BC856系列
BC857系列
BC858系列
表面贴装
PNP硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体BC856 ， BC857
和BC858系列类型PNP硅晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
在一个表面贴装模压封装，专为
通用开关和放大器应用。
标记验证码：看标识代码表
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SOT- 23 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储结温
热阻
电动
符号
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCBO
BVCBO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
VBE （ON）的
fT
NF
注：反向铅代码可用，添加“R”到年底
该零件编号和标识代码。
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BC858
30
30
BC857
BC856
50
80
45
65
5.0
100
200
200
350
-65到+150
357
最大
15
4.0
100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
单位
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
dB
BC857C
BC858C
最小最大
420
800
特性：
（ TA = 25℃ ，除非
测试条件
VCB=30V
VCB = 30V ， TA = 150℃
VEB=5.0V
IC = 10μA （ BC858 ）
IC = 10μA （ BC857 ）
IC = 10μA （ BC856 ）
IC = 10毫安（ BC858 ）
IC = 10毫安（ BC857 ）
IC = 10毫安（ BC856 ）
IE=10μA
IC = 10毫安， IB = 0.5毫安
IC = 100mA时IB = 5.0毫安
IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V
IC = 10毫安， VCE = 5.0V
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 200μA ，
RS = 2.0KΩ ， F = 1.0KHz ， BW = 200Hz的
另有说明）
民
30
50
80
30
45
65
5.0
0.30
0.65
0.75
0.82
0.6
100
10
BC856A
BC857A
BC858A
最小最大
125 250
BC856B
BC857B
BC858B
最小最大
220 475
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安
R2 （ 2009年20月）
BC856系列
BC857系列
BC858系列
表面贴装
PNP硅晶体管
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码：
标准
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
设备
BC856A
BC856B
BC857A
BC857B
BC857C
BC858A
BC858B
BC858C
* REVERSE
1 ）发射
2 ）基
3 ）集电极
标识代码
3A
3B
3E
3F
3G
3J
3K
3L
*倒车线代码可用，添加“R”来的结束
零件编号和标识代码。
R2 （ 2009年20月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
公元前856 ...公元前860
PNP
通用晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
公元前856
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BC八百六十零分之八百五十七
45 V
50 V
5V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 859分之858
30 V
30 V
特性（T
j
= 25
/
C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10
:
A
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstrkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
1
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
B组
（典型值） 。 150
200...450
C组
（典型值） 。 270
420...800
h
FE
h
FE
（典型值） 。 90
110...220
H-参数为 - V
CE
= 5V ， - 我
C
= 2毫安， F = 1千赫
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
（典型值） 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
（典型值） 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
（典型值） 。 2 * 10
-4
（典型值） 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
（典型值） 。 3 * 10
-4
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
14
01.11.2003
通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
- V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
)
F = 200赫兹
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 30 ... 15千赫
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 10 ... 50赫兹
公元前856 ...
F
公元前858
BC八百六十○分之八百五十九
公元前859
公元前860
F
F
F
–
–
–
–
f
T
C
CB0
100兆赫
–
–
–
- I
EB0
–
–
- I
CB0
- I
CB0
–
–
–
–
- V
BEON
- V
BEON
600毫伏
–
-V
CESAT
-V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
–
–
–
–
公元前856 ...公元前860
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
90毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
650毫伏
–
马克斯。
250毫伏
600毫伏
–
–
750毫伏
820毫伏
15 nA的
5
:
A
100 nA的
–
6 pF的
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
2分贝
1分贝
1.2分贝
1.2分贝
10分贝
4分贝
4分贝
4分贝
0.11
:
V
420 K / W
2
)
等效噪声电压 - quivalente Rauschspannung
公元前860
u
F
–
R
THA
公元前846 ...公元前850
BC 856A = 3A
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen亲典型值
BC 857A = 3E
BC 858A = 3J
BC 856B = 3B
BC 857B = 3F
BC 858B = 3K
BC 859B = 4B
BC 860B = 4F
BC 857C = 3G
BC 858C = 3L
BC 859C = 4C
公元前860 = 4G
–
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
15
BC856...BC860
PNP硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型： BC846 ， BC847 ， BC848
BC849 ， BC850 （ NPN ）
3
2
1
VPS05161
TYPE
BC856A
BC856B
BC857A
BC857B
BC857C
BC858A
BC858B
BC858C
BC859A
BC859B
BC859C
BC860B
BC860C
记号
3As
3Bs
3Es
3Fs
3Gs
3Js
3Ks
3Ls
4As
4Bs
4Cs
4Fs
4Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
1
Dec-11-2001
MCC
特点
l
l
l
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BC856A
THRU
BC858C
PNP小
信号晶体管
310mW
SOT-23
A
D
非常适合自动插入
150℃结温
对于开关和AF放大器应用
o
机械数据
l
案例： SOT -23 ，模压塑料
l
码头：每MIL -STD- 202方法208
l
极性：见图
l
重量： 0.008克（约）
TYPE
BC856A
BC856B
BC857A
BC857B
标识代码（注2 ）
记号
TYPE
3A
BC857C
3B
BC858A
3E
BC858B
3F
BC858C
C
B
记号
3G
3J
3K
3L
F
E
G
H
J
最大额定值@ 25
o
C除非另有说明
charateristic
集电极 - 基极电压
符号
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
V
C B
价值
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5.0
-100
-200
-200
310
单位
V
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
尺寸
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
集电极 - 发射极电压
V
权证
V
EBO
I
C
I
C M
I
EM
V
V
mA
mA
mA
mW
o
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
功率耗散@ T
s
= 50℃ （注1）
工作&储存温度
o
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
P
d
T
j
, T
S T摹
-55~150
C
注意：
1.
