BC856S ... BC859S
BC856S ... BC859S
PNP
表面贴装通用硅外延平面双晶体管
硅外延平面万能Doppeltransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗
Verlustleistung
1.25
±0.1
PNP
300毫瓦
SOT-363
0.01 g
版本2006-08-01
2
6
±0.1
2 x 0.65
5
4
0.9
±0.1
2.1
TYPE
CODE
1
2
3
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
2.4
尺寸 - 集体[MM ]
6 = C1
5 = B2
4 = E2
1 = E1
2 = B1
3 = C2
最大额定值（T
A
= 25°C)
每个晶体管 - 晶体管亲
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor - 发射极Spannung B开
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
ê开放
c打开
- V
CBO
- V
首席执行官
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC856S
65 V
80 V
BC857S
45 V
50 V
5V
300毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
BC858S
BC859S
30 V
30 V
特性（T
j
= 25°C)
每个晶体管 - 晶体管亲
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 A
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
H-参数为/贝 - V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安， F = 1千赫
小信号电流增益 - Kleinsignal - Stromverstrkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比 - Spannungsrückwirkung
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
–
1.6 k
18 S
–
h
FE
h
FE
–
110
分钟。
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
90 ... 270
–
220 ... 600
–
–
1.5 ... 3*10
-4
马克斯。
–
800
–
15 k
110 S
–
1
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BC856S ... BC859S
特性（T
j
= 25°C)
每个晶体管 - 晶体管亲
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
- V
CB
= 30 V ， （E打开）
- V
CE
= 30 V ，T
j
= 125°C ， （E打开）
发射基截止电流
- V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
- V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
- V
EB
= 0.5 V,
I
C
= i
c
= 0,
F = 1 MHz的
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
穿针 - Anschlubelegung
T1： E1 = 1， C 1 = 6， B 1 = 2
T 2 ： E 2 = 4， C2 = 3 ，B 2 = 5
1
T1
Kennwerte （T
j
= 25°C)
分钟。
- V
CESAT
- V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
- V
BE
- V
BE
- I
CB0
- I
CB0
- I
EB0
f
T
C
CBO
C
EB0
R
THA
–
–
–
–
600毫伏
–
–
–
–
100兆赫
–
–
典型值。
90毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
650毫伏
–
–
–
–
–
–
10 pF的
< 420 K / W
1
)
BC846S ... BC849S
6
5
4
T2
马克斯。
250毫伏
600毫伏
–
–
750毫伏
820毫伏
15 nA的
5 A
100 nA的
–
6 pF的
–
2
3
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
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