添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第717页 > BC849CLT1
乐山无线电COMPA N Y 。，LTD 。
通用晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流（峰值）
发射极电流（峰值）
基本电流（峰值）
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
I
BM
BC846
65
80
6.0
100
200
200
200
BC847
BC850
45
50
6.0
100
200
200
200
BC848
BC849
30
30
5.0
100
200
200
200
单位
V
V
V
MADC
MADC
MADC
MADC
BC846ALT1,BLT1
BC847ALT1,BLT1
CLT1通
BC850BLT1,CLT1
3
1
2
焊接特性
特征
耐焊热性
可焊性
符号
265
240 265
符号
P
D
225
1.8
R
θ
JA
P
D
556
300
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
单位
°C
°C
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
最大
单位
1
BASE
3
集热器
2
辐射源
器件标识
BC846ALT1 = 1A ; BC846BLT1 = 1B ; BC847ALT1 = 1E ; BC847BLT1 = 1F ;
BC847CLT1 = 1G ; BC848ALT1 = 1J ; BC848BLT1 = 1K ; BC848CLT1 = 1L
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10 mA）的
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10
A,
V
EB
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
A)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 1.0
A)
收藏家Cuto FF电流
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A,B,C
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
5.0
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
v
V
（ BR ） CES
v
V
（ BR ） CBO
v
BC848A ， B，C ， BC849B ，C ，
BC850B,C
(V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
V
（ BR ） EBO
I
CBO
—
—
15
5.0
nA
A
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
M3–1/4
乐山无线电COMPA N Y 。，LTD 。
BC846ALT1 ， BLT1 BC847ALT1 ， BLT1 CLT1通BC850BLT1 ， CLT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
A,
V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B ， BC849B ， BC850B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
V
V
V
CE （ SAT ）
h
FE
—
—
—
110
200
420
—
—
—
—
580
—
90
150
270
180
290
520
—
—
0.7
0.9
660
—
—
—
—
220
450
800
0.25
0.6
—
—
700
770
—
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
V
V
mV
BE （ SAT ）
BE（上）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安， BC846A ， BC847A ， BC848A
V
CE
= 5.0 V
dc
, R
S
= 2.0 kΩ的， BC846B ， BC847B ， BC848B
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹） BC847C ， BC848C
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
—
—
—
—
10
4.0
100
—
—
—
—
4.5
兆赫
pF
dB
h
FE
归一化直流电流增益
2.0
1.5
1.0
V，电压（V ）
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
=10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
2.0
θ
VB
，温度系数（毫伏/ ° C）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图1.归DC电流增益
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图2. “饱和度”和“开”电压
1.0
T
A
= 25°C
1.6
-55 ° C至+ 125°C
1.2
I
C
= 200毫安
1.2
1.6
I
C
=
0.8
I
C
=
10毫安20毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
2.0
2.4
0.4
2.8
0
0.02
0.1
1.0
10
20
3.0
0.2
1.0
10
100
I
B
，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.基射极温度系数
M3–2/4
乐山无线电COMPA N Y 。，LTD 。
BC846ALT1 ， BLT1 BC847ALT1 ， BLT1 CLT1通BC850BLT1 ， CLT1
BC847/BC848
10.0
7.0
5.0
C，电容（pF ）
f
T
型，电流增益 - 带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
= 10V
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
C
ib
3.0
C
ob
2.0
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
20
40
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
1.0
V
CE
= 5V
T
A
= 25°C
2.0
V，电压（V ）
图6.电流增益 - 带宽积
h
FE
，直流电流增益（标准化）
T
A
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
1.0
0.5
0.2
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100 200
0.1 0.2
1.0
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB
，温度系数（毫伏/ ° C）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
–1.0
2.0
T
A
= 25°C
1.6
20mA
1.2
I
C
=
10毫安
50mA
100mA
200mA
–1.4
–1.8
θ
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
0.8
–2.2
0.4
–2.6
0
0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
–3.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
M3–3/4
乐山无线电COMPA N Y 。，LTD 。
BC846ALT1 ， BLT1 BC847ALT1 ， BLT1 CLT1通BC850BLT1 ， CLT1
BC846
f
T
型，电流增益 - 带宽积牛逼
40
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
500
200
100
50
20
20
C
ib
10
6.0
4.0
C
ob
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
2.0
