【BC846W…BC850WNPN硅外延平面晶体管用于通用和开关应用绝对最大额定值（Ta= 25OC)】,IC型号BC850W,BC850W PDF资料,BC850W经销商,ic,电子元器件-51电子网

BC846W…BC850W

NPN硅外延平面晶体管

用于通用和开关应用

绝对最大额定值（T

a

= 25

O

C)

参数

集电极 - 基极电压

BC846W

BC847W

BC848W

BC849W

BC850W

集电极 - 发射极电压

BC846W

BC847W

BC848W

BC849W

BC850W

发射极电压

BC846W

BC847W

BC848W

BC849W

BC850W

集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

结温

存储温度范围

V

EBO

6

5

100

200

150

- 55至+ 150

V

首席执行官

65

45

30

45

V

CBO

80

50

30

50

V

符号

价值

单位

I

C

I

CM

P

合计

T

j

T

S

mA

mW

O

C

O

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 21/06/2006

BC846W…BC850W

特点在T

a

= 25

O

C

参数

直流电流增益

在V

CE

= 5 V，I

C

= 2毫安

BC846AW~BC850AW

BC846BW~BC850BW

BC846CW~BC850CW

集电极 - 基极电压

在我

C

= 10 A

BC846W

BC847W

BC848W

BC849W

BC850W

集电极 - 发射极电压

在我

C

= 10毫安

BC846W

BC847W

BC848W

BC849W

BC850W

发射极电压

在我

E

= 1 A

BC846W

BC847W

BC848W

BC849W

BC850W

集电极基截止电流

在V

CB

= 30 V

发射基地截止电流

在V

EB

= 5 V

集电极 - 发射极饱和电压

在我

C

= 10 mA时，我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，我

B

= 5毫安

基极发射极电压

在V

CE

= 5 V，I

C

= 2毫安

V

CE

= 5 V，I

C

= 10毫安

跃迁频率

在V

CE

= 5 V，I

C

= 10 mA时， F = 100 MHz的

集电极输出电容

在V

CB

= 10 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

V

EBO

6

5

-

15

100

V

首席执行官

65

45

30

45

-

V

CBO

80

50

30

50

-

V

h

FE

h

FE

h

FE

110

200

420

220

450

800

-

符号

分钟。

马克斯。

单位

I

CBO

I

EBO

nA

V

CE （ SAT ）

-

0.58

-

100

-

0.25

0.6

0.7

0.77

-

4.5

V

BE

V

f

T

C

ob

兆赫

pF

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 21/06/2006

BC846W…BC850W

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 21/06/2006

BC846W…BC850W

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 21/06/2006

BC846W...BC850W

NPN硅晶体管自动对焦

对于AF输入级和驱动器应用

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

30 Hz至15 kHz的低噪音

互补类型：

BC856W ， BC857W ， BC858W

BC859W ， BC860W （ PNP ）

3

TYPE

BC846AW

BC846BW

BC847AW

BC847BW

BC847CW

BC848AW

BC848BW

BC848CW

BC849BW

BC849CW

BC850BW

BC850CW

2

1

VSO05561

记号

1As

1Bs

1Es

1Fs

1Gs

1Js

1Ks

1Ls

2Bs

2Cs

2Fs

4Gs

1=B

引脚配置

2=E

3=C

包

SOT323

1

Dec-11-2001

BC846W...BC850W

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

峰值发射极电流

总功耗，

T

S

= 124 °C

结温

储存温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

I

EM

P

合计

T

j

T

英镑

BC846W BC847W BC848W

单位

BC850W BC849W

65

80

6

45

50

6

100

200

250

150

-65 ... 150

mW

°C

30

5

mA

V

热阻

结 - 焊接点

1)

