1 A
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流GAIN-
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
V
CESAT
基极发射极饱和电压 -
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
V
BESAT
-
-
V
BE（上）
基极 - 发射极电压 -
1)
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
600
-
2
Jan-30-2004
BC857BL3 ， BC858BL3
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
开路反向电压互感器。比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
短路正向电流互感器。比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
开路输出导纳
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
22e
-
30
-
S
h
21e
-
330
-
-
h
12e
-
2
-
10
-4
h
11e
-
4.5
-
k
C
eb
-
8
-
C
cb
-
3
-
pF
f
T
-
250
-
兆赫
3
Jan-30-2004
BC857BL3 ， BC858BL3
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 5 V
10
3
EHP00382
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(V
CESAT
),
h
FE
= 20
10
2
EHP00380
h
FE
5
100 C
25 C
Ι
C
mA
100 C
25 C
-50 C
10
2
5
-50 C
10
1
5
10
1
5
10
5
0
10
0
10
-2
5 10
-1
5 10
0
5 10
1
10毫安
2
10
-1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V 0.5
V
CESAT
Ι
C
基射极饱和电压
I
C
=
(V
BESAT
),
h
FE
= 20
10
2
mA
EHP00379
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
(T
A
)
V
CBO
= 30 V
10
4
nA
EHP00381
Ι
C
100 C
25 C
-50C
Ι
CB0
10
3
5
10
2
5
10
1
5
10
5
0
10
5
1
最大
典型值
10
0
5
10
-1
10
-1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
1.2
V
BESAT
0
50
100
C
T
A
150
4
Jan-30-2004
BC857BL3 ， BC858BL3
跃迁频率
f
T
=
(I
C
)
V
CE
= 5 V
10
3
兆赫
EHP00378
集电极 - 基极电容
C
CB
=
(V
CB0
)
发射极 - 基极电容
C
EB
=
(V
EB0
)
公元前856 ... 860
EHP00376
f
T
5
C
CB0
(
C
EB0
)
12
pF
10
8
C
EBO
10
2
6
5
4
C
CBO
2
10
1
10
-1
5 10
0
5
10
1
mA
10
2
0
10
-1
5
10
0
V
V
CB0
Ι
C
10
1
(
V
EB0
)
-h参数
h
e
=
(I
C
)
归
V
CE
= 5V
10
2
h
e
5
公元前856 ... 860
EHP00383
-h参数
h
e
=
(V
CE
)
归
I
C
= 2毫安
公元前856 ... 860
EHP00384
2.0
h
e
1.5
Ι
C
= 2毫安
h
11
10
1
5
h
11e
V
CE
= 5 V
h
12e
10
0
5
1.0
h
12
0.5
h
22
h
21e
h
22e
10
-1
10
-1
0
5
10
0
mA
10
1
0
10
20
V
V
CE
30
Ι
C
5
Jan-30-2004
BC856...-BC860...
PNP硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型：
BC846 ...- BC850 ... （ NPN ）
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
1
含有铅，
包可能是可根据特殊要求
1
2008-04-29
BC856...-BC860...
TYPE
BC856A
BC856B
BC856BW
BC857A
BC857B
BC857BF*
BC857BL3
BC857BW
BC857C
BC857CW
BC858A
BC858B
BC858BL3
BC858BW
BC858C
BC858CW
BC859C
BC860B
BC860BW
BC860CW
*不适用于新设计
记号
3As
3Bs
3Bs
3Es
3Fs
3Fs
3F
3Fs
3Gs
3Gs
3Js
3Ks
3K
3Ks
3Ls
3Ls
4Cs
4Fs
4Fs
4Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
SOT23
SOT23
SOT323
SOT23
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-1
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT23
TSLP-3-1
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT23
SOT323
SOT323
2
2008-04-29
BC856...-BC860...
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BC856...
BC857 ... ， BC860 ...
BC858 ... ， BC859 ...
集电极 - 基极电压
BC856...
BC857 ... ， BC860 ...
BC858 ... ， BC859 ...
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流，
t
p
≤
10毫秒
总功耗
T
S
≤
71 ° C， BC856 - BC860
T
S
≤
128 ° C， BC857BF - BC858BF
T
S
≤
135 ° C， BC857BL3 ， BC860BL3
T
S
≤
124 ° C， BC856W - BC860W
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BC856-BC860
BC857BF-BC858BF
BC857BL3 ， BC858BL3
BC856W-BC860W
1
为
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
单位
V
V
CBO
80
50
30
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
330
250
250
250
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
150
-65 ... 150
价值
≤
240
≤
90
≤
60
≤
105
单位
K / W
°C
5
100
200
mW
mA
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
3
2008-04-29
BC856...-BC860...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
单位
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， BC856 ...
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， ... BC857 ， BC860 ...
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， ... BC858 ， BC859 ...
65
45
30
V
（ BR ） CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0， BC856 ...
I
C
= 10 A,
I
E
= 0， ... BC857 ， BC860 ...
I
C
= 10 A,
I
E
= 0， ... BC858 ， BC859 ...
80
50
30
V
（ BR ） EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1 A,
I
C
= 0
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 45 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
h
FE
-
-
140
250
480
180
290
520
0.015
5
-
-
-
-
250
475
800
mV
直流电流增益
1)
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.A
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.B
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.C
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.C
-
-
-
125
220
420
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BESAT
75
250
700
850
650
-
300
650
-
-
750
820
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BE（上）
基射极电压
1)
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
1
脉冲
600
-
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
4
2008-04-29
BC856...-BC860...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
h
FE
-grp.C
开路反向电压互感器。比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
h
FE
-grp.C
短路正向电流互感器。比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
h
FE
-grp.C
开路输出导纳
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
h
FE
-grp.C
噪声系数
F
h
22e
-
-
-
18
30
60
1
-
-
-
4
dB
h
21e
-
-
-
200
330
600
-
-
-
S
h
12e
-
-
-
1.5
2
3
-
-
-
-
h
11e
-
-
-
2.7
4.5
8.7
-
-
-
10
-4
k
C
eb
-
8
-
f
T
C
cb
-
-
250
1.5
-
-
兆赫
pF
典型值。
马克斯。
单位
-
I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
D
f
= 200
赫兹，
R
S
= 2
k,
BC859 ， BC850
等效噪声电压
I
C
= 200毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k,
f
= 10 ... 50赫兹， BC860
V
n
-
-
0.11
V
5
2008-04-29
查看更多BC858BL3PDF信息
推荐型号
B57452V5104H062
BT8970EHF
BA15BC0T
B43858H2107M000
B57871S0103001
B41560A9339M003
BD3180FV
BHP20200J
BSC035N04LSG
BAT54X
BS-AD26RD
BUS-61569-870W
BL-X2361
BU2506DF
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