BC846通BC849
威世半导体
原通用半导体
小信号晶体管（ NPN ）
贴装焊盘布局
TO- 236AB （ SOT -23 ）
.122 (3.1)
.110 (2.8)
.016 (0.4)
3
.056 (1.43
)
.052 (1.33
)
0.031 (0.8)
0.035 (0.9)
顶视图
引脚配置
1
- 基地
2
- 发射极
3
=收藏家
尺寸以英寸
（毫米）
0.079 (2.0)
0.037 (0.95)
0.037 (0.95)
1
2
最大。 0.004 （0.1）
TYPE
BC846A
B
BC847A
B
C
记号
1A
1B
1E
1F
1G
TYPE
BC848A
B
C
BC849B
C
记号
1J
1K
1L
2B
2C
.007 (0.175)
.005 (0.125)
.037(0.95) .037(0.95)
.045 (1.15)
.037 (0.95)
.016 (0.4)
.016 (0.4)
.102 (2.6)
.094 (2.4)
特点
NPN硅外延平面晶体管的开关
和AF放大器应用。
特别适用于自动插入厚
薄膜电路。
这些晶体管被分为3组（ A，B
和C），根据其电流增益。类型BC846是
在组A和B ，但是，类型BC847和可用
BC848可以在所有三组来提供。该BC849是
在B和C是互补的群体提供低噪音型
种情况下，PNP晶体管BC856 ... BC859建议。
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
机械数据
案例：
SOT- 23塑料包装
重量：
约。 0.008克
包装代码/选项：
13元“卷（ 8mm带） ， 30K /盒E8 / 10K
每7 “卷轴（8毫米磁带） ， 30K /盒E9 / 3K
最大额定值和热特性
参数
集电极 - 基极电压
BC846
BC847
BC848 ， BC849
BC846
BC847
BC848 ， BC849
BC846
BC847
BC848 ， BC849
BC846 ， BC847
BC848 ， BC849
符号
V
CBO
价值
80
50
30
80
50
30
65
45
30
6
5
100
200
200
200
310
(1)
(1)
单位
V
集电极 - 发射极电压
V
CES
V
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
在T功耗
SB
= 50°C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
–I
EM
P
合计
R
θJA
R
ΔSb
T
j
T
S
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
° C / W
°C
°C
热阻结到Ambiant航
热阻结到衬底背面
结温
存储温度范围
注意：
（ 1 ）设备上的玻璃基板，看到第三页的布局。
450
320
(1)
150
-65到+150
文档编号88164
09-May-02
www.vishay.com
1
BC846通BC849
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
参数
小信号电流增益
电流增益A组
B
C
输入阻抗
电流增益A组
B
C
输出导纳
电流增益A组
B
C
反向电压传输比
电流增益A组
B
C
直流电流增益
电流增益A组
B
C
电流增益A组
B
C
集电极饱和电压
基本饱和电压
基射极VoltageV
BEON
集电极 - 基极截止电流
增益带宽积
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
BC846 ， BC847 ， BC848
BC849
BC849
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
测试条件
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
F = 1kHz时
民
—
—
—
1.6
3.2
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
110
200
420
—
—
—
—
660
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
220
330
600
2.7
4.5
8.7
18
30
60
1.5
10
-4
2
10
-4
3
10
-4
90
150
270
180
290
520
90
200
700
900
700
—
—
—
300
3.5
9
2
1.2
1.4
最大
—
—
—
4.5
8.5
15.0
30
60
110
—
—
—
—
—
—
220
450
800
250
600
—
—
mV
770
15
5
—
6
—
10
4
4
单位
—
—
—
h
fe
h
ie
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
F = 1kHz时
k
h
oe
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
F = 1kHz时
S
h
re
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
F = 1kHz时
—
—
—
—
—
—
—
—
—
mV
mV
h
FE
V
CE
= 5V ，我
C
= 10A
h
FE
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
V
CESAT
V
BESAT
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
580
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
I
CBO
f
T
C
CBO
C
EBO
V
CB
V
CB
= 30V
= 30V ，T
J
= 150C
nA
A
兆赫
pF
pF
dB
dB
dB
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 200A
R
G
=2k,f=1kHz,
f=
200Hz
V
CE
= 5V ，我
C
= 200A
R
G
= 2kΩ的， F = 30 ... 15000Hz
噪声系数
F
注意：
（ 1 ）设备上的玻璃基板，见下页的布局
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2
文档编号88164
09-May-02
QQ：2880707522 复制