R

thjs

105

K / W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

BC846W

BC847/850W

BC848/849W

单位

马克斯。

典型值。

V

（ BR ） CEO

V

65

45

30

-

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

BC846W

BC847/850W

BC848/849W

V

（ BR ） CBO

80

50

30

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

2

Dec-11-2001

BC846W...BC850W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10 A,

V

BE

= 0

BC846W

BC847/850W

BC848/849W

单位

马克斯。

V

典型值。

V

（ BR ） CES

80

50

30

V

（ BR ） EBO

BC846/847W

BC848-850W

-

15

5

nA

A

-

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 1 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

直流电流增益1 ）

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

h

FE

-group

A

h

FE

-group

B

h

FE

-group

C

直流电流增益1 ）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

h

FE

-group

A

h

FE

-group

B

h

FE

-group

C

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极电压1）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

1 ）脉冲测试：吨

≤=

300

S，D = 2 ％

6

5

I

CBO

I

CBO

h

FE

-

h

FE

110

200

420

V

CESAT

-

V

BESAT

-

V

BE（上）

580

-

140

250

480

180

290

520

90

200

700

900

660

-

220

450

800

mV

250

600

-

700

770

3

Dec-11-2001

BC846W...BC850W

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

值

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

短路输入阻抗

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

f

T

C

cb

C

eb

h

11e

h

FE

-gr.A

h

FE

-gr.B

h

FE

-gr.C

h

12e

-

h

21e

-

h

22e

-

18

30

60

-

10

200

330

600

-

1.5

2

3

-

2.7

4.5

8.7

-

250

2

10

-

3

15

典型值。

马克斯。

单位

兆赫

pF

F

BC848W

噪声系数

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

f

= 1千赫，

f

= 200

Hz

等效噪声电压

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

f

= 10 ... 50赫兹

F

BC849W

BC850W

V

n

BC850W

-

1.2

1

-

4

0.135 V

4

Dec-11-2001

开路反向电压transf.ratio

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

h

FE

-gr.A

h

FE

-gr.B

h

FE

-gr.C

短路正向电流transf.ratio

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

h

FE

-gr.A

h

FE

-gr.B

h

FE

-gr.C

开路输出导纳

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

h

FE

-gr.A

h

FE

-gr.B

h

FE

-gr.C

噪声系数

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

BC846W

f

= 1千赫，

f

= 200

Hz

BC847W

10

-4

-

dB

S

k

BC846W...BC850W

总功耗

P

合计

=

f

(T

S

)

集电极 - 基极电容

C

CB

=

f

(V

CBO

)

发射极 - 基极电容

C

EB

=

f

(V

EBO

)

公元前846 ... 850

EHP00361

300

mW

C

CB0

(

C

EB0

)

12

pF

10

P

合计

200

8

C

EB

150

6

100

4

C

CB

50

2

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

0

10

-1

5

10

0

V

CB0

T

S

10

1

(

V

EB0

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

P

TOT最大

P

TOT DC

t

p

D

=

T

t

p

T

EHP00362

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5V

10

3

兆赫

EHP00363

f

T

5

10

2

5

10

1

5

D

=

0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

2

5

10

0

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

t

p

10

0

10

1

10

-1

5 10

0

5

10

1

mA

10

2

Ι

C

5

Dec-11-2001

分立半导体

数据表

dbook ， halfpage

M3D102

BC849W ; BC850W

NPN通用晶体管

产品数据表

取代1997年的数据6月20日

1999年04月12

恩智浦半导体

产品数据表

NPN通用晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大45 V ）。

应用

在磁带录像机，高保真音响放大器低噪声级和

其他声频设备。

描述

NPN晶体管在SOT323塑料包装。

PNP补充： BC859W和BC860W 。

记号

TYPE

数

BC849BW

BC849CW

记

1.

