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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第473页 > BC857BM
分立半导体
数据表
M3D883
底部视图
BC857M系列
PNP通用晶体管
产品数据表
取代2003年的数据07月15日
2004年03月10日
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
特点
无铅超小型塑料包装
(1 mm
×
0.6 mm
×
0.5 mm)
电路板空间1.3
×
0.9 mm
功耗媲美SOT23封装。
应用
通用小信号DC
中低频交流应用
移动通信，数字（仍然）相机，PDA ，
PCMCIA卡。
描述
在SOT883 PNP通用晶体管无铅超
小塑料包。
NPN补充： BC847M系列。
记号
类型编号
BC857AM
BC857BM
BC857CM
订购信息
包
类型编号
名字
BC857AM
BC857BM
BC857CM
描述
标识代码
D1
D2
D3
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
BC857M系列
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
马克斯。
45
100
200
单位
V
mA
mA
描述
手册， halfpage
3
3
1
2
2
1
底部视图
MAM469
Fig.1简化外形（ SOT883 ）和符号。
VERSION
SOT883
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0× 0.6× 0.5毫米
2004年03月10日
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
T
AMB
≤
25
°C
注1
注2
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
储存温度
结温
工作环境温度
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
BC857M系列
马克斯。
50
45
5
100
200
100
250
430
+150
150
+150
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
1.参考SOT883标准安装条件（足迹） ， FR4 60
μm
铜带线。
2.设备安装在FR4印刷电路板，单面铜，集电极安装焊盘1厘米
2
.
热特性
符号
R
号（j -a）的
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注2
笔记
1.参考SOT883标准安装条件（足迹） ， FR4 60
μm
铜带线。
2.设备安装在FR4印刷电路板，单面铜，集电极安装焊盘1厘米
2
.
500
290
K / W
K / W
价值
单位
2004年03月10日
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
BC857AM
BC857BM
BC857CM
V
BE
V
CESAT
C
c
f
T
F
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极电容
跃迁频率
噪声系数
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
V
CE
=
5
V ;我
C
=
10
毫安;
F = 100 MHz的
I
C
=
200 μA;
V
CE
=
5
V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
条件
V
CB
=
30
V ;我
E
= 0
V
CB
=
30
V ;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
2
mA
125
220
420
600
100
BC857M系列
分钟。
马克斯。
15
5
100
250
475
800
750
820
200
400
2.5
10
单位
nA
μA
nA
mV
mV
mV
mV
pF
兆赫
dB
2004年03月10日
4
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
图形信息BC857AM
MLE188
BC857M系列
手册， halfpage
500
手册， halfpage
1200
VBE
（毫伏）
1000
MLE189
的hFE
400
(1)
(1)
300
800
(2)
200
(2)
600
(3)
100
400
(3)
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
200
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.3
图2直流电流增益;典型值。
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
4
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
3
MLE190
手册， halfpage
1200
MLE191
VBEsat
（毫伏）
1000
(1)
(2)
800
10
2
(1)
(2)
(3)
600
(3)
400
10
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
200
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
基极 - 发射极饱和电压作为
集电极电流的函数;典型值。
2004年03月10日
5
分立半导体
数据表
M3D883
底部视图
BC857M系列
PNP通用晶体管
产品speci fi cation
取代2003年的数据07月15日
2004年03月10日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
特点
无铅超小型塑料包装
(1 mm
×
0.6 mm
×
0.5 mm)
电路板空间1.3
×
0.9 mm
功耗媲美SOT23封装。
应用
通用小信号DC
中低频交流应用
移动通信，数字（仍然）相机，PDA ，
PCMCIA卡。
描述
在SOT883 PNP通用晶体管无铅超
小塑料包。
NPN补充： BC847M系列。
记号
类型编号
BC857AM
BC857BM
BC857CM
订购信息
包
类型编号
名字
BC857AM
BC857BM
BC857CM
描述
标识代码
D1
D2
D3
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
BC857M系列
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
马克斯。
45
100
200
单位
V
mA
mA
描述
手册， halfpage
3
3
1
2
2
1
底部视图
MAM469
Fig.1简化外形（ SOT883 ）和符号。
VERSION
SOT883
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0× 0.6× 0.5毫米
2004年03月10日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
T
AMB
≤
25
°C
注1
注2
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
储存温度
结温
工作环境温度
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
BC857M系列
马克斯。
50
45
5
100
200
100
250
430
+150
150
+150
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
1.参考SOT883标准安装条件（足迹） ， FR4 60
m
铜带线。
2.设备安装在FR4印刷电路板，单面铜，集电极安装焊盘1厘米
2
.