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
M3–4/4
BC846ALT1系列
BC846 ， BC847和BC848的首选设备
通用
晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
符号
V
首席执行官
65
45
30
V
CBO
80
50
30
V
EBO
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
连续集电极电流 -
I
C
6.0
6.0
5.0
100
MADC
VDC
VDC
1
2
无铅包可用
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值 - 人体模型： >4000 V
ESD额定值
- 机器型号： >400 V
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
集电极 - 基极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
发射极 - 基极电压
价值
单位
VDC
2
辐射源
3
SOT23
CASE 318
类型6
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
标记图
XXD
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
单位
mW
xx
D
=具体设备守则
=日期代码
1.8
R
qJA
P
D
556
300
毫瓦/°C的
° C / W
mW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 修订版6
出版订单号：
BC846ALT1/D
BC846ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10 mA）的
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC847A ， B，C BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B ，
BC849B ， BC850B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
15
5.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
I
CBO
nA
mA
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基地发射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
4.0
兆赫
pF
dB
图1 。
http://onsemi.com
2
BC846ALT1系列
BC847 ， BC848 ， BC849 ， BC850
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
图1.归DC电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
C
ob
2.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
图4.基射极温度系数
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
20
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
40
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
3
BC846ALT1系列
BC846
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
10
100
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
A
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50
10 20
5.0
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
图7.直流电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
20毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
1.0
1.4
1.8
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
q
VB
对于V
BE
2.2
2.6
3.0
-55 ° C至125°C
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
0.2
0.5
50
10 20
5.0
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
F T ，电流增益 - 带宽积
40
500
200
100
50
20
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
10
6.0
4.0
C
ob
2.0
0.1
0.2
1.0 2.0
10 20
0.5
5.0
V
R
，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
4
BC846ALT1系列
订购信息
设备
BC846ALT1
BC846ALT3
BC846BLT1
BC846BLT3
BC847ALT1
BC847ALT1G
BC847BLT1
BC847CLT1
BC847CLT1G
BC847CLT3
BC847CLT3G
BC848ALT1
BC848ALT1G
BC848BLT1
BC848BLT3
BC848CLT1
BC848CLT1G
BC849BLT1
BC849BLT3
BC849CLT1
BC849CLT1G
BC850BLT1
BC850CLT1
BC850CLT1G
记号
1A
1A
1B
1B
1E
1E
1F
1G
1G
1G
1G
1J
1J
1K
1K
1L
1L
2B
2B
2C
2C
2F
2G
2G
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过BC846ALT1 / D
通用晶体管
BC846ALT1,BLT1
BC847ALT1,
集热器
3
NPN硅
1
BASE
BLT1 ， CLT1通
BC850ALT1,BLT1,
CLT1
BC846 ， BC847和BC848的
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
BC846
65
80
6.0
100
BC847
BC850
45
50
6.0
100
BC848
BC849
30
30
5.0
100
2
辐射源
单位
V
V
V
MADC
1
2
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
225
1.8
R
q
JA
PD
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
器件标识
BC846ALT1 = 1A ; BC846BLT1 = 1B ; BC847ALT1 = 1E ; BC847BLT1 = 1F ;
BC847CLT1 = 1G ; BC848ALT1 = 1J ; BC848BLT1 = 1K ; BC848CLT1 = 1L
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压BC846A ，B
（ IC = 10 mA）的
BC847A ， B，C ， BC850A ， B，C
BC848A ， B，C ， BC849A ， B，C
集电极 - 发射极击穿电压BC846A ，B
（ IC = 10
A,
VEB = 0）的
BC847A ， B，C ， BC850A ， B，C
BC848A ， B，C ， BC849A ， B，C
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0
m
A)
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850A ， B，C
BC848A ， B，C ， BC849A ， B，C
BC846A,B
BC847A,B,C
BC848A ， B，C ， BC849A ， B，C ， BC850A ， B，C
V（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
5.0
V
V（ BR ） CES
V
V（ BR ） CBO
V
V（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（ VCB = 30 V）
