BC846 BC850 ...
BC846 BC850 ...
NPN
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
NPN
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
版本2006-06-02
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
1.9
2
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
2.5最大
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC846
BC847
BC850
45 V
50 V
6V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
BC848
BC849
30 V
30 V
5V
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
T
j
T
S
65 V
80 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 A
A组
B组
C组
A组
B组
C组
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
–
–
–
110
200
420
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
90
150
270
180
290
520
90毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
马克斯。
–
–
–
220
450
800
250毫伏
600毫伏
–
–
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BC846 BC850 ...
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
V
CB
= 30 V ， （E打开）
V
CE
= 30 V ，T
j
= 125°C ， （E打开）
发射基截止电流
V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
V
EB
= 0.5 V,
I
C
= i
c
= 0,
F = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V，I
C
= 200 μA ，R
G
= 2 k
F = 1千赫
Δf
= 200赫兹
BC846 BC848 ...
BC849 BC850 ...
F
F
R
THA
–
–
2分贝
1.2分贝
< 420 K / W
1
)
BC856 BC859 ...
BC846A 1A =
BC847A 1E =
BC848A = 1J
BC846B 1B =
BC847B 1F =
BC848B = 1K
BC849B = 2B
BC850B = 2F
BC847C = 1G
BC848C = 1L
BC849C = 2C
BC850C = 2G
10分贝
4分贝
C
EB0
–
9 pF的
–
C
CBO
–
3.5 pF的
6 pF的
f
T
–
300兆赫
–
I
EB0
–
–
100 nA的
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
15 nA的
5 A
V
BE
V
BE
580毫伏
–
660毫伏
–
700毫伏
720毫伏
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbare Stromverstrkungs-
GRUPPEN亲典型值
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
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