【公元前846 ...公元前850NPN通用晶体管NPN表面贴装硅外延PlanarTransistor】,IC型号BC850C,BC850C PDF资料,BC850C经销商,ic,电子元器件-51电子网

公元前846 ...公元前850

NPN

通用晶体管

NPN

表面贴装硅外延PlanarTransistors

硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage

功耗 - Verlustleistung

2.9

±0.1

0.4

3

250毫瓦

SOT-23

(TO-236)

0.01 g

1.1

塑料外壳

Kunststoffgehuse

1.3

±0.1

TYPE

CODE

1

2

2.5

最大

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

1.9

尺寸/集体单位为毫米

1=B

2=E

3=C

最大额定值（T

A

= 25

/

C)

公元前846

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基电压

功耗 - Verlustleistung

集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）

峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom

峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom

峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom

结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

B开

ê开放

c打开

V

CE0

V

CB0

V

EB0

P

合计

I

C

I

CM

I

BM

- I

EM

T

j

T

S

65 V

80 V

6V

Grenzwerte （T

A

= 25

/

C)

BC八百五分之八百四十七

45 V

50 V

250毫瓦

1

)

百毫安

200毫安

150

/

C

- 65…+ 150

/

C

BC 849分之848

30 V

5V

特性（T

j

= 25

/

C)

A组

直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis

2

)

V

CE

= 5 V，I

C

= 10

:

A

V

CE

= 5 V，I

C

= 2毫安

H-参数在V

CE

= 5V ，我

C

= 2毫安， F = 1千赫

小信号电流增益

Kleinsignal - Stromverstrkung

输入阻抗 - Eingangs - Impedanz

输出导纳 - Ausgangs - Leitwert

反向电压传输比

Spannungsrückwirkung

1

Kennwerte （T

j

= 25

/

C)

B组

（典型值）。 150

200...450

C组

（典型值）。 270

420...800

h

FE

h

FE

（典型值）。 90

110...220

h

fe

h

ie

h

oe

h

re

（典型值）。 220

1.6...4.5 k

S

18 < 30

:

S

typ.1.5 * 10

-4

（典型值）。 330

3.2...8.5 k

S

30 < 60

:

S

（典型值）。 2 * 10

-4

（典型值）。 600

6...15 k

S

60 < 110

:

S

（典型值）。 3 * 10

-4

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

2

）测试与脉冲吨

p

= 300

:

S，占空比

#

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300

:

S， Schaltverhltnis

#

2%

10

01.11.2003

通用晶体管

特性（T

j

= 25

/

C)

分钟。

集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung

1

)

I

C

= 10 mA时，我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，我

B

= 5毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，我

B

= 5毫安

基射极电压 - 基射极Spannung

1

)

V

CE

= 5 V，I

C

= 2毫安

V

CE

= 5 V，I

C

= 10毫安

集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom

I

E

= 0, V

CB

= 30 V

I

E

= 0, V

CB

= 30 V ，T

j

= 150

/

C

发射基截止电流 - Emitterreststrom

I

C

= 0, V

EB

= 5 V

增益带宽积 - Transitfrequenz

V

CE

= 5 V，I

C

= 10 mA时， F = 100 MHz的

V

CB

= 10 V，I

E

= i

e

= 0中，f = 1 MHz的

V

EB

= 0.5 V，I

C

= i

c

= 0中，f = 1 MHz的

噪声系数 - Rauschzahl

V

CE

= 5 V，I

C

= 200

:

A

R

G

= 2 k

S

， F = 1 kHz时，

)

F = 200赫兹

V

CE

= 5 V，I

C

= 200

:

A

R

G

= 2 k

S

， F = 1 kHz时，

F = 30 ... 15000赫兹

公元前846 ...

F

公元前848

BC 850分之849

公元前849

公元前850

F

–

R

THA

–

f

T

C

CB0

C

EB0

100兆赫

–

I

EB0

–

I

CB0

I

CB0

–

V

BEON

V

BEON

580毫伏

–

V

CESAT

V

CESAT

V

BESAT

V

BESAT

–

公元前846 ...公元前850

Kennwerte （T

j

= 25

/

C)

典型值。

90毫伏

200毫伏

700毫伏

900毫伏

660毫伏

–

马克斯。

250毫伏

600毫伏

–

700毫伏

770毫伏

15 nA的

5

:

A

100 nA的

–

3.5 pF的

9 pF的

6 pF的

–

基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung

1

)

集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt

发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt

2分贝

1.2分贝

1.4分贝

10分贝

4分贝

3分贝

420 K / W

2

)

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

推荐互补PNP晶体管

Empfohlene komplementre PNP - Transistoren

BC 846A = 1A

可用的电流增益标记

每类群体

Stempelung德lieferbaren Strom-

verstrkungsgruppen亲典型值

BC 847A = 1E

BC 848A = 1J

公元前856 ...公元前860

BC 846B = 1B

BC 847B = 1F

BC 848B = 1K

BC 849B = 2B

BC 850B = 2F

BC 847C = 1G

BC 848C = 1L

BC 849C = 2C

公元前850 = 2G

）测试与脉冲吨

p

= 300

:

S，占空比

#

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300

:

