BC856通BC859
威世半导体
原通用半导体
小信号晶体管（ PNP ）
贴装焊盘布局
0.031 (0.8)
TO- 236AB （ SOT -23 ）
.122 (3.1)
.110 (2.8)
.016 (0.4)
3
.056 (1.43
)
.052 (1.33
)
0.035 (0.9)
0.079 (2.0)
顶视图
引脚配置
1
=基地，
2
=发射器，
3
=收藏家
0.037 (0.95)
0.037 (0.95)
TYPE
尺寸以英寸
（毫米）
记号
3A
3B
3E
3F
3G
TYPE
BC858A
B
C
BC859A
B
C
记号
3J
3K
3L
4A
4B
4C
1
2
最大。 0.004 （0.1）
BC856A
B
BC857A
B
C
.007 (0.175)
.005 (0.125)
.037(0.95) .037(0.95)
.045 (1.15)
.037 (0.95)
.016 (0.4)
.016 (0.4)
.102 (2.6)
.094 (2.4)
特点
PNP硅外延平面晶体管的开关
和AF放大器应用。
特别适用于自动插入厚
薄膜电路。
这些晶体管被分为3组
（ A，B和C），根据其电流增益。类型
BC856在A组和B可用，然而，种类
BC857 ， BC558和BC859可以在所有三个供给
组。该BC849是一款低噪声类型。
互补类型的NPN晶体管
BC846 ... BC849是recomended 。
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
机械数据
案例：
SOT- 23塑料包装
重量：
约。 0.008克
包装代码/选项：
13元“卷（ 8mm带） ， 30K /盒E8 / 10K
每7 “卷轴（8毫米磁带） ， 30K /盒E9 / 3K
最大额定值和热特性
参数
集电极 - 基极电压
BC856
BC857
BC858 ， BC859
BC856
BC857
BC858 ， BC859
BC856
BC857
BC858 ， BC859
符号
–V
CBO
价值
80
50
30
80
50
30
65
45
30
5
100
200
200
200
310
(1)
单位
V
集电极 - 发射极电压（基本短路）
–V
CES
V
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
在T功耗
SB
= 50°C
热阻结到环境空气
–V
首席执行官
–V
EBO
–I
C
–I
CM
–I
BM
I
EM
P
合计
R
θJA
R
ΔSb
T
j
T
S
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
° C / W
°C
°C
450
(1)
320
(1)
150
-65到+150
热阻结到衬底背面
结温
存储温度范围
注意：
（ 1 ）设备上的玻璃基板，看到第三页的布局。
文档编号88169
09-May-02
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1
BC856通BC859
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
参数
电流增益
电流增益A组
B
C
电流增益A组
B
C
电流增益A组
B
C
电流增益A组
B
C
电流增益A组
B
C
电流增益A组
B
C
集电极饱和电压
基本饱和电压
基射极电压V
BEON
集电极 - 基极截止电流
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
BC856 ， BC857 ， BC858
BC859
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
h
fe
测试条件
–V
CE
= 5V ， -I
C
= 2毫安
F = 1kHz时
–V
CE
= 5V ， -I
C
= 2毫安
F = 1kHz时
–V
CE
= 5V ， -I
C
= 2毫安
F = 1kHz时
–V
CE
= 5V ， -I
C
= 2毫安
F = 1kHz时
–V
CE
= 5V ， -I
C
= 10A
民
—
—
—
1.6
3.2
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
110
200
420
—
—
—
—
660
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
220
330
600
2.7
4.5
8.7
18
30
60
1.5
10
–4
2
10
–4
3
10
–4
90
150
270
180
290
520
90
250
700
900
750
—
—
—
150
—
2
1
1.2
最大
—
—
—
4.5
8.5
15.0
30
60
110
—
—
—
—
—
—
220
450
800
300
650
—
—
mV
820
15
5
—
6
10
4
单位
—
—
—
k
输入阻抗
h
ie
输出导纳
h
oe
S
—
—
—
—
—
—
—
—
—
mV
mV
反向电压
传输比
直流电流增益
h
re
h
FE
h
FE
–V
CE
= 5 V ， -I
C
= 2毫安
–V
CESAT
–V
BESAT
–I
C
= 10毫安， -I
B
- 0.5毫安
–I
C
= 100毫安， -I
B
= 5毫安
–I
C
= 10毫安， -I
B
- 0.5毫安
–I
C
= 100毫安， -I
B
= 5毫安
–V
CE
= 5 V ， -I
C
= 2毫安
600
–V
CE
= 5 V ， -I
C
= 10毫安
–I
CBO
f
T
C
CBO
–V
CB
–V
CB
= 30V
= 30V ，T
J
= 150C
nA
A
兆赫
pF
–V
CE
= 5V ， -I
C
= 10毫安
F = 100MHz的
–V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
–V
CE
= 5V ， -I
C
= 200A
R
G
=2k,f=1kHz,
f=
200Hz
F
BC859
–V
CE
= 5V ， -I
C
= 200A
R
G
= 2kΩ的， F = 30 ... 15000Hz
4
dB
注意：
（ 1 ）设备上的玻璃基板，见下页的布局
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2
文档编号88169
09-May-02
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