= - ：香港制造。

= T：在马来西亚。

Fig.1

记号

CODE

(1)

2B

2C

TYPE

数

BC850BW

BC850CW

记号

CODE

(1)

2F

2G

手册， halfpage

BC849W ; BC850W

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

1

2

1

顶视图

2

MAM062

简化外形（ SOT323 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

BC849W

BC850W

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BC849W

BC850W

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

集电极开路

开基

65

30

45

5

100

200

+150

150

+150

V

mA

mW

°C

条件

发射极开路

30

50

V

分钟。

马克斯。

单位

1999年04月12

2

恩智浦半导体

产品数据表

NPN通用晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

BC849BW ; BC850BW

BC849CW ; BC850CW

V

CESAT

V

BE

C

c

C

e

f

T

F

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

噪声系数

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安;注1

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

C

= 200

μA;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 kΩ;

F = 10 Hz至15.7千赫

I

C

= 200

μA;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 kΩ;

F = 1千赫B = 200赫兹

记

1.脉冲测试：吨

p

≤

300

μs; δ ≤

0.02.

条件

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

E

= 0; V

CB

= 30 V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V ;参见图2和图3

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

BC849W ; BC850W

价值

625

单位

K / W

分钟。

200

420

580

100

典型值。

11

马克斯。

15

5

100

450

800

250

600

700

770

3

4

单位

nA

μA

nA

mV

pF

兆赫

dB

1999年04月12

3

恩智浦半导体

产品数据表

NPN通用晶体管

BC849W ; BC850W

手册，全页宽

300

MBH724

的hFE

VCE = 5 V

200

100

0

10

2

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

BC849BW ; BC850BW 。

图2直流电流增益;典型值。

手册，全页宽

600

MBH725

VCE = 5 V

的hFE

400

200

0

10

2

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

BC849CW ; BC850CW 。

图3直流电流增益;典型值。

1999年04月12

4

恩智浦半导体

产品数据表

NPN通用晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

BC849W ; BC850W

SOT323

D

B

E

A

X

y

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

c

1

e1

e

bp

2

w

M

B

Lp

细节X

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.8

A1

最大

0.1

bp

0.4

0.3

c

0.25

0.10

D

2.2

1.8

E

1.35

1.15

e

1.3

e1

0.65

HE

2.2

2.0

Lp

0.45

0.15

Q

0.23

0.13

v

0.2

w

0.2

概要

VERSION

SOT323

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-70

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月12

5

BC 846W ... BC 850W

NPN

通用晶体管

NPN

表面贴装硅外延PlanarTransistors

硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage

功耗 - Verlustleistung

2

±0.1

0.3

3

200毫瓦

SOT-323

0.01 g

1

±0.1

1.25

±0.1

塑料外壳

Kunststoffgehuse

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

TYPE

CODE

1

2

1.3

尺寸/集体单位为毫米

1=B

2=E

3=C

最大额定值（T

A

= 25

/

C)

BC 846W

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基电压

功耗 - Verlustleistung

集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）

峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom

峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom

峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom

结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

B开

ê开放

c打开

V

CE0

V

CB0

V

EB0

P

合计

I

C

I

CM

I

BM

- I

EM

T

j

T

S

65 V

80 V

6V

2.1

±0.1

Grenzwerte （T

A

= 25

/

C)

BC 847W

BC 850W

45 V

50 V

200毫瓦

1

)

百毫安

200毫安

150

/

C

- 65…+ 150

/

C

BC 848W

BC 849W

30 V

5V

特性（T

j

= 25

/

C)

A组

直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis

2

)

V

CE

= 5 V，I

C

= 10

:

A

V

CE

= 5 V，I

C

= 2毫安

H-参数在V

CE

= 5V ，我

C

= 2毫安， F = 1千赫

小信号电流增益 - Stromverstrkung

fe

输入阻抗 - Eingangs - Impedanz

输出导纳 - Ausgangs - Leitwert

反向电压传输比

Spannungsrückwirkung

1

Kennwerte （T

j

= 25

/

C)

B组

（典型值）。 150

200...450

（典型值）。 330

3.2...8.5 k

S

30 < 60

:

S

（典型值）。 2 * 10

-4

C组

（典型值）。 270

420...800

（典型值）。 600

6...15 k

S

60 < 110

:

S

（典型值）。 3 * 10

-4

h

FE

h

FE

（典型值）。 90

110...220

（典型值）。 220

1.6...4.5 k

S

18 < 30

:

S

typ.1.5 * 10

-4

h

ie

h

oe

h

re

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

2

）测试与脉冲吨

p

= 300

:

S，占空比

#

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300

:

S， Schaltverhltnis

#

2%

12

01.11.2003

通用晶体管

特性（T

j

= 25

/

C)

分钟。

集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung

1

)

I

C

= 10 mA时，我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，我

B

= 5毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，我

B

= 5毫安

基射极电压 - 基射极Spannung

1

)

V

CE

= 5 V，I

C

= 2毫安

V

CE

= 5 V，I

C

= 10毫安

集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom

I

E

= 0, V

CB

= 30 V

I

E

= 0, V

CB

= 30 V ，T

j

= 150

/

C

发射基截止电流 - Emitterreststrom

I

C

= 0, V

EB

= 5 V

增益带宽积 - Transitfrequenz

V

CE

= 5 V，I

C

= 10 mA时， F = 100 MHz的

V

CB

= 10 V，I

E

= i

e

= 0中，f = 1 MHz的

V

EB

= 0.5 V，I

C

= i

c

= 0中，f = 1 MHz的

噪声系数 - Rauschzahl

V

CE

= 5 V，I

C

= 200

:

A

R

G

= 2 k

S

， F = 1 kHz时，

)

F = 200赫兹

V

CE

= 5 V，I

C

= 200

:

A

R

G

= 2 k

S

， F = 1 kHz时，

F = 30 ... 15000赫兹

BC 846W ...

F

BC 848W

BC 849W ...

F

BC 850W

BC 849W

BC 850W

F

–

R

THA

–

f

T

C

CB0

C

EB0

100兆赫

–

I

EB0

–

I

CB0

I

CB0

–

V

BEON

V

BEON

580毫伏

–

V

CESAT

V

CESAT

V

BESAT

V

BESAT

–

BC 846W ... BC 850W

Kennwerte （T

j

= 25

/

C)

典型值。

90毫伏

200毫伏

700毫伏

900毫伏

660毫伏

–

马克斯。

250毫伏

600毫伏

–

700毫伏

770毫伏

15 nA的

5

:

A

100 nA的

–

基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung

1

)

集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt

3.5 pF的

9 pF的

6 pF的

–

发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt

2分贝

1.2分贝

1.4分贝

10分贝

4分贝

620 K / W

2

)

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

推荐互补PNP晶体管

Empfohlene komplementre PNP - Transistoren

BC 846AW = 1A

可用的电流增益标记

每类群体

Stempelung德lieferbaren Strom-

verstrkungsgruppen亲典型值

BC 847AW = 1E

BC 848AW = 1J

BC 856W ... BC 860W

BC 846BW = 1B

BC 847BW = 1F

BC 848BW = 1K

BC 849BW = 2B

BC 850BW = 2F

BC 847CW = 1G

BC 848CW = 1L

BC 849CW = 2C

BC 850CW = 2G

）测试与脉冲吨

p

= 300

:

S，占空比

#

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300

:

S， Schaltverhltnis

#

2%

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

01.11.2003

1

2

13

BC856W...BC860W

PNP硅晶体管自动对焦

对于AF输入级和驱动器应用

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

30 Hz至15 kHz的低噪音

互补类型：

BC846W ， BC847W ， BC848W

BC849W ， BC850W （ NPN ）

3

2

1

VSO05561

TYPE

BC856AW

BC856BW

BC857AW

BC857BW

BC857CW

BC858AW

BC858BW

BC858CW

BC859AW

BC859BW

BC859CW

BC860BW

BC860CW

记号

3As

3Bs

3Es

3Fs

3Gs

3Js

3Ks

3Ls

4As

4Bs

4Cs

4Fs

4Gs

1=B

引脚配置

2=E

3=C

包

SOT323

1

Dec-11-2001

BC856W...BC860W

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

峰值发射极电流

总功耗，

T

S

= 124 °C

结温

储存温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

I

EM

P

合计

T

j

T

英镑

BC856W BC857W BC858W

单位

BC860W BC859W

65

80

5

45

50

5

100

200

250

150

-65 ... 150

mW

°C

30

5

mA

V

热阻

结 - 焊接点

1)