S， Schaltverhltnis

#

2%

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

01.11.2003

1

2

11

BC846...BC850

NPN硅晶体管自动对焦

对于AF输入级和驱动器应用

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

30 Hz至15 kHz的低噪音

互补类型： BC856 ， BC857 ， BC858

BC859 ， BC860 （ PNP ）

3

2

1

VPS05161

TYPE

BC846A

BC846B

BC847A

BC847B

BC847C

BC848A

BC848B

BC848C

BC849B

BC849C

BC850B

BC850C

记号

1As

1Bs

1Es

1Fs

1Gs

1Js

1Ks

1Ls

2Bs

2Cs

2Fs

2Gs

1=B

B=1

1=B

引脚配置

2=E

3=C

包

SOT23

1

Nov-20-2002

BC846...BC850

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

峰值发射极电流

总功耗，

T

S

= 71 °C

结温

储存温度

热阻

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

I

EM

P

合计

T

j

T

英镑

R

thjs

BC846

65

80

6

BC847

BC850

45

50

6

100

200

330

150

-65 ... 150

BC848

BC849

30

5

单位

V

mA

mW

°C

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

BC846

BC847/850

BC848/849

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

BC846

BC847/850

BC848/849

V

（ BR ） CBO

80

50

30

-

V

（ BR ） CEO

65

45

30

-

典型值。

马克斯。

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

2

结 - 焊接点

1)

240

K / W

单位

V

Nov-20-2002

BC846...BC850

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10 A,

V

BE

= 0

BC846

BC847/850

BC848/849

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 1 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 40 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

直流电流增益1 ）

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

h

FE

-group

A

h

FE

-group

B

h

FE

-group

C

直流电流增益1 ）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

h

FE

-group

A

h

FE

-group

B

h

FE

-group

C

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极电压1）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

V

BE（上）

580

-

660

-

700

770

V

BESAT

-

700

900

-

V

CESAT

-

90

200

250

600

h

FE

110

200

420

180

290

520

220

450

800

h

FE

-

140

250

480

-

I

CBO

-

5

BC846/847

BC848-850

I

CBO

V

（ BR ） EBO

6

5

-

15

V

（ BR ） CES

80

50

30

-

典型值。

马克斯。

单位

V

nA

A

-

mV

1 ）脉冲测试：吨

≤=

300

S，D = 2 ％

3

Nov-20-2002

BC846...BC850

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

短路输入阻抗

C

eb

h

11e

C

cb

f

T

单位

马克斯。

-

k

典型值。

250

3

8

-

兆赫

pF

h

FE

-gr.A

h

FE

-gr.B

h

FE

-gr.C

-

h

12e

2.7

4.5

8.7

1.5

2

3

200

330

600

18

30

60

1.2

-

开路反向电压transf.ratio

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

10

-4

h

FE

-gr.A

h

FE

-gr.B

h

FE

-gr.C

-

h

21e

-

S

-

4

dB

短路正向电流transf.ratio

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

h

FE

-gr.A

h

FE

-gr.B

h

FE

-gr.C

-

h

22e

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

h

FE

-gr.A

h

FE

-gr.B

h

FE

-gr.C

-

F

噪声系数

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

等效噪声电压

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

-

BC849

BC850

V

n

f

= 10 ... 50赫兹

f

= 1千赫，

f

= 200

Hz

-

0.135

BC850

4

Nov-20-2002

开路输出导纳

V

BC846...BC850

总功耗

P

合计

=

F（T

S

)

集电极 - 基极电容

C

CB

=

f

(V

CBO

)

发射极 - 基极电容

C

EB

=

f

(V

EBO

)

公元前846 ... 850

EHP00361

360

mW

300

270

C

CB0

(

C

EB0

)

12

pF

10

P

合计

240

210

180

150

120

90

60

30

0

15

30

45

60

75

90 105 120

8

C

EB

6

4

C

CB

2

°C

150

T

S

0

10

-1

5

10

0

V

CB0

10

1

(

V

EB0

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

P

TOT最大

P

TOT DC

t

p

D

=

T

t

p

T

EHP00362

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5V

10

3

兆赫

EHP00363

f

T

5

10

2

5

10

1

5

D

=

0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

2

5

10

0

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

t

p

10

0

10

1

10

-1

5 10

0

5

10

1

mA

10

2

Ι

C

5

Nov-20-2002

NPN硅晶体管自动对焦

公元前846 ...公元前850

特点

q

对于AF输入级和驱动器应用

q

高电流增益

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

30 Hz至15 kHz的低噪音

q

互补类型：公元前856 ，公元前857 ，

公元前859 ，公元前860 （ PNP ）

TYPE

公元前846一

公元前846 B

公元前847一

公元前847 B

公元前847

公元前848一

公元前848 B

公元前848

公元前849 B

公元前849

公元前850 B

公元前850℃

记号

1As

1Bs

1Es

1Fs

1Gs

1Js

1Ks

1Ls

2Bs

2Cs

2Fs

2Gs

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-C1772

Q62702-C1746

Q62702-C1884

Q62702-C1687

Q62702-C1715

Q62702-C1741

Q62702-C1704

Q62702-C1506

Q62702-C1727

Q62702-C1713

Q62702-C1885

Q62702-C1712

引脚配置

1

2

3

B

E

C

包

1)

SOT-23

1)

为

详细信息，请参阅本章包装说明。

半导体集团

1

04.96

公元前846 ...公元前850

最大额定值

参数

符号

公元前846

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

峰值发射极电流

总功耗，

T

S

= 71 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

1)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

310

≤

240

值

公元前847

公元前850

45

50

6

100

200

330

150

单位

公元前848

公元前849

30

5

mA

V

CE0

V

CB0

V

CES

V

EB0

I

C

I

CM

I

BM

I

EM

P

合计

T

j

T

英镑

65

80

6

mW

C

– 65 … + 150

K / W

1)

