BC856系列
BC857系列
BC858系列
表面贴装
PNP硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BC856 ，
BC857和BC858系列类型PNP硅
由外延平面制造的晶体管
过程中，环氧树脂模制在一个表面安装型
封装，设计用于通用开关
和放大器应用。
标识代码：请参阅标记
代码表下页
SOT- 23 CASE
最大额定值
(TA=25°C)
符号
集电极 - 基极电压
VCBO
集电极 - 发射极电压
VCEO
发射极 - 基极电压
VEBO
集电极电流
IC
峰值集电极电流
ICM
峰值电流基地
IBM
功耗
PD
工作和存储
结温
TJ ， TSTG
热阻
Θ
JA
BC858
30
30
注：反向铅代码可用，添加“R”来
的零件号结束，标识代码。
BC857
50
45
5.0
100
200
200
350
-65到+150
357
BC856
80
65
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICBO
VCB = 30V
ICBO
VCB = 30V ， TA = 150℃
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC = 10μA （ BC858 ）
30
BVCBO
IC = 10μA （ BC857 ）
50
BVCBO
IC = 10μA （ BC856 ）
80
BVCEO
IC = 10毫安（ BC858 ）
30
BVCEO
IC = 10毫安（ BC857 ）
45
BVCEO
IC = 10毫安（ BC856 ）
65
BVEBO
IE=10A
5.0
VCE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 0.5毫安
VCE （ SAT ）
IC = 100mA时IB = 5.0毫安
IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V
0.6
VBE （ON）的
VBE （ON）的
IC = 10毫安， VCE = 5.0V
fT
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
100
NF
VCE = 5.0V ， IC = 200μA ，
RS = 2KΩ中，f = 1KHz时， BW = 200Hz的
BC856A
BC857A
BC858A
民
最大
125
250
典型值
最大
15
4.0
100
0.3
0.65
0.75
0.82
单位
nA
A
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
dB
10
BC856B
BC857B
BC858B
民
最大
220
475
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安
BC857C
BC858C
民
最大
420
800
R1 （ 2004年10月）
BC846
BC848
BC850
参数
BC847
BC849
电气特性（续）
符号
h
ie
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
第六组
A组
B组
C组
第六组
A组
h
re
典型值
典型值
典型值
典型值
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
第六组
A组
B组
C组
h
oe
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
20
40
18
30
30
60
60
110
60
110
60
110
450
600
900
20
40
18
30
2.5
1.5
2
75
110
150
125
220
260
2.5
1.5
2
75
110
150
125
220
260
BC846 BC847 BC848 BC849 BC850
单位条件。
k
k
k
k
k
k
k
k
k
动态
第六组
特征
A组
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
3.2
4.5
8.5
6
8.7
15
2.5
1.5
2
3
75
110
150
125
220
260
240
330
500
450
600
900
20
40
18
30
B组
C组
6
8.7
15
2
3
6
8.7
15
2
3
k
k
k
x10
-4
x10
-4
x10
-4
x10
-4
h
fe
V
CE
=5V
Ic=2mA
B组
C组
450
600
900
450
600
900
s
s
s
s
s
s
s
s
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
BC857
PNP硅晶体管
说明
通用的应用程序
开关应用
引脚连接
特点
高电压： V
首席执行官
=-45V
互补配对BC847
C
B
E
SOT-23
订购信息
型号
BC857
记号
UA
□ □
① ② ③
①
器件代码
②
排名的hFE
③
Year&Week码
封装代码
SOT-23
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
-50
-45
-5
-100
200
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压
基地发射极导通电压
基地发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
(Ta=25°C)
符号
BV
首席执行官
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
I
CBO
h
FE
*
f
T
C
ob
NF
测试条件
I
C
= -2mA ，我
B
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=-2mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-5mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-5mA
V
CB
= -35V ，我
E
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
=-2mA
V
CB
= -5V ，我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -5V ，我
C
=-200μA,
f=1KHz,Rg=2KΩ
分钟。典型值。马克斯。
-45
-
-
-
-
110
-
-
-
-
-
-900
-
-
-
150
-
-
-
-700
-
-650
-15
800
-
4.5
10
单位
V
mV
mV
mV
nA
-
兆赫
pF
dB
* : h
FE
排名/ A ： 110 220 ， B： 200 450 ，C ： 420 800
KSD-T5C031-000
1
BC857
该AUK公司产品用于使用在一般的电子元件
设备（办公室和通信设备，测量设备，家用
设备等）。
请确保您与我们协商，然后再使用这些AUK公司产品前
在需要较高的质量和/或可靠性，设备和在设备，而
可能主要影响到人类生活的福利（原子能控制，飞机，
飞船，运输，燃烧控制，所有类型的安全装置，等等）。 AUK
公司不承担责任，以可能发生的情况下，这些AUK公司的任何损害
产品使用在上述设备不与AUK事先协商
公司..
