BC856AWT1系列，
BC857BWT1系列，
BC858AWT1系列
首选设备
通用
晶体管
PNP硅
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -323 / SC- 70，它是
专为低功率表面贴装应用。
器件标识：
BC856AWT1 = 3A
BC856BWT1 = 3B
BC857BWT1 = 3F
BC857CWT1 = 3G
BC858AWT1 = 3J
BC858BWT1 = 3K
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 -
连续
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
BC856
–65
–80
–5.0
–100
BC857
–45
–50
–5.0
–100
BC858
–30
–30
–5.0
–100
单位
V
V
V
MADC
请参阅设备
标志着上市
最大
150
单位
mW
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集热器
3
1
BASE
2
辐射源
3
1
2
SOT–323/SC–70
CASE 419
方式3
器件标识
热特性
特征
器件总功耗
FR- 5板（1）
TA = 25°C
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
符号
PD
R
qJA
TJ ， TSTG
833
-55到+150
° C / W
°C
订购信息
设备
BC856AWT1
BC856BWT1
BC857BWT1
BC857CWT1
BC858AWT1
BC858BWT1
包
SOT–323
SOT–323
SOT–323
SOT–323
SOT–323
SOT–323
航运
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年10月 - 第2版
出版订单号：
BC856AWT1/D
BC856AWT1系列， BC857BWT1系列， BC858AWT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10毫安）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10
A,
VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
毫安）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -1.0
毫安）
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857B只有
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
V（ BR ） CEO
–65
–45
–30
–80
–50
–30
–80
–50
–30
–5.0
–5.0
–5.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–15
–4.0
V
V（ BR ） CES
V
V（ BR ） CBO
V
V（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（ VCB = -30 V）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -30 V， TA = 150 ° C）
ICBO
nA
A
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
A,
VCE = -5.0 V）
BC856A ， BC585A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C
BC856A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C
VCE （ SAT ）
–
–
VBE （ SAT ）
–
–
VBE （ON）的
–0.6
–
–
–
–0.75
–0.82
–0.7
–0.9
–
–
V
–
–
–0.3
–0.65
V
的hFE
–
–
–
125
220
420
90
150
270
180
290
520
–
–
–
250
475
800
V
–
（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）
（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）
（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）
基射极电压ON
（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = -0.2毫安， VCE = -5.0伏， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
fT
COB
NF
100
–
–
–
–
–
–
4.5
10
兆赫
pF
dB
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2
BC856AWT1系列， BC857BWT1系列， BC858AWT1系列
BC857/BC858
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
VCE = -10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.2
-0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
-50
IC ，集电极电流（ MADC ）
-100 -200
0
-0.1 -0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
IC ，集电极电流（ MADC ）
-50
-100
VBE （ ON） @ VCE = -10 V
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.3
图1.归DC电流增益
-2.0
TA = 25°C
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
IC =
-10毫安
IC = -50毫安
IC = -20毫安
IC = -200毫安
IC = -100毫安
1.0
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
-55 ° C至+ 125°C
-0.02
-0.1
-1.0
IB ，基极电流（毫安）
-10 -20
-0.2
-10
-1.0
IC ，集电极电流（毫安）
-100
图3.集电极饱和区
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
2.0
COB
兴业银行
TA = 25°C
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
400
300
200
150
100
80
60
40
30
图4.基射极温度系数
VCE = -10 V
TA = 25°C
1.0
-0.4 -0.6
-1.0
-2.0
-4.0 -6.0
-10
-20 -30 -40
20
-0.5
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0
-10
-20
-30
-50
VR ，反向电压（伏）
IC ，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
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3
BC856AWT1系列， BC857BWT1系列， BC858AWT1系列
BC856
-1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = -5.0 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
-0.1 -0.2
-1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200
IC ，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
TJ = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
-0.2
-0.5
-50 -100 -200
-5.0 -10 -20
-1.0 -2.0
IC ，集电极电流（毫安）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = -5.0 V
图7.直流电流增益
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
TJ = 25°C
0
-0.02
-0.05 -0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
IB ，基极电流（毫安）
-5.0
-10
-20
IC =
-10毫安
-20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
-1.0
-1.4
-1.8
-2.2
-2.6
-3.0
-0.2
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VB的VBE
-55 ° C至125°C
-0.5 -1.0
-50
-2.0
-5.0 -10 -20
IC ，集电极电流（毫安）
-100 -200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
TJ = 25°C
兴业银行
500
200
100
50
20
VCE = -5.0 V
C，电容（pF ）
20
10
8.0
6.0
4.0
2.0
-0.1 -0.2
COB
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
VR ，反向电压（伏）
-50 -100
-100
-1.0
-10
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
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4
BC856AWT1系列， BC857BWT1系列， BC858AWT1系列
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
0.1
D = 0.5
0.2
0.05
单脉冲
单脉冲
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 83.3 ° C / W MAX
Z
θJA
（吨）= R（T ）R
θJA
R
θJA
= 200 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
1.0 k
2.0 k
5.0 k 10 k
图13.热响应
-200
IC ，集电极电流（毫安）
-100
-50
TA = 25°C
1s
TJ = 25°C
3毫秒
-10
-5.0
-2.0
-1.0
BC858
BC857
BC856
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
-5.0
-10
-30 -45 -65 -100
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
安全工作区曲线表明IC- VCE lim-
该晶体管的其必须为可靠工作被观察
累加器。具体电路集电极负载线必须下降
下面由适用的曲线所指示的限制。
图14的数据是基于TJ （峰） = 150 ℃; TC
或TA是可变的，这取决于条件。脉冲曲线
有效期为占空比为10 ％，提供的TJ （ PK）
≤
150°C.
TJ （ pk）的可从数据计算在图13中在
高的情况下，或环境温度，热限制
将减少可处理到的值更小的功率
比由二次击穿所造成的限制。
图14.活动区的安全工作区
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5
QQ：2881677436 复制