包

安装在环氧树脂PCB 40毫米

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

2

公元前846 ...公元前850

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安

公元前846

公元前847 ，公元前850

公元前848 ，公元前849

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A

公元前846

公元前847 ，公元前850

公元前848 ，公元前849

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10

A,

V

BE

= 0

公元前846

公元前847 ，公元前850

公元前848 ，公元前849

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 1

A

公元前846 ，公元前847

公元前848 ，公元前849 ，公元前850

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V

V

CB

= 30 V,

T

A

= 150 C

直流电流增益

I

C

= 10

A,

V

CE

= 5 V

公元前846一公元前847一公元前848一

公元前846 B ...公元前850 B

公元前847 C，公元前848 C，公元前849 C，公元前850℃

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

公元前846一公元前847一公元前848一

公元前846 B ...公元前850 B

公元前847 C，公元前848 C，公元前849 C，公元前850℃

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基射极电压

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

1)

脉冲

值

典型值。

马克斯。

单位

V

(BR)CE0

65

45

30

V

(BR)CB0

80

50

30

V

（ BR ） CES

80

50

30

V

(BR)EB0

6

5

I

CB0

–

h

FE

–

110

200

420

V

CESAT

–

V

BESAT

–

V

BE（上）

580

–

660

–

700

770

700

900

–

90

200

250

600

140

250

480

180

290

520

–

220

450

800

–

15

5

–

V

nA

A

–

mV

测试：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

3

公元前846 ...公元前850

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

输出电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

输入电容

V

CB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

短路输入阻抗

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

公元前846一公元前... 848一

公元前846 B ...公元前850 B

公元前847 ...公元前850℃

开路反向电压传输比

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

公元前846一公元前... 848一

公元前846 B ...公元前850 B

公元前847 ...公元前850℃

短路正向电流传输比

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

公元前846一公元前... 848一

公元前846 B ...公元前850 B

公元前847 ...公元前850℃

开路输出导纳

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

公元前846一公元前... 848一

公元前846 B ...公元前850 B

公元前847 ...公元前850℃

噪声系数

I

C

= 0.2毫安，

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2 k

f

= 30 Hz的... 15千赫

公元前849

公元前850

公元前849

f

= 1千赫，

f

= 200赫兹

公元前850

等效噪声电压

I

C

= 0.2毫安，

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2 k

f

= 10赫兹... 50赫兹

公元前850

f

T

C

敖包

C

IBO

h

11e

–

h

12e

–

h

21e

–

h

22e

–

F

–

V

n

–

1.4

1.2

1.0

–

4

3

4

0.135

V

值

典型值。

马克斯。

单位

–

250

3

8

–

兆赫

pF

k

2.7

4.5

8.7

–

10

– 4

1.5

2.0

3.0

–

200

330

600

–

S

18

30

60

–

dB

半导体集团

4

公元前846 ...公元前850

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

集电极 - 基极电容

C

CB0

=

f

(V

CB0

)

发射极 - 基极电容

C

EB0

=

f

(V

EB0

)

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V

半导体集团

5

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D088

BC849 ; BC850

NPN通用晶体管

产品speci fi cation

取代1998年的数据8月06

1999年4月08

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大45 V ）。

应用

通用的开关和放大。

描述

NPN晶体管在SOT23塑料包装。

PNP补充： BC859和BC860 。

记号

TYPE

数

BC849B

BC849C

记

1.

= P ：香港制造。

= T：在马来西亚。

记号

CODE

(1)

2B

2C

TYPE

数

BC850B

BC850C

记号

CODE

(1)

2F

2G

顶视图

手册， halfpage

BC849 ; BC850

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

1

2

1

2

MAM255

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

BC849

BC850

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BC849

BC850

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

集电极开路

开基

65

30

45

5

100

200

250

+150

150

+150

V

mA

mW

°C

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

30

50

V

分钟。

马克斯。

单位

1999年4月08

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

BC849B ; BC850B

BC849C ; BC850C

直流电流增益

BC849B ; BC850B

BC849C ; BC850C

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

C

c

C

e

f

T

F

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极饱和电压

基射极电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

噪音科幻gure

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安

I

C

= 10毫安;我

B

= 0.5毫安;注1

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安;注1

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V ;注意2

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ;注意2

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

C

= 200

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 k;

F = 10 Hz至15.7千赫

I

C

= 200

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 k;

F = 1千赫B = 200赫兹

笔记

1. V

BESAT

降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。

2. V

BE

降低了约2毫伏/ K随温度的升高。

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V;

参见图2和图3

条件

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

E

= 0; V

CB

= 30 V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 10

A;

V

CE

= 5 V;

参见图2和图3

分钟。

200

420

580

100

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

BC849 ; BC850

价值

500

单位

K / W

典型值。

240

450

290

520

90

200

700

900

660

2.5

11

马克斯。

15

5

100

450

800

250

600

700

770

4

单位

nA

A

nA

mV

pF

兆赫

dB

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的; F = 1 MHz的

1999年4月08

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

BC849 ; BC850

手册，全页宽

300

MBH724

的hFE

VCE = 5 V

200

100

0

10

2

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

BC849B ; BC850B 。

图2直流电流增益;典型值。

手册，全页宽

600

MBH725

VCE = 5 V

的hFE

400

200

0

10

2

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

BC849C ; BC850C 。

图3直流电流增益;典型值。

1999年4月08

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

BC849 ; BC850

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年4月08

5

分立半导体

数据表

BC849 ; BC850

NPN通用晶体管

产品数据表

取代1999年的数据4月8日

2004年01月16日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN通用晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大45 V ）。