热特性
符号
R
号（j -a）的
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注2
笔记
1.参考SOT883标准安装条件（足迹） ， FR4 60
m
铜带线。
2.设备安装在FR4印刷电路板，单面铜，集电极安装焊盘1厘米
2
.
500
290
K / W
K / W
价值
单位
2004年03月10日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
BC857AM
BC857BM
BC857CM
V
BE
V
CESAT
C
c
f
T
F
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
V
CE
=
5
V ;我
C
=
10
毫安;
F = 100 MHz的
I
C
=
200 A;
V
CE
=
5
V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
条件
V
CB
=
30
V ;我
E
= 0
V
CB
=
30
V ;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
2
mA
125
220
420
600
100
BC857M系列
分钟。
马克斯。
15
5
100
250
475
800
750
820
200
400
2.5
10
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
pF
兆赫
dB
2004年03月10日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
图形信息BC857AM
MLE188
BC857M系列
手册， halfpage
500
手册， halfpage
1200
VBE
（毫伏）
1000
MLE189
的hFE
400
(1)
(1)
300
800
(2)
200
(2)
600
(3)
100
400
(3)
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
200
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.3
图2直流电流增益;典型值。
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
4
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
3
MLE190
手册， halfpage
1200
MLE191
VBEsat
（毫伏）
1000
(1)
(2)
800
10
2
(1)
(2)
(3)
600
(3)
400
10
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
200
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
基极 - 发射极饱和电压作为
集电极电流的函数;典型值。
2004年03月10日
5
分立半导体
数据表
M3D883
底部视图
BC857M系列
PNP通用晶体管
产品speci fi cation
取代2003年的数据07月15日
2004年03月10日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
特点
无铅超小型塑料包装
(1 mm
×
0.6 mm
×
0.5 mm)
电路板空间1.3
×
0.9 mm
功耗媲美SOT23封装。
应用
通用小信号DC
中低频交流应用
移动通信，数字（仍然）相机，PDA ，
PCMCIA卡。
描述
在SOT883 PNP通用晶体管无铅超
小塑料包。
NPN补充： BC847M系列。
记号
类型编号
BC857AM
BC857BM
BC857CM
订购信息
包
类型编号
名字
BC857AM
BC857BM
BC857CM
描述
标识代码
D1
D2
D3
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
BC857M系列
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
马克斯。
45
100
200
单位
V
mA
mA
描述
手册， halfpage
3
3
1
2
2
1
底部视图
MAM469
Fig.1简化外形（ SOT883 ）和符号。
VERSION
SOT883
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0× 0.6× 0.5毫米
2004年03月10日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
T
AMB
≤
25
°C
注1
注2
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
储存温度
结温
工作环境温度
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
BC857M系列
马克斯。
50
45
5
100
200
100
250
430
+150
150
+150
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
1.参考SOT883标准安装条件（足迹） ， FR4 60
m
铜带线。
2.设备安装在FR4印刷电路板，单面铜，集电极安装焊盘1厘米
2
.
热特性
符号
R
号（j -a）的
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注2
笔记
1.参考SOT883标准安装条件（足迹） ， FR4 60
m
铜带线。
2.设备安装在FR4印刷电路板，单面铜，集电极安装焊盘1厘米
2
.
500
290
K / W
K / W
价值
单位
2004年03月10日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
BC857AM
BC857BM
BC857CM
V
BE
V
CESAT
C
c
f
T
F
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
V
CE
=
5
V ;我
C
=
10
毫安;
F = 100 MHz的
I
C
=
200 A;
V
CE
=
5
V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
条件
V
CB
=
30
V ;我
E
= 0
V
CB
=
30
V ;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
2
mA
125
220
420
600
100
BC857M系列
分钟。
马克斯。
15
5
100
250
475
800
750
820
200
400
2.5
10
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
pF
兆赫
dB
2004年03月10日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
图形信息BC857AM
MLE188
BC857M系列
手册， halfpage
500
手册， halfpage
1200
VBE
（毫伏）
1000
MLE189
的hFE
400
(1)
(1)
300
800
(2)
200
(2)
600
(3)
100
400
(3)
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
200
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.3
图2直流电流增益;典型值。
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
4
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
3
MLE190
手册， halfpage
1200
MLE191
VBEsat
（毫伏）
1000
(1)
(2)
800
10
2
(1)
(2)
(3)
600
(3)
400
10
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
200
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
基极 - 发射极饱和电压作为
集电极电流的函数;典型值。
2004年03月10日
5
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