飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用双晶体管
特点
低集电极电容
低集电极 - 发射极饱和电压
紧密匹配的电流增益
减少了组件和boardspace数
晶体管之间不相互干扰。
应用
通用的开关和放大。
描述
PNP晶体管双在SC- 88 ; SOT363塑料
封装。 NPN补充: BC847BS 。
记号
类型编号
BC857BS
标识代码
3Ft
Fig.1
1
顶视图
2
3
1
MAM339
BC857BS
钉扎
针
1, 4
2, 5
6, 3
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
手册, halfpage
6
5
4
5
4
6
TR2
TR1
2
3
简化外形( SC- 88 ; SOT363 )
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
总功耗
T
AMB
≤
25
°C;
注1
300
mW
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
50
45
5
100
200
200
200
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月26日
2