应用

通用的开关和放大。

描述

NPN晶体管在SOT23塑料包装。

PNP补充： BC859和BC860 。

记号

手册， halfpage

BC849 ; BC850

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

1

TYPE

数

BC849B

BC849C

记

记号

CODE

(1)

2B*

2C*

TYPE

数

BC850B

BC850C

记号

CODE

(1)

2F*

2G*

顶视图

1

2

MAM255

2

1. * = P ：香港制造。

* = T：在马来西亚。

* = W ：中国制造。

订购信息

TYPE

数

BC849B

BC849C

BC850B

BC850C

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

包

名字

描述

塑料表面贴装封装; 3引线

VERSION

SOT23

2004年01月16日

2

恩智浦半导体

产品数据表

NPN通用晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

V

CBO

BC849

BC850

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BC849

BC850

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

号（j -a）的

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

集电极开路

开基

65

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

分钟。

BC849 ; BC850

马克斯。

30

50

30

45

5

100

200

250

+150

150

+150

V

单位

mA

mW

°C

价值

500

单位

K / W

2004年01月16日

3

恩智浦半导体

产品数据表

NPN通用晶体管

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

BC849B ; BC850B

BC849C ; BC850C

直流电流增益

BC849B ; BC850B

BC849C ; BC850C

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

C

c

C

e

f

T

F

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极饱和电压

基射极电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

噪声系数

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安

I

C

= 10毫安;我

B

= 0.5毫安;注1

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安;注1

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V ;注意2

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ;注意2

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

C

= 200

μA;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 kΩ;

F = 10 Hz至15.7千赫

I

C

= 200

μA;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 kΩ;

F = 1千赫B = 200赫兹

笔记

1. V

BESAT

降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。

2. V

BE

降低了约2毫伏/ K随温度的升高。

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V;

参见图2和图3

条件

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

E

= 0; V

CB

= 30 V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 10

μA;

V

CE

= 5 V;

参见图2和图3

分钟。

200

420

580

100

BC849 ; BC850

典型值。

240

450

290

520

90

200

700

900

660

2.5

11

马克斯。

15

5

100

450

800

250

600

700

770

4

单位

nA

μA

nA

mV

pF

兆赫

dB

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的; F = 1 MHz的

2004年01月16日

4

恩智浦半导体

产品数据表

NPN通用晶体管

BC849 ; BC850

手册，全页宽

300

MBH724

的hFE

VCE = 5 V

200

100

0

10

2

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

BC849B ; BC850B 。

图2直流电流增益;典型值。

手册，全页宽

600

MBH725

VCE = 5 V

的hFE

400

200

0

10

2

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

BC849C ; BC850C 。

图3直流电流增益;典型值。

2004年01月16日

5

SMD型

NPN通用晶体管

BC849 ， BC850

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

晶体管

IC

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

2

0.55

低电压（最大45 V ）。

+0.1

1.3

-0.1

低电流（最大100 mA时）

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

符号

V

CBO

等级

30

50

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功率耗散T

AMB

储存温度

结温

工作环境温度

从结点到环境的热阻*

*晶体管安装在一FR4印刷电路板。

25

*

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

R

号（j -a）的

30

45

5

100

200

250

-65到150

150

-65到150

500

K / W

单位

V

mA

mW

0-0.1

www.kexin.com.cn

1

SMD型

BC849 ， BC850

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

BC849B ; BC850B

BC849C ; BC850C

直流电流增益

BC849B ; BC850B

BC849C ; BC850C

集电极 - 发射极饱和电压

V

CESAT

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安

基射极饱和电压

V

BESAT

I

C

= 10毫安;我

B

= 0.5毫安; * 1

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安; * 1

基射极电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

V

BE

C

c

C

e

fT

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V; *2

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V;*2

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

C

= 200 μA ; V

CE

= 5 V ;

S

= 2 KU ， F =

10 Hz至15.7千赫

I

C

= 200 μA ; V

CE

= 5 V ;

S

= 2 KU ， F =

1千赫; B = 200赫兹

100

2.5

11

580

h

FE

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V;

200

420

符号

I

CBO

I

EBO

Testconditons

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

E

= 0; V

CB

= 30 V ;牛逼

j

= 150 °

C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 10 μA ; V

CE

= 5 V;

240

450

290

520

90

200

700

900

660

民

典型值

晶体管

IC

最大

15

5

100

单位

nA

ìA

nA

450

800

250

600

mV

700

770

mV

pF

兆赫

4

dB

噪声系数

F

*1 V

BESAT

降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。

*2 V

BE

降低了约2毫伏/ K随温度的升高。

h

FE

分类

TYPE

记号

BC849B

2B

BC849C

2C

BC850B

2F

BC850C

2G

2

www.kexin.com.cn

BC846...-BC850...

NPN硅晶体管自动对焦

对于AF输入级和驱动器应用

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

30 Hz至15 kHz的低噪音

互补类型：

BC856...-BC860...(PNP)

无铅（符合RoHS标准）封装

1)

合格的依据AEC Q101

1

含有铅，

包可能是可根据特殊要求

1

2007-04-20

BC846...-BC850...

TYPE

BC846A

BC846B

BC846BW

BC847A

BC847B

BC847BF

BC847BL3

BC847BT

BC847BW

BC847C

BC847CW

BC848A

BC848AW

BC848B

BC848BF

BC848BL3

BC848BW

BC848C

BC848CW

BC849B

BC849BF

BC849C

BC849CW

BC850B

BF850BF

BC850BW

BC850C

BC850CW

记号

1As

1Bs

1Es

1Fs

1F

1Fs

1Gs

1Js

1Ks

1K

1Ks

1Ls

2Bs

2Cs

2Fs

2Gs

1=B

引脚配置

2=E

3=C

-

包

SOT23

SOT323

SOT23

TSFP-3

TSLP-3-1

SC75

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

TSFP-3

TSLP-3-1

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

TSFP-3

SOT23

SOT323

SOT23

TSFP-3

SOT323

SOT23

SOT323

2

2007-04-20

BC846...-BC850...

