BC856- BC860 PNP外延硅晶体管
2006年8月
BC856- BC860
PNP外延硅晶体管
特点
开关和放大器的应用
适用于自动插入厚薄膜电路
低噪声： BC859 ， BC860
补到BC846 BC850 ...
2
1
3
tm
SOT-23
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值*
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
： BC856
： BC857 / 860
： BC858 / 859
价值
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
-100
310
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： BC856
： BC857 / 860
： BC858 / 859
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散功率
结温
储存温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
NF
参数
集电极截止电流
直流电流增益
测试条件
V
CB
= -30V ，我
E
=0
V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA
分钟。
110
典型值。
马克斯。
-15
800
单位
nA
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA
基射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
： BC856 /八百五十八分之八百五十七
： BC859 / 860
： BC859
： BC860
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA
f=100MHz
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -5V ，我
C
= -200A
R
G
= 2KΩ中，f = 1KHz的
V
CE
= -5V ，我
C
= -200A
R
G
= 2KΩ ， F = 30 15000Hz
-600
-90
-250
-700
-900
-660
150
-300
-650
mV
mV
mV
mV
-750
-800
mV
mV
兆赫
6
2
1
1.2
1.2
10
4
4
2
pF
dB
dB
dB
dB
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
BC856- BC860版本B
BC856- BC860 PNP外延硅晶体管
h
FE
分类
分类
h
FE
A
110 ~ 220
B
200 ~ 450
C
420 ~ 800
订购信息
设备
(note1)
BC856AMTF
BC856BMTF
BC856CMTF
BC857AMTF
BC857BMTF
BC857CMTF
BC858AMTF
BC858BMTF
BC858CMTF
BC859AMTF
BC859BMTF
BC859CMTF
BC860AMTF
BC860BMTF
BC860CMTF
注1 ：
器件标识
9AA
9AB
9AC
9BA
9BB
9BC
9CA
9CB
9CC
9DA
9DB
9DC
9EA
9EB
9EC
包
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
包装方法
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
数量（PCS ）
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
销Difinitions
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
缀“ -A，-B ，-C ”指的hFE分类。
贴上“ M”指的磨砂型封装。
贴上“ -TF ”是指磁带&卷筒式包装。
2
BC856- BC860版本B
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BC856- BC860 PNP外延硅晶体管
商标
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将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
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提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何责任
任何产品或电路此处所述，它也没有传达任何许可根据其专利权，也不是
他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款的，特殊
CIFICALLY所述的保修涵盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，但不
飞兆半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统设备或其中， （一）是系统
打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，或
（三）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件
其不履行可以合理预期造成的故障
生命支持设备或系统的，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I20
5
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