分立半导体
数据表
M3D425
BC856F ; BC857F ; BC858F系列
PNP通用晶体管
初步speci fi cation
取代1998年的数据11月10日
1999年5月21日
飞利浦半导体
初步speci fi cation
PNP通用晶体管
特点
功耗媲美SOT23
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大65V）时。
应用
通用开关和放大特
在便携式设备。
描述
PNP晶体管封装在一个超小型SC- 89
（ SOT490 ）塑料SMD封装。
NPN补充： BC846F ， BC847F和BC848F系列。
记号
TYPE
数
BC856AF
BC856BF
BC857AF
BC857BF
记号
CODE
3A
3B
3E
3F
TYPE
数
BC857CF
BC858AF
BC858BF
BC858CF
记号
CODE
3G
3J
3K
3L
BC856F ; BC857F ; BC858F系列
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
手册， halfpage
3
3
1
2
MAM411
1
顶视图
2
Fig.1
简化外形（ SC- 89 ; SOT490 ）和
符号。
1999年5月21日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
PNP通用晶体管
BC856F ; BC857F ; BC858F系列
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BC856AF ; BC856BF
BC857AF ; BC857BF ; BC857CF
BC858AF ; BC858BF ; BC858CF
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC856AF ; BC856BF
BC857AF ; BC857BF ; BC857CF
BC858AF ; BC858BF ; BC858CF
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
65
45
30
5
100
200
100
250
+150
150
+150
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
80
50
30
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年5月21日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC856AF ; BC857AF ; BC858AF
BC856BF ; BC857BF ; BC858BF
BC857CF ; BC858CF
V
CESAT
V
BE
C
c
f
T
F
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
参数
从结点到环境的热阻
BC856F ; BC857F ; BC858F系列
条件
在自由空气中;注1
价值
500
单位
K / W
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
分钟。
马克斯。
15
5
100
250
475
800
200
400
750
820
2.5
10
单位
nA
A
nA
125
220
420
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的
I
C
=
200 A;
V
CE
=
5
V ;
S
= 2 k;
F = 1千赫B = 220赫兹
600
100
mV
mV
mV
mV
pF
兆赫
dB
1999年5月21日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
PNP通用晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BC856F ; BC857F ; BC858F系列
SOT490
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
A
1
e1
e
bp
2
w
M
B
Lp
细节X
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.8
0.6
b
p
0.33
0.23
c
0.2
0.1
D
1.7
1.5
E
0.95
0.75
e
1.0
e
1
0.5
H
E
1.7
1.5
L
p
0.5
0.3
v
0.1
w
0.1
概要
VERSION
SOT490
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-89
欧洲
投影
发行日期
98-10-23
1999年5月21日
5
BC857BF...BC860BF
PNP硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型： BC847BF ， BC848BF
BC849BF ， BC850BF （ NPN ）
TYPE
记号
引脚配置
包
3
1
2
BC857BF
BC858BF
BC859BF
BC860BF
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BC857BF ， BC860BF
BC858BF ， BC859BF
集电极 - 发射极电压
BC857BF ， BC860BF
BC858BF ， BC859BF
集电极 - 基极电压
BC857BF ， BC860BF
BC858BF ， BC859BF
发射极 - 基极电压
BC857BF ， BC860BF
BC858BF ， BC859BF
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
3Fs
3Ks
4Bs
4Fs
1=B
1=B
1=B
1=B
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
TSFP-3
TSFP-3
TSFP-3
TSFP-3
符号
V
首席执行官
价值
45
30
单位
V
V
CES
50
30
V
CBO
50
30
V
EBO
5
5
I
C
I
CM
I
BM
I
EM
P
合计
T
j
T
英镑
1
100
200
200
200
250
150
-65 ... 150
mA
mA
mW
°C
总功耗，
T
S
≤
128°C
结温
储存温度
Jun-16-2004
BC857BF...BC860BF
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
符号
R
thjs
价值
≤
90
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
单位
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 mA时， BC857BF ， BC860BF
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 mA时， BC858BF ， BC859BF
45
30
V
（ BR ） CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0 mA时， BC857BF ， BC860BF
I
C
= 10 A,
I
E
= 0 mA时， BC858BF ， BC859BF
50
30
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0 V ， BC857BF ， BC860BF
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0 V ， BC858BF ， BC859BF
50
30
V
（ BR ） EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1 A,
I
C
= 0 A
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 A
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 A,
T
A
= 150 °C
-
-
h
FE
-
-
250
290
75
250
700
850
650
-
0.015
5
-
-
475
mV
300
650
-
-
750
820
直流电流增益
2)
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
-
220
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
2)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BESAT
基极发射极饱和电压
2)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BE（上）
基射极电压
2)
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
2
脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％
600
-
1
对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
Jun-16-2004
BC857BF...BC860BF
PNP硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型： BC847BF ， BC848BF
BC849BF ， BC850BF （ NPN ）
TYPE
记号
引脚配置
包
3
1
2
BC857BF
BC858BF
BC859BF
BC860BF
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BC857BF ， BC860BF
BC858BF ， BC859BF
集电极 - 发射极电压
BC857BF ， BC860BF
BC858BF ， BC859BF
集电极 - 基极电压
BC857BF ， BC860BF
BC858BF ， BC859BF
发射极 - 基极电压
BC857BF ， BC860BF
BC858BF ， BC859BF
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
3Fs
3Ks
4Bs
4Fs
1=B
1=B
1=B
1=B
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
TSFP-3
TSFP-3
TSFP-3
TSFP-3
符号
V
首席执行官
价值
45
30
单位
V
V
CES
50
30
V
CBO
50
30
V
EBO
5
5
I
C
I
CM
I
BM
I
EM
P
合计
T
j
T
英镑
1
100
200
200
200
250
150
-65 ... 150
mA
mA
mW
°C
总功耗，
T
S
≤
128°C
结温
储存温度
Jun-16-2004
BC857BF...BC860BF
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
符号
R
thjs
价值
≤
90
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
单位
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 mA时， BC857BF ， BC860BF
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 mA时， BC858BF ， BC859BF
45
30
V
（ BR ） CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0 mA时， BC857BF ， BC860BF
I
C
= 10 A,
I
E
= 0 mA时， BC858BF ， BC859BF
50
30
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0 V ， BC857BF ， BC860BF
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0 V ， BC858BF ， BC859BF
50
30
V
（ BR ） EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1 A,
I
C
= 0 A
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 A
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 A,
T
A
= 150 °C
-
-
h
FE
-
-
250
290
75
250
700
850
650
-
0.015
5
-
-
475
mV
300
650
-
-
750
820
直流电流增益
2)
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
-
220
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
2)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BESAT
基极发射极饱和电压
2)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BE（上）
基射极电压
2)
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
2
脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％
600
-
1
对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
Jun-16-2004
QQ：2880707522 复制