R

thjs

105

K / W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

BC856W

BC857/860W

BC858/859W

单位

马克斯。

典型值。

V

（ BR ） CEO

V

65

45

30

-

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

BC856W

BC857/860W

BC858/859W

V

（ BR ） CBO

80

50

30

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

2

Dec-11-2001

BC856W...BC860W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10 A,

V

BE

= 0

BC856W

BC857/860W

BC858/859W

单位

马克斯。

V

典型值。

V

（ BR ） CES

80

50

30

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

CBO

h

FE

h

FE

-group

A

h

FE

-group

B

h

FE

-group

C

-

h

FE

h

FE

-group

A

h

FE

-group

B

h

FE

-group

C

125

220

420

V

CESAT

-

V

BESAT

-

V

BE（上）

600

-

650

-

750

820

700

850

-

75

250

300

650

180

290

520

250

475

800

140

250

480

-

5

-

15

5

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 1 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

直流电流增益1 ）

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

nA

A

-

直流电流增益1 ）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极电压1）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

mV

1 ）脉冲测试：吨

≤=

300

S，D = 2 ％

3

Dec-11-2001

BC856W...BC860W

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

值

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

短路输入阻抗

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

f

T

C

cb

C

eb

h

11e

h

FE

-gr.A

h

FE

-gr.B

h

FE

-gr.C

h

12e

-

h

21e

-

h

22e

-

18

30

60

-

10

200

330

600

-

1.5

2

3

-

2.7

4.5

8.7

-

250

3

10

-

5

15

典型值。

马克斯。

单位

兆赫

pF

F

BC858W

噪声系数

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

f

= 1千赫，

f

= 200

Hz

等效噪声电压

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

f

= 10 ... 50赫兹

F

BC859W

BC860W

V

n

BC860W

-

1

-

4

0.11

4

Dec-11-2001

开路反向电压transf.ratio

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

h

FE

-gr.A

h

FE

-gr.B

h

FE

-gr.C

短路正向电流transf.ratio

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

h

FE

-gr.A

h

FE

-gr.B

h

FE

-gr.C

开路输出导纳

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

h

FE

-gr.A

h

FE

-gr.B

h

FE

-gr.C

噪声系数

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

BC856W

f

= 1千赫，

f

= 200

Hz

BC857W

10

-4

-

dB

V

S

k

BC856W...BC860W

总功耗

P

合计

=

f

(T

S

)

集电极 - 基极电容

C

CB

=

f

(V

CBO

)

发射极 - 基极电容

C

EB

=

f

(V

EBO

)

公元前856 ... 860

EHP00376

300

mW

C

CB0

(

C

EB0

)

12

pF

10

P

合计

200

8

C

EBO

150

6

100

4

C

CBO

50

2

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

0

10

-1

5

10

0

V

CB0

T

S

10

1

(

V

EB0

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

P

TOT最大

5

P

TOT DC

t

p

D

=

T

t

p

T

EHP00377

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5V

10

3

兆赫

EHP00378

f

T

5

10

2

5

10

1

5

D

=

0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

2

5

10

0

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

t

p

10

0

10

1

10

-1

5 10

0

5

10

1

mA

Ι

C

10

2

5

Dec-11-2001

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D102

BC849W ; BC850W

NPN通用晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据6月20日

1999年04月12

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大45 V ）。

应用

在磁带录像机，高保真音响放大器低噪声级和

其他声频设备。

描述

NPN晶体管在SOT323塑料包装。

PNP补充： BC859W和BC860W 。

记号

TYPE

数

BC849BW

BC849CW

记

1.