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

BC846...

BC847 ... ， BC850 ...

BC848 ... ， BC849 ...

集电极 - 发射极电压

BC846...

BC847 ... ， BC850 ...

BC848 ... ， BC849 ...

集电极 - 基极电压

BC846...

BC847 ... ， BC850 ...

BC848 ... ， BC849 ...

发射极 - 基极电压

BC846...

BC847 ... ， BC850 ...

BC848 ... ， BC849 ...

集电极电流

峰值集电极电流

总功率dissipation-

T

S

≤

71 ° C， BC846 - BC850

T

S

≤

128 ° C， BC847F - BC850F

T

S

≤

135 ° C， BC847L3 - BC848L3

T

S

≤

109 ° C， BC847T

T

S

≤

124 ° C， BC846W - BC850W

结温

储存温度

T

j

T

英镑

I

C

I

CM

P

合计

330

250

150

-65 ... 150

°C

V

EBO

6

100

200

mW

mA

V

CBO

80

50

30

V

CES

80

50

30

符号

V

首席执行官

65

45

30

价值

单位

V

3

2007-04-20

BC846...-BC850...

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

BC846-BC850

BC847F-BC850F

BC847L3-BC848L3

BC847T

BC846W-BC850W

1

为

符号

R

thjs

价值

≤

240

≤

90

≤

60

≤

165

≤

105

单位

K / W

计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

4

2007-04-20

BC846...-BC850...

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

符号

值

单位

参数

分钟。

典型值。马克斯。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CEO

V

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， BC846 ...

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， ... BC847 ， BC850 ...

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， ... BC848 ， BC849 ...

65

45

30

V

（ BR ） CBO

-

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0， BC846 ...

I

C

= 10 A,

I

E

= 0， ... BC847 ， BC850 ...

I

C

= 10 A,

I

E

= 0， ... BC848 ， BC849 ...

80

50

30

V

（ BR ） EBO

I

CBO

-

6

-

A

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 0 ,

I

C

= 10 A

-

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

-

h

FE

0.015

5

140

250

480

180

290

520

-

220

450

800

mV

直流电流增益

1)

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp.A

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp.B

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp.C

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp.A

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp.B

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp.C

-

110

200

420

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

-

V

BESAT

90

200

700

900

660

-

250

600

-

700

770

基极发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

-

V

BE（上）

基射极电压

1)

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

1

脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％

580

-

5

2007-04-20

BC846 ， BC847 ， BC848 ， BC849 ， BC850系列

NPN通用晶体管

电压

特点

通用放大器应用

.007(.20)MIN

30/45/65伏特

当前

225毫瓦

SOT- 23

单位：英寸（毫米）

NPN硅外延，平面设计

.047(1.20)

.056(1.40)

.119(3.00)

.110(2.80)

集电极电流Ic = 100毫安

无铅产品可供选择：

99 ％以上的锡能符合ROHS

环境物质指令的要求

.103(2.60)

机械数据

案例： SOT -23 ，塑料

码头：每MIL -STD- 202G ，方法208

.083(2.10)

.066(1.70)

.006(.15)

.002(.05)

.044(1.10)

.006(.15)MAX

EVI ê M AR I G ：

c

kn

B C 846A = 46A

B C 846B = 46B

B C 847A = 47A

B C 847B = 47B

B C 847C = 47C

B C 848A = 48A

B C 848B = 48B

B C 848C = 48C

B C 849B = 49B

B C 849C = 49C

B C 850B = 50B

B C 850C = 50℃

.020(.50)

.013(.35)

绝对额定值

参数

集电极 - 发射极电压

B C 846

BC847,BC850

BC848,BC849

B C 846

BC847,BC850

BC848,BC849

B C 846

BC847,BC850

BC848,BC849

符号

V

首席执行官

价值

65

45

30

80

50

30

6.0

5.0

100

单位

V

集电极 - 基极电压

V

CBO

.035(0.90)

约。重量： 0.008克

发射极 - 基极电压

V

EBO

连续集电极电流 -

I

C

热特性

PA R A M E TE

M AX P嗷嗷ERD我SI航标（ OT 1 ）

S·P我

否E

疗法ALR ESI吨NCE ， Juncton吨米双向新台币

m

sa

I O

e

每吨 Juncton TEM

i

AUE

每吨R 5吨 GE TEM

oa

AUE

S YM BOL

P

给T

Rθ

JA

T

J

英镑

TI

瓦尔ê

u

225

556

- 5 t 150

5 o

- 5 t 150

5 o

ü NIS

t

mW

O

.086(2.20)

V

mA

C/

W

O

C

O

注1 ：晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸

REV.0-MAR.7.2005

PAGE 。 1

BC846 ， BC847 ， BC848 ， BC849 ， BC850系列

电气特性

PA RA M E TE

B C 8 4 6 A / B

C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA GE公元前8 4 7 A / B / C ，BC 8 5 0 B /权证英里TTE R B