本出版物中提到的规格如有变更，恕不另行通知。
KSD-T5C031-000
4
BC856系列
数据表
PNP通用晶体管
225毫瓦
动力
电压
65/45/30伏特
特点
通用运算放大器应用
NPN硅外延，平面设计
集电极电流Ic = -100mA
免费（ PnP）设备： BC846 / BC847 / BC848 / BC849系列
符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
机械数据
案例： SOT -23
码头：每MIL -STD- 750 ，方法2026
大约重量： 0.008克
器件标识：
B C 856A = 56A
B C 856B = 56B
B C 857A = 57A
B C 857B = 57B
B C 857C = 57C
B C 858A = 58A
B C 858B = 58B
B C 858C = 58℃
B C 859B = 59B
B C 859C = 59C
顶视图
3
集热器
3
集热器
1
BASE
1
BASE
2
辐射源
2
辐射源
绝对最大额定值
PA RA M E TE
C 0 LLE 至R -E MI TTE 武LTA克é
C 0 LLE C到R-B A S é武LTA克é
MI TTE R-B A S é武LTA克é
C 0 L L权证吨 R C乌尔鄂西北 - C NT I傩我们
马X P o我们R D所I S的I P A TI 0：N （无德1 ）
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
S YM B○升
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
合计
T
J
, T
s TG
BC856
-65
-80
BC857
-45
-50
-5
-100
225
BC858
BC859
-30
-30
加利它s
V
V
V
mA
mW
- 5 0到+ 1 5 0
O
C
REV.0.1-FEB.9.2009
PAGE 。 1
BC856系列
热特性
参数
热阻，结到环境
符号
R
θJA
价值
556
单位
O
C / W
注1 ：晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062的最小焊盘布局。
EL ECTRICAL特性（T
J
= 25℃，除非另有说明）
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -10mA ，我
B
=0)
BC856A,B
BC857A ， B，C V
（ BR ）
首席执行官
BC858A ， B，C ， BC859B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= -10μA ，我
E
=0)
BC856A,B
BC857A ， B，C V
（ BR ）
CBO
BC858A ， B，C ， BC859B ，C
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= -1μA ，我
C
=0)
V
（ BR ）
EBO
I
EBO
符号
分钟。
-65
-45
-30
-80
-50
-30
-5.0
-
-
T
J
=150
O
C
直流电流增益
(I
C
= -10μA ，V
CE
=-5V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
h
FE
(I
C
= -2.0mA ，V
CE
=-5V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -10mA ，我
B
=-0.5mA)
V
CE （ SAT ）
(I
C
= -100mA ，我
B
=-5.0mA)
基地 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10mA ，我
B
=-0.5mA)
V
BE （ SAT ）
(I
C
= -100mA ，我
B
=-5.0mA)
基地 - 发射极电压上
(I
C
= -2.0mA ，V
CE
=-5.0V)
V
BE（上）
(I
C
= -10mA ，V
CE
=-5.0V)
集电极 - 基极电容
电流增益 - 带宽积
F
T
(I
C
= -10mA ，V
CE
= -5.0V ， F = 100MHz时）
REV.0.1-FEB.9.2009
PAGE 。 2
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
150
270
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-100
-15
-4.0
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
uA
发射基截止电流（V
EB
=-5V)
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= -30V ，我
E
=0)
I
CBO
-
-
-
-
-
110
200
420
-
-
-
-
-0.60
-
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
-
-
-
220
450
800
-0.3
V
-0.65
-
V
-
-0.75
V
-0.82
4.5
pF
(V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的）
C
CB
-
-
200
-
兆赫
BC856系列
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改，恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
REV.0.1-FEB.9.2009
PAGE 。 4
BC856…BC858
PNP硅通用晶体管
对于开关和放大器应用
SOT- 23塑料包装
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
器件总功耗
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
CM
P
合计
R
θJA
T
J
, T
s
BC856
80
65
BC857
50
45
5
100
200
200
417
- 55至+ 150
BC858
30
30
单位
V
V
V
mA
mA
mW
O
C / W
O
C
