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BC846...-BC850...
NPN硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型:
BC856...-BC860...(PNP)
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
1
含有铅,
包可能是可根据特殊要求
1
2007-04-20
BC846...-BC850...
TYPE
BC846A
BC846B
BC846BW
BC847A
BC847B
BC847BF
BC847BL3
BC847BT
BC847BW
BC847C
BC847CW
BC848A
BC848AW
BC848B
BC848BF
BC848BL3
BC848BW
BC848C
BC848CW
BC849B
BC849BF
BC849C
BC849CW
BC850B
BF850BF
BC850BW
BC850C
BC850CW
记号
1As
1Bs
1Bs
1Es
1Fs
1Fs
1F
1F
1Fs
1Gs
1Gs
1Js
1Js
1Ks
1Ks
1K
1Ks
1Ls
1Ls
2Bs
2Bs
2Cs
2Cs
2Fs
2Fs
2Fs
2Gs
2Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23
SOT23
SOT323
SOT23
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-1
SC75
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-1
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
TSFP-3
SOT23
SOT323
SOT23
TSFP-3
SOT323
SOT23
SOT323
2
2007-04-20
BC846...-BC850...
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BC846...
BC847 ... , BC850 ...
BC848 ... , BC849 ...
集电极 - 发射极电压
BC846...
BC847 ... , BC850 ...
BC848 ... , BC849 ...
集电极 - 基极电压
BC846...
BC847 ... , BC850 ...
BC848 ... , BC849 ...
发射极 - 基极电压
BC846...
BC847 ... , BC850 ...
BC848 ... , BC849 ...
集电极电流
峰值集电极电流
总功率dissipation-
T
S
71 ° C, BC846 - BC850
T
S
128 ° C, BC847F - BC850F
T
S
135 ° C, BC847L3 - BC848L3
T
S
109 ° C, BC847T
T
S
124 ° C, BC846W - BC850W
结温
储存温度
T
j
T
英镑
I
C
I
CM
P
合计
330
250
250
250
250
150
-65 ... 150
°C
V
EBO
6
6
6
100
200
mW
mA
V
CBO
80
50
30
V
CES
80
50
30
符号
V
首席执行官
65
45
30
价值
单位
V
3
2007-04-20
BC846...-BC850...
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BC846-BC850
BC847F-BC850F
BC847L3-BC848L3
BC847T
BC846W-BC850W
1
符号
R
thjs
价值
240
90
60
165
105
单位
K / W
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
4
2007-04-20
BC846...-BC850...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
V
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BC846 ...
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, ... BC847 , BC850 ...
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, ... BC848 , BC849 ...
65
45
30
V
( BR ) CBO
-
-
-
-
-
-
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0, BC846 ...
I
C
= 10 A,
I
E
= 0, ... BC847 , BC850 ...
I
C
= 10 A,
I
E
= 0, ... BC848 , BC849 ...
80
50
30
V
( BR ) EBO
I
CBO
-
-
-
6
-
-
-
-
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 0 ,
I
C
= 10 A
-
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 45 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
h
FE
0.015
5
140
250
480
180
290
520
-
-
-
-
-
-
220
450
800
mV
直流电流增益
1)
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.A
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.B
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.C
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.A
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.B
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
h
FE
-grp.C
-
-
-
110
200
420
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
-
-
V
BESAT
90
200
700
900
660
-
250
600
-
-
700
770
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
-
-
V
BE(上)
基射极电压
1)
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V
1
脉冲测试:吨< 300μS ; < 2 %
580
-
5
2007-04-20
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联系人:刘先生
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