= - ：香港制造。

= T：在马来西亚。

Fig.1

记号

CODE

(1)

2B

2C

TYPE

数

BC850BW

BC850CW

记号

CODE

(1)

2F

2G

手册， halfpage

BC849W ; BC850W

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

1

2

1

顶视图

2

MAM062

简化外形（ SOT323 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

BC849W

BC850W

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BC849W

BC850W

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

集电极开路

开基

65

30

45

5

100

200

+150

150

+150

V

mA

mW

°C

条件

发射极开路

30

50

V

分钟。

马克斯。

单位

1999年04月12

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

BC849BW ; BC850BW

BC849CW ; BC850CW

V

CESAT

V

BE

C

c

C

e

f

T

F

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

噪音科幻gure

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安;注1

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

C

= 200

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 k;

F = 10 Hz至15.7千赫

I

C

= 200

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 k;

F = 1千赫B = 200赫兹

记

1.脉冲测试：吨

p

≤

300

s; δ ≤

0.02.

条件

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

E

= 0; V

CB

= 30 V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V ;参见图2和图3

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

BC849W ; BC850W

价值

625

单位

K / W

分钟。

200

420

580

100

典型值。

11

马克斯。

15

5

100

450

800

250

600

700

770

3

4

单位

nA

A

nA

mV

pF

兆赫

dB

1999年04月12

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

BC849W ; BC850W

手册，全页宽

300

MBH724

的hFE

VCE = 5 V

200

100

0

10

2

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

BC849BW ; BC850BW 。

图2直流电流增益;典型值。

手册，全页宽

600

MBH725

VCE = 5 V

的hFE

400

200

0

10

2

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

BC849CW ; BC850CW 。

图3直流电流增益;典型值。

1999年04月12

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

BC849W ; BC850W

SOT323

D

B

E

A

X

y

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

c

1

e1

e

bp

2

w

M

B

Lp

细节X

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.8

A1

最大

0.1

bp

0.4

0.3

c

0.25

0.10

D

2.2

1.8

E

1.35

1.15

e

1.3

e1

0.65

HE

2.2

2.0

Lp

0.45

0.15

Q

0.23

0.13

v

0.2

w

0.2

概要

VERSION

SOT323

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-70

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月12

5

BC846AW BC850CW

NPN通用晶体管

电压

特点

通用放大器应用

NPN硅外延，平面设计

集电极电流Ic = 100毫安

在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令

0.087(2.20)

0.070(1.80)

0.004(0.10)MIN.

0.044(1.10)

0.035(0.90)

0.087(2.20)

0.078(2.00)

30/45/65伏特

当前

150毫瓦

机械数据

案例： SOT- 323 ，塑料

终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性

约。重量：0.0001盎司， 0.005克

0.054(1.35)

0.045(1.15)

0.056(1.40)

0.047(1.20)

0.006(0.15)

0.002(0.05)

0.004(0.10)MAX.

0.016(0.40)

0.008(0.20)