包安装在陶瓷基板0.7毫米X 2.5厘米
2
区。
2.
电流增益小组“C”不适用于BC856
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
BC858B
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ PNP ）
特点
*功耗
P
CM
:
0.225
W（环境温度Tamb = 25
O
C）注1
*集电极电流
I
CM
:
-0.1
A
*集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
-30
V
工作和存储结温范围
*
T
J
,T
英镑
: -55
O
C至+150
O
C
SOT-23
集热器
3
机械数据
*
*
*
*
*
BASE
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
1
辐射源
2
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
O
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
尺寸以英寸（毫米）
电气特性
( @ T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= -10mA ，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= -10mA ，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= -10mA ，我
C
=0)
集电极截止电流（V
CB
= -25V ，我
E
=0)
集电极截止电流（V
CE
= -25V ，我
B
=0)
发射极截止电流（V
EB
= -5V ，我
C
=0)
直流电流增益（V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA ）
基射极饱和电压（I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA ）
过渡频率（V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ， F = 100MH
Z
)
器件标识
BC858B
注：1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2. “完全符合RoHS标准” ， “ 100 ％镀锡（无铅） ” 。
3K
2007-3
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
民
-30
-30
-5
-
-
-
220
-
-
100
最大
-
-
-
-0.1
-0.1
-0.1
475
-0.5
-1.1
-
单位
V
V
V
mA
mA
mA
-
V
V
MH
Z
o
f
T
免责声明
RECTRON公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此规范，责令改正，修改，增强或其他
变化。 RECTRON公司或任何代其不承担任何责任或liabi-
lity的任何错误或不准确之处。数据表规格及其信息
包含的意在仅提供一个产品的描述。 "Typical" paramet-
这可能包括在RECTRON数据表和/或规格ERS钙
n和做不同的应用和实际性能可能会随TI-
我。 RECTRON公司不承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路。
RECTRON产品不是设计，意或授权使用的医疗，
救命的植入物或用于生命维持或其他厘清的其他应用程序
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rectly或间接导致伤害或威胁生命没有明确的书面appr-
对使用或销售RECTRON组件在使用RECTRON公司客户椭圆形
这样的应用程序这样做在自己的风险，并应同意完全赔偿Rect-
罗恩公司及其子公司的所有索赔，损失和expendit-无害
URES 。
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大65V）时。
应用
通用的开关和放大。
描述
PNP晶体管在SOT23塑料包装。
NPN补充： BC846 ， BC847和BC848 。
记号
类型编号
BC856
BC856A
BC856B
BC857
BC857A
BC857B
BC857C
BC858B
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
订购信息
TYPE
数
BC856
BC857
BC858
包
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
标识代码
(1)
3D*
3A*
3B*
3H*
3E*
3F*
3G*
3K*
顶视图
手册， halfpage
BC856 ; BC857 ; BC858
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
1
2
MAM256
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
VERSION
SOT23
SOT23
SOT23
2004年01月16日
2
SMD型
PNP晶体管
KC856A,B/KC857A,B,C/KC858A,B,C
(BC856A,B/BC857A,B,C/BC858A,B,C)
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
对于开关和AF放大器应用
+0.1
1.3
-0.1
非常适合自动插入
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
KC856
集电极 - 基极电压
KC857
KC858
KC856
集电极 - 发射极电压
KC857
KC858
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
V
首席执行官
V
CBO
符号
等级
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
-0.1
200
150
-65到+150
V
A
mW
V
V
单位
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
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1
SMD型
KC856A,B/KC857A,B,C/KC858A,B,C
(BC856A,B/BC857A,B,C/BC858A,B,C)
符号
KC856
集电极 - 基极击穿电压
KC857
KC858
KC856
集电极 - 发射极击穿电压
KC857
KC858
发射极 - 基极击穿电压
KC856
集电极截止电流
KC857
KC858
KC856
集电极截止电流
KC857
KC858
发射极截止电流
KC856A ， 857A ， 858A
直流电流增益
KC856B ， 857B ， 858B
KC857C,KC858C
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极电容
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
I
C
= -100mA ，我
B
= -5毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= -100毫安，我
B
= -5mA
C
ob
f
T
V
CB
=-10V,f=1MHz
V
CE
= -5 V，I
C
= -
10mA,f=100MHz
100
h
FE
V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA
I
EBO
I
首席执行官
I
CBO
V
EBO
I
E
= -10ìA ，我
C
=0
V
CB
= -70 V，I
E
=0
V
CB
= -45 V，I
E
=0
V
CB
= -25 V，I
E
=0
V
CE
= -60 V，I
B
=0
V
CE
= -40 V，I
B
=0
V
CE
= -25 V，I
B
=0
V
EB
= -5 V，I
C
=0
120
220
420
V
首席执行官
I
c
= -10毫安，我
B
=0
V
CBO
I
c
= -10ìA ，我
E
=0
Testconditons
晶体管
电气特性TA = 25
参数
民
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
V
V
V
典型值
最大
单位
-0.1
A
-0.1
A
-0.1
250
475
800
-0.5
-1.1
4.5
A
V
V
pF
兆赫
记号
号
记号
号
记号
号
记号
KC856A
3A
KC857A
3E
KC858A
3J
KC856B
3B
KC857B
3F
KC858B
3K
KC857C
3G
KC858C
3L
2
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SMD型
KC856A,B/KC857A,B,C/KC858A,B,C
(BC856A,B/BC857A,B,C/BC858A,B,C)
典型特征
晶体管
图1静态特性
图2直流电流增益
图3基极发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4基极发射极电压ON
图5集电极输出电容
图6电流增益带宽积
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3
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