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BC857...-BC860...
PNP硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型：
BC847 ...- BC850 ... （ NPN ）
无铅（符合RoHS标准）封装
合格的依据AEC Q101
1)
1
BC857BL3
根据AEC Q101是没有资格
TYPE
BC857A
BC857B
BC857BL3*
BC857BW
BC857C
BC857CW
BC858A
BC858B
BC858BW
BC858C
BC858CW
BC859C
BC860B
BC860BW
BC860CW
记号
3Es
3Fs
3F
3Fs
3Gs
3Gs
3Js
3Ks
3Ks
3Ls
3Ls
4Cs
4Fs
4Fs
4Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
SOT23
SOT23
TSLP-3-1
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT23
SOT323
SOT323
*没有资格根据AEC Q101
1
2011-09-19
BC857...-BC860...
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BC857 ... ， BC860 ...
BC858 ... ， BC859 ...
集电极 - 基极电压
BC857 ... ， BC860 ...
BC858 ... ， BC859 ...
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流，
t
p
≤
10毫秒
总功耗
T
S
≤
71 ° C， BC857 - BC860
T
S
≤
135 ° C， BC857BL3
T
S
≤
124 ° C， BC857W - BC860W
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BC857-BC860
BC857BL3
BC857W-BC860W
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
符号
V
首席执行官
价值
45
30
单位
V
V
CBO
50
30
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
330
250
250
150
-65 ... 150
价值
≤
240
≤
60
≤
105
单位
K / W
°C
5
100
200
mW
mA
1
对于计算
R
thJA请参考应用笔记AN077 （热阻计算）
2
2011-09-19
BC857...-BC860...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， ... BC857 ， BC860 ...
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， ... BC858 ， BC859 ...
单位
V
45
30
V
（ BR ） CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0， ... BC857 ， BC860 ...
I
C
= 10 A,
I
E
= 0， ... BC858 ， BC859 ...
50
30
V
（ BR ） EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1 A,
I
C
= 0
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 45 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
h
FE
-
-
140
250
480
180
290
520
0.015
5
-
-
-
-
250
475
800
mV
直流电流增益
1)
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.A
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.B
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.C
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.C
-
-
-
125
220
420
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BESAT
75
250
700
850
650
-
300
650
-
-
750
820
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BE（上）
基射极电压
1)
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
1
脉冲
600
-
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
3
2011-09-19
BC857...-BC860...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
f
T
C
cb
C
eb
h
11e
符号
分钟。
-
-
-
值
典型值。
250
1.5
8
马克斯。
-
-
-
单位
兆赫
pF
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
, h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
, h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
, h
FE
-grp.C
k
-
-
-
2.7
4.5
8.7
1.5
2
3
200
330
600
18
30
60
1
-
-
-
10
-4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S
-
-
-
-
-
-
4
dB
开路反向电压互感器。比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
, h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
, h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
, h
FE
-grp.C
h
12e
短路正向电流互感器。比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
, h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
, h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
, h
FE
-grp.C
h
21e
开路输出导纳
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
, h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
, h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
, h
FE
-grp.C
h
22e
噪声系数
I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
F
-
f
= 200赫兹，
R
S
= 2 kΩ的， BC859 ， BC850
等效噪声电压
I
C
= 200毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k,
f
= 10 ... 50赫兹， BC860
V
n
-
-
0.11
V
4
2011-09-19
BC857...-BC860...
直流电流增益
h
FE
=
(
I
C
)
V
CE
= 1 V
10
3
EHP00382
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(
V
CESAT
),
h
FE
= 20
10
2
EHP00380
h
FE
5
100 C
25 C
Ι
C
mA
100 C
25 C
-50 C
10
2
5
-50 C
10
1
5
10
1
5
10
5
0
10
0
10
-2
5 10
-1
5 10
0
5 10
1
10毫安
2
10
-1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V 0.5
V
CESAT
Ι
C
基射极饱和电压
I
C
=
(
V
BESAT
),
h
FE
= 20
10
2
mA
EHP00379
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
(
T
A
)
V
CBO
= 30 V
10
4
nA
EHP00381
Ι
C
100 C
25 C
-50C
Ι
CB0
10
3
5
10
2
5
10
1
5
10
5
0
10
5
1
最大
典型值
10
0
5
10
-1
10
-1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
1.2
V
BESAT
0
50
100
C
T
A
150
5
2011-09-19
查看更多BC857BE6327PDF信息
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BS62LV2008
BE1570/605
B72260B0231K001
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BC807-40
BC80740
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    BC857BE6327
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