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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D088

BC849 ; BC850

NPN通用晶体管

产品speci fi cation

取代1998年的数据8月06

1999年4月08

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大45 V ）。

应用

通用的开关和放大。

描述

NPN晶体管在SOT23塑料包装。

PNP补充： BC859和BC860 。

记号

TYPE

数

BC849B

BC849C

记

1.

= P ：香港制造。

= T：在马来西亚。

记号

CODE

(1)

2B

2C

TYPE

数

BC850B

BC850C

记号

CODE

(1)

2F

2G

顶视图

手册， halfpage

BC849 ; BC850

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

3

1

2

1

2

MAM255

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

BC849

BC850

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BC849

BC850

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

集电极开路

开基

65

65

30

45

5

100

200

200

250

+150

150

+150

V

V

V

mA

mA

mA

mW

°C

°C

°C

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

30

50

V

V

分钟。

马克斯。

单位

1999年4月08

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

BC849B ; BC850B

BC849C ; BC850C

直流电流增益

BC849B ; BC850B

BC849C ; BC850C

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

C

c

C

e

f

T

F

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极饱和电压

基射极电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

噪音科幻gure

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安

I

C

= 10毫安;我

B

= 0.5毫安;注1

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安;注1

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V ;注意2

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ;注意2

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

C

= 200

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 k;

F = 10 Hz至15.7千赫

I

C

= 200

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 k;

F = 1千赫B = 200赫兹

笔记

1. V

BESAT

降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。

2. V

BE

降低了约2毫伏/ K随温度的升高。

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V;

参见图2和图3

条件

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

E

= 0; V

CB

= 30 V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 10

A;

V

CE

= 5 V;

参见图2和图3

分钟。

200

420

580

100

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

BC849 ; BC850

价值

500

单位

K / W

典型值。

240

450

290

520

90

200

700

900

660

2.5

11

马克斯。

15

5

100

450

800

250

600

700

770

4

4

单位

nA

A

nA

mV

mV

mV

mV

mV

mV

pF

pF

兆赫

dB

dB

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的; F = 1 MHz的

1999年4月08

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

BC849 ; BC850

手册，全页宽

300

MBH724

的hFE

VCE = 5 V

200

100

0

10

2

10

1

1

10

10

2

IC （MA ）

10

3

BC849B ; BC850B 。

图2直流电流增益;典型值。

手册，全页宽

600

MBH725

VCE = 5 V

的hFE

400

200

0

10

2

10

1

1

10

10

2

IC （MA ）

10

3

BC849C ; BC850C 。

图3直流电流增益;典型值。

1999年4月08

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

BC849 ; BC850

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年4月08

5

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