器件标识：

BC846AW=46A

BC846BW=46B

BC847AW=47A

BC847BW=47B

BC848AW=48A

BC848BW=48B

BC849BW=49B

BC850BW=50B

BC847CW = 47C BC848CW = 48C

BC849CW = 49C BC850CW = 50℃

绝对额定值

参数

集电极 - 发射极电压

BC846W

BC847W ， BC850W

BC848W ， BC849W

BC846W

BC847W ， BC850W

BC848W ， BC849W

BC846W

BC847W ， BC850W

BC848W ， BC849W

符号

V

首席执行官

价值

65

45

30

80

50

30

6.0

5.0

100

单位

V

集电极 - 基极电压

V

CBO

V

发射极 - 基极电压

V

EBO

V

连续集电极电流 -

I

C

mA

热特性

参数

最大功率耗散（注1 ）

热阻

结温

储存温度

符号

P

合计

R

θJA

R

θJC

T

J

T

英镑

价值

150

400

100

-55到150

单位

mW

O

C / W

O

C

O

注1 ：晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸

十二月17,2010 - REV.00

PAGE 。 1

BC846AW BC850CW

电气特性

霸岭我忒

B C 8 4 6仙，B W

B C 8 4 7 AW / B W / C W， B C 8 5 0 B W / C宽

B C 8 4 8 AW / B W / C W， B C 8 4 9 B W / C宽

B C 8 4 6仙，B W

B C 8 4 7 AW / B W / C W， B C 8 5 0 B W / C宽

B C 8 4 8 AW / B W / C W， B C 8 4 9 B W / C宽

B C 8 4 6仙，B W

B C 8 4 7 AW / B W / C W， B C 8 5 0 B W / C宽

B C 8 4 8 AW / B W / C W， B C 8 4 9 B W / C宽

S YM博升

德圣C 0次我TI 0：N

分钟。

65

45

30

80

50

30

6.0

5.0

-

典型值。

MA X 。

UNI TS

C 0 LLE C到的R - é英里TTE 重新akdo WN武LTA阁B

V

（ B R ）

权证 IC = 1 0 mA时， IB = 0

-

V

C 0 LLE C到的R - B为e B再akdo WN武LTA GE

V

（ B R ）

C B IC = 1 0

μA

， IE = 0

-

V

英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é

V

（ B R ）

E B IE = 1 0

μA

， IC = 0

-

V

MI TTE R-B A S式C反对派FF urre新台币

C 0 LLE C到R-B A S式C反对派FF urre新台币

C C urre NT嘎I N

公元前8 4 6 公元前8 4 8秒uffi X " AW"

公元前8 4 6 公元前8 5 0 S uffi X " B W"

公元前8 4 7 公元前8 5 0 S uffi X " W"

公元前8 4 6 公元前8 4 8秒uffi X " AW"

公元前8 4 6 公元前8 5 0 S uffi X " B W"

公元前8 4 7 公元前8 5 0 S uffi X " W"

I

E B

I

C B

V E B = 5

V C B = 3 0V ， IE = 0

V C B = 3 0V ， IE = 0 ，T

J

=1 5 0

O

C

IC = 1 0

μA

，V权证= 5 V

-

90

150

270

180

290

520

-

0 .7

0 .9

0 .6 6 0

-

100

15

5 .0

-

nA

μA

-

h

FE

-

C C urre NT嘎I N

h

FE

IC = 2 0.0毫安，V权证= 5 V

IC = 1 0 mA时， IB = 0 0.5毫安

IC = 1 0 0毫安， IB = 5 0.0毫安

IC = 1 0 mA时， IB = 0 0.5毫安

IC = 1 0 0毫安， IB = 5 0.0毫安

IC = 2毫安， V权证= 5 0.0 V

IC = 1 0 mA时， V权证= 5 0.0 V

V C B = 1 0V ， IE = 0 ， F = 1 MH

11 0

200

420

-

0 .5 8

-

220

450

800

0 .2 5

0 .6

-

0 .7 0

0 .7 7

4 .5

-

C 0 LLE C到的R - é英里TTE R 5对武LTA戈图拉缇

B中的SE - é英里TTE R 5一土拉TI 0：N武LTA克é

B中的SE - é英里TTE 武LTA克é

C 0 LLE C到的R - B为E ℃的P A CI TA NCE

V

权证（S AT ）

V

权证（S AT ）

V

权证（S AT ）

C

CBO

V

pF

十二月17,2010 - REV.00

PAGE 。 2

BC846AW BC850CW

电气特性曲线（ BC846AW ， BC847AW ， BC848AW ）

100

V

CB

=30V

300

T

J

=150 C

250

T

J

=100 C

I

CB0

，集电极电流（ NA）

10

hF

E

200

150

T

J

=25 C

1

100

50

V

CE

=5V

0

25

50

75

100

125

150

结温，T

J

(

O

C)