B C 8 4 8 A / B / C ， B C 8 4 9 B / C

C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B

B C 8 4 6 A / B

B C 8 4 7 A / B / C ， B C 8 5 0 B / C

B C 8 4 8 A / B / C ， B C 8 4 9 B / C

B C 8 4 6 A / B

B C 8 4 7 A / B / C ， B C 8 5 0 B / C

B C 8 4 8 A / B / C ， B C 8 4 9 B / C

S YM B○升

特S T C 0 N D I T I O

M IN 。

65

45

30

80

50

30

6 .0

5 .0

-

牛逼YP 。

MA X 。

ü妮吨s

V

（ B R ）

权证 IC = 1 0米A， IB = 0

-

V

（ B R ）

C B IC = 1 0 U A， IE = 0

-

V

英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é

V

（ B R ）

E B IE = 1 0 U A， IC = 0

-

V

ê米I T T E的R - B A S式C UT F F C-UR 鄂西北

ollector - B ASE UT关闭C-UR重新新台币

D C C-UR 鄂西北G A I N

公元前8 4 6 公元前8 4 8秒用友修复"一"

公元前8 4 6 公元前8 5 0 S用友修复" B "

公元前8 4 7 公元前8 5 0 S用友修复" "

公元前8 4 6 公元前8 4 8秒用友修复"一"

公元前8 4 6 公元前8 5 0 S用友修复" B "

公元前8 4 7 公元前8 5 0 S用友修复" "

I

E B

I

C B

V E B = 5

V C B = 3 0 V ， IE = 0

V C B = 3 0 V ， IE = 0 ，T

J

= 1 5 0

O

C

IC = 1 0 U A，V权证= 5 V

-

90

150

270

180

290

520

-

0 .7

0 .9

0 .6 6 0

-

100

15

5 .0

-

nA

uA

-

h

F ê

-

D C C-UR 鄂西北G A I N

h

F ê

IC = 2 。 0米A，V权证= 5 V

IC = 1 0米A， IB = 0 。 5m的

IC = 1 0 0为m的， IB = 5 。 0米一

IC = 1 0米A， IB = 0 。 5m的

IC = 1 0 0为m的， IB = 5 。 0米一

IC = 2m的，V权证= 5 。 0 V

IC = 1 0米A，V权证= 5 。 0 V

V C B = 1 0 V ， IE = 0 ， F = 1 M·H

11 0

200

420

-

0 .5 8

-

220

450

800

0 .2 5

0 .6

-

0 .7 0

0 .7 7

4 .5

-

ollector - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage

B ASE - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage

B一个发E - é英里TTE 武LTA克é

C 0 L L权证T O服务的R - B A S式C一P A C I T A NC é

V

权证（S AT ）

V

权证（S AT ）

V

权证（S AT ）

C

CBO

V

pF

NPN

REV.0-MAR.7.2005

PAGE 。 2

BC846 ， BC847 ， BC848 ， BC849 ， BC850系列

电气特性曲线（ BC846A ， BC847A ， BC848A ）

100

V

CB

=30V

300

T

J

=150 C

I

CB0

，集电极电流（ NA）

250

T

J

=100 C

10

hF

E

200

150

T

J

=25 C

1

100

50

V

CE

=5V

0

25

50

75

100

125

150

结温，T

J

(

O

C)

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

集电极电流，I

C

（MA ）

图。 1.典型的我

CB0

- 结温

1200

图。 2.典型

FE

与集电极电流

1000

T

J

= 25 C

800

V

CE （ SAT ）

（毫伏）

,

V

BE（上）

（毫伏）

,

T

J

= 100 C

T

J

= 100 C

T

J

= 150 C

600

100

400

V

CE

=5V

200

T

J

= 150 C

T

J

= 25 C

I

C

/I

B

=20

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

10

0.01

0.1

1

10

100

1000

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

图。 3.典型的V

BE（上）

与集电极电流

1200

图。 4.典型的V

CE （ SAT ）

与集电极电流

10

T

J

= 25 C

1000

T

J

= 25 C

C

IB （ EB）的

800

V

BE （ SAT ）

（毫伏）

,

T

J

= 100 C

600

电容C （PF ）

400

I

C

/I

B

=20

C

OB （ CB ）

200

T

J

= 150 C

0

0.01

1

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

反向电压（ V）

图。 5.典型的V

BE （ SAT ）

与集电极电流

图。 6.典型的电容与反向电压

REV.0.MAR.7.2005

PAGE 。 3

BC846 ， BC847 ， BC848 ， BC849 ， BC850系列

电气特性曲线（ BC846B ， BAC847B ， BC848B ， BC849B ， BC850B ）

100

V

CB

=30V

500

450

400

T

J

=150 C

V

CE

=5V

I

CB0

，集电极电流（ NA）

10

hF

E

350

300

250

200

T

J

=100 C

T

J

=25 C

1

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

结温，T

J

(

O

C)

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

集电极电流IC （MA ）

图。 1.典型的我

CB0

- 结温

1200

1000

图。 2.典型

FE

与集电极电流

1000

T

J

= 25 C

T

J

= 100 C

V

CE （ SAT ）

（毫伏）

,

100

T

J

= 100 C

T

J

= 150 C

800

V

BE（上）

（毫伏）

,

600

400

V

CE

=5V

T

J

= 25 C

I

C

/I

B

=20

200

T

J

= 150 C

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

10

0.01

0.1

1

10

100

1000

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

图。 3.典型的V

BE（上）

与集电极电流

1200

图。 4.典型的V

CE （ SAT ）

与集电极电流

10

1000

T

J

= 25 C

800

T

J

= 100 C

C

IB （ EB）的

T

J

= 25 C

600

电容C （ pF的

)