（ VCB = 30 V ， TA = 150 ° C）
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
ICBO
nA
A
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BC846ALT1 ， BLT1 BC847ALT1 ， BLT1 ， CLT1通BC850ALT1 ， BLT1 ， CLT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A,
VCE = 5.0 V）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A ， BC849A ， BC850A
BC846B ， BC847B ， BC848B ， BC849B ， BC850B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
—
—
—
110
200
420
—
—
—
—
580
—
90
150
270
180
290
520
—
—
0.7
0.9
660
—
—
—
—
220
450
800
0.25
0.6
—
—
700
770
V
V
mV
—
（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的
基地 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的
基地 - 发射极电压（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
基地 - 发射极电压
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（ VCB = 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（ IC = 0.2 mA时，
VCE = 5.0伏， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC849A ， B，C ， BC850A ， B，C
1.0
VCE = 10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
IC ，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
IC ，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
VBE （ ON） @ VCE = 10 V
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
fT
科博
NF
—
—
—
—
10
4.0
100
—
—
—
—
4.5
兆赫
pF
dB
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
图1.归DC电流增益
2.0
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
TA = 25°C
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC = IC = IC = 50毫安
10毫安20毫安
0.8
IC = 100毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
IB ，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
图4.基射极温度系数
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC846ALT1 ， BLT1 BC847ALT1 ， BLT1 ， CLT1通BC850ALT1 ， BLT1 ， CLT1
BC847/BC848
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25°C
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
400
300
200
3.0
COB
2.0
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
VCE = 10 V
TA = 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
VR ，反向电压（伏）
20
40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
IC ，集电极电流（ MADC ）
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = 5 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
V，电压（V ）
TA = 25°C
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE @ VCE = 5.0 V
0.4
0.2
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.1 0.2
10
100
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
0
0.2
0.5
1.0
10 20
2.0
5.0
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
200
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
TA = 25°C
1.6
20毫安
1.2
IC =
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
–1.0
–1.4
–1.8
θ
VB的VBE
–2.2
-55 ° C至125°C
0.8
0.4
–2.6
0
–3.0
0.2
0.5
10 20
1.0 2.0
5.0
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
200
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
IB ，基极电流（毫安）
5.0
10
20
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BC846ALT1 ， BLT1 BC847ALT1 ， BLT1 ， CLT1通BC850ALT1 ， BLT1 ， CLT1
BC846
40
TA = 25°C
C，电容（pF ）
20
兴业银行
10
6.0
4.0
COB
F T ，电流增益 - 带宽积
500
VCE = 5 V
TA = 25°C
200
100
50
20
2.0
0.1
0.2
1.0 2.0
10 20
0.5
5.0
VR ，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC846ALT1 ， BLT1 BC847ALT1 ， BLT1 ， CLT1通BC850ALT1 ， BLT1 ， CLT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
翻倍使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
BC846ALT1系列
BC846 ， BC847和BC848的首选设备
通用
晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
符号
V
首席执行官
65
45
30
V
CBO
80
50
30
V
EBO
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
连续集电极电流 -
I
C
6.0
6.0
5.0
100
MADC
VDC
VDC
1
2
无铅包可用
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值 - 人体模型： >4000 V
ESD额定值
- 机器型号： >400 V
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
集电极 - 基极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
发射极 - 基极电压
价值
单位
VDC
2
辐射源
3
SOT23
CASE 318
类型6
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
标记图
XXD
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