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

集电极电流，I

C

（MA ）

图。 1.典型的我

CB0

- 结温

1200

图。 2.典型

FE

与集电极电流

1000

T

J

= 25 C

800

V

CE （ SAT ）

（毫伏）

,

V

BE（上）

（毫伏）

,

T

J

= 100 C

T

J

= 100 C

T

J

= 150 C

600

100

400

V

CE

=5V

200

T

J

= 150 C

T

J

= 25 C

I

C

/I

B

=20

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

10

0.01

0.1

1

10

100

1000

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

图。 3.典型的V

BE（上）

与集电极电流

1200

图。 4.典型的V

CE （ SAT ）

与集电极电流

10

T

J

= 25 C

1000

T

J

= 25 C

800

C

IB （ EB）的

V

BE （ SAT ）

（毫伏）

,

T

J

= 100 C

600

电容C （ pF的

)

400

I

C

/I

B

=20

C

OB （ CB ）

200

T

J

= 150 C

0

0.01

1

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

反向电压（ V）

图。 5.典型的V

BE （ SAT ）

与集电极电流

十二月17,2010 - REV.00

图。 6.典型的电容与反向电压

PAGE 。 3

BC846AW BC850CW

电气特性曲线（ BC846BW ， BAC847BW ， BC848BW ， BC849BW ， BC850BW ）

100

V

CB

=30V

500

450

400

T

J

=150 C

V

CE

=5V

I

CB0

，集电极电流（ NA）

10

hF

E

350

300

250

200

T

J

=100 C

T

J

=25 C

1

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

结温，T

J

(

O

C)

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

集电极电流IC （MA ）

图。 1.典型的我

CB0

- 结温

1200

1000

图。 2.典型

FE

与集电极电流

1000

T

J

= 25 C

T

J

= 100 C

V

CE （ SAT ）

（毫伏）

,

100

T

J

= 100 C

T

J

= 150 C

800

V

BE（上）

（毫伏）

,

600

400

V

CE

=5V

T

J

= 25 C

I

C

/I

B

=20

200

T

J

= 150 C

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

10

0.01

0.1

1

10

100

1000

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

图。 3.典型的V

BE（上）

与集电极电流

1200

图。 4.典型的V

CE （ SAT ）

与集电极电流

10

1000

T

J

= 25 C

800

T

J

= 100 C

C

IB （ EB）的

T

J

= 25 C

600

电容C （ pF的

)

V

BE （ SAT ）

（毫伏）

,

C

OB （ CB ）

400

200

T

J

= 150 C

I

C

/I

B

=20

0

0.01

1

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

反向电压（ V）

图。 5.典型的V

BE （ SAT ）

与集电极电流

十二月17,2010 - REV.00

图。 6 。

典型的电容与反向电压

PAGE 。 4

BC846AW BC850CW

电气特性曲线（ BAC847CW ， BC848CW ， BC849CW ， BC850CW ）

100

V

CB

=30V

1200

V

CE

=5V

I

CB0

，集电极电流（ NA）

1000

T

J

=150 C

10

hF

E

800

T

J

=100 C

600

T

J

=25 C

1

400

200

0

25

50

75

100

125

150

结温，T

J

(

O

C)

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

集电极电流IC ，（毫安）

图。 1.典型的我

CB0

- 结温

1200

1000

图。 2.典型

FE

与集电极电流

1000

800

T

J

= 100 C

T

J

= 25 C

V

CE （ SAT ）

（毫伏）

,

T

J

= 150 C

V

BE（上）

（毫伏）

,

T

J

= 100 C

100

600

400

T

J

= 25 C

200

T

J

= 150 C

V

CE

=5V

I

C

/I

B

=20

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

10

0.01

0.1

1

10

100

1000

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

图。 3.典型的V

BE（上）

与集电极电流

1200

图。 4.典型的V

CE （ SAT ）

与集电极电流

10

1000

C

IB （ EB）的

800

T

J

= 25 C

V

BE （ SAT ）

（毫伏）

,

T

J

= 100 C

600

400

I

C

/I

B

=20

T

J

= 150 C

0

0.01

电容C （ pF的

)

T

J

= 25

C

OB （ CB ）

200

1

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

反向电压（ V）

图。 5.典型的V

BE （ SAT ）

与集电极电流

十二月17,2010 - REV.00

图。 6 。

典型的电容与反向电压

PAGE 。五