V

BE （ SAT ）

（毫伏）

,

C

OB （ CB ）

400

200

T

J

= 150 C

I

C

/I

B

=20

0

0.01

1

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

反向电压（ V）

图。 5.典型的V

BE （ SAT ）

与集电极电流

图。 6 。

典型的电容与反向电压

REV.0-MAR.7.2005

PAGE 。 4

BC846 ， BC847 ， BC848 ， BC849 ， BC850系列

电气特性曲线（ BAC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C ）

100

V

CB

=30V

1200

V

CE

=5V

I

CB0

，集电极电流（ NA）

1000

T

J

=150 C

10

hF

E

800

T

J

=100 C

600

T

J

=25 C

1

400

200

0

25

50

75

100

125

150

结温，T

J

(

O

C)

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

集电极电流IC ，（毫安）

图。 1.典型的我

CB0

- 结温

1200

1000

图。 2.典型

FE

与集电极电流

1000

800

T

J

= 100 C

T

J

= 25 C

V

CE （ SAT ）

（毫伏）

,

T

J

= 150 C

V

BE（上）

（毫伏）

,

T

J

= 100 C

100

600

400

T

J

= 25 C

200

T

J

= 150 C

V

CE

=5V

I

C

/I

B

=20

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

10

0.01

0.1

1

10

100

1000

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

图。 3.典型的V

BE（上）

与集电极电流

1200

图。 4.典型的V

CE （ SAT ）

与集电极电流

10

1000

C

IB （ EB）的

800

T

J

= 25 C

V

BE （ SAT ）

（毫伏）

,

T

J

= 100 C

600

400

I

C

/I

B

=20

T

J

= 150 C

0

0.01

电容C （ pF的

)

T

J

= 25 C

C

OB （ CB ）

200

1

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

反向电压（ V）

图。 5.典型的V

BE （ SAT ）

与集电极电流

图。 6.典型的电容与反向电压

REV.0-MAR.7.2005

PAGE 。五

BC846A/B-BC847A/B/C

BC848A/B/C-BC849B/C

BC850B/C

通用晶体管

NPN硅

*湿度敏感度等级： 1

* ESD额定值 - 人体模型： >4000V

-machine型号： >400V

1

BASE

集热器

3

1

2

SOT-23

标记图

3

XX =设备

码（见

见下表）

1

2

辐射源

M aximum atings

( T

A

= 25°C除非另有说明）

等级

集电极 - 发射极电压

BC847,

BC848,

集电极 - 基极电压

BC847,

BC848,

发射极 - 基极电压

BC846

BC850

BC849

BC846

BC850

BC849

符号

VCEO

价值

65

45

30

80

50

30

6.0

5.0

100

单位

VDC

VCBO

VEBO

VDC

BC846

BC847 ， BC850

BC848 ， BC849

VDC

集电极电流连续

IC

MADC

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注1 ） TA = 25℃

减免上述25℃

热阻，结到环境（注1 ）

器件总功耗氧化铝

基板，（注2 ） TA = 25℃

减免上述25℃

热阻，结到环境（注2 ）

结温和存储，使用温度范围

符号

PD

R

q

JA

PD

R

q

JA

TJ ， TSTG

最大

225

1.8

556

300

2.4

417

-55到+150

单位

mW

毫瓦/ C

C / W

mW

毫瓦/ C

C / W

C

器件标识

BC846A = 1A ; BC846B = 1B ; BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G ; BC848A = 1J ;

BC848B = 1K ; BC848C = 1L ; BC849B = 2B ; BC849C = 2C ; BC850B = 2F ; BC850C = 2G

1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸

2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝

我们ITR 0：N

http://www.weitron.com.tw

BC846A/B-BC847A/B/C

BC848A/B/C-BC849B/C

BC850B/C

我们将其R ON

(T

A

= 25°C除非另有说明）

电气特性

开关特性

特征

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B

V（ BR ） CEO

BC847A ， B，C BC850B.C

（ IC = 10毫安）

BC848A ， B，C BC849B ，C

V（ BR ） CES

集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B

（ IC = 10 μA ， VEB = 0 ）

BC847A ， B，C BC850B.C

BC848A ， B，C BC849B ，C

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

=10 A)