单位
mW
xx
D
=具体设备守则
=日期代码
1.8
R
qJA
P
D
556
300
毫瓦/°C的
° C / W
mW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 修订版6
出版订单号：
BC846ALT1/D
BC846ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10 mA）的
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC847A ， B，C BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B ，
BC849B ， BC850B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
15
5.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
I
CBO
nA
mA
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基地发射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
4.0
兆赫
pF
dB
图1 。
http://onsemi.com
2
BC846ALT1系列
BC847 ， BC848 ， BC849 ， BC850
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
图1.归DC电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
C
ob
2.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
图4.基射极温度系数
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
20
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
40
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
3
BC846ALT1系列
BC846
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
10
100
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
A
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50
10 20
5.0
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
图7.直流电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
20毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
1.0
1.4
1.8
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
q
VB
对于V
BE
2.2
2.6
3.0
-55 ° C至125°C
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
0.2
0.5
50
10 20
5.0
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
F T ，电流增益 - 带宽积
40
500
200
100
50
20
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
10
6.0
4.0
C
ob
2.0
0.1
0.2
1.0 2.0
10 20
0.5
5.0
V
R
，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
4
BC846ALT1系列
订购信息
设备
BC846ALT1
BC846ALT3
BC846BLT1
BC846BLT3
BC847ALT1
BC847ALT1G
BC847BLT1
BC847CLT1
BC847CLT1G
BC847CLT3
BC847CLT3G
BC848ALT1
BC848ALT1G
BC848BLT1
BC848BLT3
BC848CLT1
BC848CLT1G
BC849BLT1
BC849BLT3
BC849CLT1
BC849CLT1G
BC850BLT1
BC850CLT1
BC850CLT1G
记号
1A
1A
1B
1B
1E
1E
1F
1G
1G
1G
1G
1J
1J
1K
1K
1L
1L
2B
2B
2C
2C
2F
2G
2G
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
查看更多BC849CLT1PDF信息
推荐型号
B37873J5224M060
BZX79C43
BZX79-C43
BAS383
B41896C3397M000
b82442a1103k000
BS-CA05RD
BK1005LM182
B43454A4478M000
BUT56AF
B82422H1334
BSTP4488
BTA204-500D
B116LP
B59502A0120A020
BM-10458NA
BC182G
B85321A2945A101
BM-40458NA
B120
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BC849CLT1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1472701163 复制 点击这里给我发消息 QQ：1374504490 复制

电话：0755－82812004／82811605
联系人：朱先生
地址：广东深圳福田区华强北上步工业区405栋6楼607
BC849CLT1
LRC
24+
9000
N/A
百分百原装现货
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BC849CLT1
LRC
1922+
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
BC849CLT1
onsemi
24+
10000
SOT-23-3（TO-236）
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BC849CLT1
MOTOROLA/摩托罗拉
2443+
23000
SOT-23
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BC849CLT1
MOTOROLA/摩托罗拉
24+
9634
SOT-23
全新原装现货，原厂代理。
深圳市深科创科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3350142453 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885393564 复制

电话：0755-83247290
联系人：吴先生/吴小姐/李小姐
地址：深圳市福田区航都大厦17F1
BC849CLT1
MOT
23+
5600
原厂原封装
绝对进口原装，公司现货
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
BC849CLT1
ON/安森美
2418+
120893
SOT23-3
全新大量库存!样品可出!实单可谈!
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BC849CLT1
MOTOROLA/摩托罗拉
2024
20918
SOT-23
原装现货上海库存，欢迎咨询
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BC849CLT1
MOTOROLA/摩托罗拉
22+
32570
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
深圳市楷瑞达科技电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ：1363272801 复制 点击这里给我发消息 QQ：1294342618 复制
电话：13528893675/15710790696/0755-36335768
联系人：张
地址：广东省深圳市福田区华强北振兴路广东省深圳市福田区振兴路曼哈大厦4楼B801室。
BC849CLT1
MOTOROLA
22+
6920
SOT-23
公司现货，原装正品
查询更多BC849CLT1供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！