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 21/06/2006
BC856…BC858
特点在T
AMB
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 2毫安
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C ， BC858C
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 10毫安， -I
B
- 0.5毫安
在-I
C
= 100毫安， -I
B
= 5毫安
基极发射极电压
在-I
C
= 2毫安， -V
CE
= 5 V
在-I
C
= 10毫安， -V
CE
= 5 V
收藏家Cuto FF电流
在-V
CB
= 30 V
在-V
CB
= 30 V ，T
A
= 150
O
C
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 10 A
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
-V
（ BR ） CES
-V
（ BR ） CES
-V
（ BR ） CES
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） CBO
-V
（ BR ） CBO
-V
（ BR ） CBO
-V
（ BR ） EBO
-V
（ BR ） EBO
-V
（ BR ） EBO
f
T
C
ob
NF
80
50
30
65
45
30
80
50
30
5
5
5
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.5
10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
dB
h
FE
h
FE
h
FE
-V
CE （ SAT ）
-V
CE （ SAT ）
-V
BE（上）
-V
BE（上）
-I
CBO
-I
CBO
125
220
420
-
-
0.6
-
-
-
250
475
800
0.3
0.65
0.75
0.82
15
4
-
-
-
V
V
V
V
nA
A
符号
分钟。
马克斯。
单位
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 10毫安
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 10 A
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 1 A
电流增益带宽积
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
输出电容
在-V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
噪声系数
在-I
C
= 0.2毫安， -V
CE
= 5 V ，R
S
= 2 KΩ ， TF = 1千赫， BW = 200赫兹
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 21/06/2006
BC856…BC858
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 21/06/2006
BC857
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
(Ta=25°C)
°
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
-50
-45
-5
-100
200
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压
基地发射极导通电压
基地发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
(Ta=25°C)
°
符号
BV
首席执行官
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
I
CBO
h
FE
*
f
T
C
ob
NF
测试条件
I
C
= -2mA ，我
B
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=-2mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-5mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-5mA
V
CB
= -35V ，我
E
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
=-2mA
V
CB
= -5V ，我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -5V ，我
C
=-200A,
f=1KHz,Rg=2K
分钟。典型值。马克斯。
-45
-
-
-
-
110
-
-
-
-
-
-900
-
-
-
150
-
-
-
-700
-
-650
-15
800
-
4.5
10
单位
V
mV
mV
mV
nA
-
兆赫
pF
dB
* : h
FE
排名/ A ： 110 220 ， B： 200 450 ，C ： 420 800
KST-2010-000
2
BC856...BC860
PNP硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型： BC846 ， BC847 ， BC848
BC849 ， BC850 （ NPN ）
3
2
1
VPS05161
TYPE
BC856A
BC856B
BC857A
BC857B
BC857C
BC858A
BC858B
BC858C
BC859A
BC859B
BC859C
BC860B
BC860C
记号
3As
3Bs
3Es
3Fs
3Gs
3Js
3Ks
3Ls
4As
4Bs
4Cs
4Fs
4Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
1
Dec-11-2001
BC857/BC858
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s
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