发射极 - 基极击穿电压

（ IE = 1.0 μA ）

BC846A,B

V（ BR ） CBO

BC847A ， B，C BC850B.C

BC848A ， B，C BC849B ，C

BC846A,B

V（ BR ） EBO

BC847A ， B，C BC850B.C

BC848A ， B，C BC849B ，C

ICBO

65

45

30

80

50

30

80

50

30

6.0

5.0

-

15

5.0

V

集电极截止电流（ VCB = 30V ）

（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）

nA

mA

基本特征

直流电流增益

（ IC = 10

A， VCE = 5.0V ）

（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）

BC846A ， BC847A ， BC848A

BC846B ， BC847B ， BC848B

BC847C ， BC848C

的hFE

-

110

200

420

VCE （ SAT ）

-

580

-

90

150

270

180

290

520

-

-0.7

-0.9

660

-

220

450

800

0.25

0.6

-

700

770

V

-

BC846A ， BC847A ， BC848A

BC846B ， BC847B ， BC848B

BC849B 。 BC850B ，

BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可

（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）

基射极饱和电压

（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可

（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）

基射极电压上

（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）

（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）

VBE （ SAT ）

V

VBE （ON）的

V

小信号特性

电流增益带宽积

（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）

输出电容

（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）

噪声系数

（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，

BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，

RS = 2.0

W

,

BC849B ，C ， BC850B ，C

F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）

fT

科博

NF

-

10

4.0

100

-

4.5

兆赫

pF

dB

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

BC846A/B-BC847A/B/C

BC848A/B/C-BC849B/C

BC850B/C

我们将其R ON

BC847 / BC848 / BC849 / BC850系列

1.0

VCE=10V

TA = 25℃

0.9

V，电压（V ）

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

VCE

（SAT）

@IC/BC=10

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30 50

70 100

TA = 25℃

VBE

（SAT）

@IC/BC=10

VBE

（上）

@ VCE = 10V

的hFE ，规范直流电流增益

2.0

1.5

1.0

0.8

0.6

0.4

0.3

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

20

50

100

200

0

0.1

IC ，集电极电流（ MADC ）

Figure1.Normalized直流电流增益

IC ，集电极电流（ MADC ）

Firure2 。 "Saturation"而"On"电压

QVB ，温度系数（毫伏/ C）

VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）

2.0

1.0

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

-55℃ + 125

TA = 25℃

1.6

IC = 200毫安

1.2

IC 。

10mA

IC = 100毫安

0.8

IC=-50mA

IC = 20mA下

0.4

0

0.02

0.1

1.0

10

20

0.2

IB ，基极电流（毫安）

图3.集电极饱和区

1.0

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图4.基射极温度系数

10

7.0

C，电容（pF ）

5.0

兴业银行

TA = 25℃

尺，电流增益带宽积（兆赫）

400

300

200

V

CE

=10V

T

A

= 25 C

100

80

60

40

30

20

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

10

20

30

50

3.0

2.0

COB

1.0

0.4

0.6 0.8 1.0

2.0

4.0

6.0 8.0 10

20

40

VR ，反向电压（伏）

图5的电容

IC ，集电极电流（ MADC ）

图6.电流GAIN-带宽积

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

BC846A/B-BC847A/B/C

BC848A/B/C-BC849B/C

BC850B/C

我们将其R ON

BC846系列

1.0

TA = 25℃

0.8

VBE(sat)@IC/IB=10

V，电压（V ）

0.6

0.4

0.2

VCE(sat)@IC/IB=10

0

VBE@VCE=-5.0V

的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）

VCE=5V

TA = 25℃

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1 0.2

1.0

10

100

IC ，集电极电流（毫安）

0.2

0.5

图7.DC电流增益

1.0

2.0

5.0

10

20

50

IC ，集电极电流（毫安）

100

200

图8. "On"电压

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

TA = 25℃

1.6

20mA

50mA

100mA

200mA

QVB温度系数（毫伏/ C）

2.0

1.0

1.4

1.2

1.8

QVB的VBE

-55 ℃ 125℃

0.8

2.2

0.4

IC 。

10mA

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

20

2.6

0

0.02

3.3

0.2

0.5

1.0

-2.0

5.0

10

20

50

100

200

IB ，基极电流（毫安）

IC ，集电极电流（毫安）

图9.集电极饱和区

图10.基射极温度系数

40

TA = 25℃

兴业银行

10

8.0

6.0

4.0

2.0

0.1

COB

尺，电流增益带宽积

500

VCE=5.0V

TA = 25℃

C. CAPACTIANCE （PF ）

20

200

100

50

20

1.0

5.0 10

50 100

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

20

50

100

VR ，反向电压（伏）

图11.电容

图12.Current增益带宽积

IC ，集电极电流（毫安）

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WEITRON

BC846A/B-BC847A/B/C

BC848A/B/C-BC849B/C

BC850B/C

SOT- 23封装外形尺寸

单位：mm

A

牛逼的运算V即瓦特

B

C

E

G

H

D

K

J

L

M

DIM MIN MAX

A

0.35 0.51

B

1.19 1.40

C

2.10 3.00

D

0.85 1.05

E

0.46 1.00

G

1.70 2.10

H

2.70 3.10

J

0.01 0.13

K

0.89 1.10

L

0.30 0.61

M

0.076 0.25

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

BC849 ， BC850

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

2

0.55

低电压（最大45 V ）。

+0.1

1.3

-0.1

低电流（最大100 mA时）

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

符号

V

CBO

等级

30

50

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功率耗散T

AMB

储存温度

结温

工作环境温度

从结点到环境的热阻*

*晶体管安装在一FR4印刷电路板。

25

*

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

R

号（j -a）的

30

45

5

100

200

250

-65到150

150

-65到150

500

K / W

单位

V

mA

mW

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

0-0.1

1 2

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

BC849 ， BC850

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

BC849B ; BC850B

BC849C ; BC850C

直流电流增益

BC849B ; BC850B

BC849C ; BC850C

集电极 - 发射极饱和电压

V

CESAT

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安

基射极饱和电压

V

BESAT

I

C

= 10毫安;我

B

= 0.5毫安; * 1

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安; * 1

基射极电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

V

BE

C

c

C

e

fT

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V; *2

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V;*2

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

C

= 200 μA ; V

CE

= 5 V ;

S

= 2 KU ， F =

10 Hz至15.7千赫

I

C

= 200 μA ; V

CE

= 5 V ;

S

= 2 KU ， F =

1千赫; B = 200赫兹

100

4

2.5

11

580

h

FE

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V;

200

420

符号

I

CBO

I

EBO

Testconditons

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

E

= 0; V

CB

= 30 V ;牛逼

j

= 150 °

C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 10 μA ; V

CE

= 5 V;

240

450

290

520

90

200

700

900

660

700

770

450

800

250

600

mV

pF

兆赫

dB

民

典型值

最大

15

5

100

单位

nA

ìA

nA

噪声系数

F

*1 V

BESAT

降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。

*2 V

BE

降低了约2毫伏/ K随温度的升高。

h

FE

分类

TYPE

记号

BC849B

2B

BC849C

2C

BC850B

2F

BC850C

2G

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2