【BC846- BC850 NPN外延硅晶体管2006年8月BC846- BC850NPN外延硅晶体管】,IC型号BC848CMTF,BC848CMTF PDF资料,BC848CMTF经销商,ic,电子元器件-51电子网

BC846- BC850 NPN外延硅晶体管

2006年8月

BC846- BC850

NPN外延硅晶体管

特点

开关和放大器的应用

适用于自动插入厚薄膜电路

低噪声： BC849 ， BC850

补到BC856 BC860 ...

2

1

3

tm

SOT-23

1.底座2.辐射源3.收藏家

绝对最大额定值*

符号

V

CBO

集电极 - 基极电压

T

a

= 25 ° C除非另有说明

参数

： BC846

： BC847 / 850

： BC848 / 849

价值

80

50

30

65

45

30

6

5

100

310

150

-65 ~ 150

单位

V

mA

mW

°C

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压： BC846

： BC847 / 850

： BC848 / 849

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极耗散功率

结温

储存温度

： BC846 / 847

： BC848 /八百五十分之八百四十九

V

EBO

I

C

P

C

T

J

T

英镑

*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

电气特性*

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

I

CBO

h

FE

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

V

BE

（上）

f

T

C

ob

C

ib

NF

参数

集电极截止电流

直流电流增益

测试条件

V

CB

= 30V ，我

E

=0

V

CE

= 5V ，我

C

=2mA

分钟。

110

典型值。

马克斯。

15

800

单位

nA

集电极 - 发射极饱和电压I

C

= 10毫安，我

B

=0.5mA

I

C

= 100mA时我

B

=5mA

集电极 - 基极饱和电压

基射极电压上

电流增益带宽积

输出电容

输入电容

噪声系数

： BC846 / 848分之847

： BC849 / 850

： BC849

： BC850

I

C

= 10毫安，我

B

=0.5mA

I

C

= 100mA时我

B

=5mA

V

CE

= 5V ，我

C

=2mA

V

CE

= 5V ，我

C

=10mA

V

CE

= 5V ，我

C

=10mA,

f=100MHz

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

V

EB

= 0.5V ，我

C

= 0中，f = 1MHz的

V

CE

= 5V ，我

C

= 200A

R

G

= 2KΩ中，f = 1KHz的

V

CE

= 5V ，我

C

= 200A

R

G

= 2KΩ ， F = 30 15000Hz

580

90

200

700

900

660

300

3.5

9

2

1.2

1.4

250

600

mV

700

720

mV

兆赫

6

pF

10

4

3

dB

*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％

2006仙童半导体公司

1

www.fairchildsemi.com

BC846- BC850版本B

BC846- BC850 NPN外延硅晶体管

h

FE

分类

h

FE

A

110 ~ 220

B

200 ~ 450

C

420 ~ 800

订购信息

设备

(note1)

BC846AMTF

BC846BMTF

BC846CMTF

BC847AMTF

BC847BMTF

BC847CMTF

BC848AMTF

BC848BMTF

BC848CMTF

BC849AMTF

BC849BMTF

BC849CMTF

BC850AMTF

BC850BMTF

BC850CMTF

注1 ：

器件标识

8AA

8AB

8AC

8BA

8BB

8BC

8CA

8CB

8CC

8DA

8DB

8DC

8EA

8EB

8EC

包

SOT-23

包装方法

磁带&卷轴

数量（PCS ）

3000

销Difinitions

1.Base 2.Emitter 3.Collector

缀“ -A，-B ，-C ”指的hFE分类。

贴上“ M”指的磨砂型封装。

贴上“ -TF ”是指磁带&卷筒式包装。

2

BC846- BC850版本B

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BC846- BC850 NPN外延硅晶体管

典型性能特性

100

10000

I

C

[马] ，集电极电流

80

I

B

= 400

A

I

B

= 350

A

V

CE

= 5V

h

FE

，直流电流增益

I

B

= 300

A

60

I

B

= 250

A

I

B

= 200

A

1000

40

I

B

= 150

A

I

B

= 100

A

100

20

I

B

= 50

A

0

4

8

12

16

20

10

1

10

100

1000

V

CE

[V] ，集电极 - 发射极电压

I

C

[马] ，集电极电流

图1.静态特性

图2.直流电流增益

V

BE

（SAT），V

CE

（饱和） [ V]时，饱和电压

10000

100

I

C

= 10 I

B

1000

V

BE

（SAT）

I

C

[马] ，集电极电流

V

CE

= 2V

10

100

1

V

CE

（SAT）

10

1

10

100

1000

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

I

C

[马] ，集电极电流

V

BE

[ V]时，基极发射极电压

图3.基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

图4.基射极电压上

f

T

[兆赫] ，电流增益带宽积

100

1000

f=1MHz

V

CE

=5V

C

ob

[ pF的] ，电容

10

100

1

10

0.1

1

10

100

1000

1

0.1

1

10

100

V

CB

[V] ，集电极 - 基极电压

I

C

[马] ，集电极电流

图5.集电极输出电容

图6.电流增益带宽积

3

BC846- BC850版本B

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BC846- BC850 NPN外延硅晶体管

机械尺寸

SOT-23

0.20 MIN

2.40

±0.10

0.40

±0.03

1.30

±0.10

0.45~0.60

0.03~0.10

0.38 REF

0.40

±0.03

0.96~1.14

2.90

±0.10

0.12

–0.023

+0.05

0.95

±0.03

0.95

±0.03

1.90

±0.03

0.508REF

0.97REF

单位：毫米

4

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BC846- BC850 NPN外延硅晶体管

商标

下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于

将所有这些商标的详尽清单。

ACEX

ActiveArray

深不见底

构建它现在

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

Ensigna

FACT

快

FASTr

FPS

FRFET

FACT静音系列

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

I

2

C

我罗

ImpliedDisconnect

的IntelliMAX

等平面

LittleFET

MICROCOUPLER

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

MSX

MSXPro

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

OCX

OCXPro

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerEdge

PowerSaver技术

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

RapidConfigure

RapidConnect

SerDes

ScalarPump

SILENT SWITCHER

SMART START

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

中医

TinyBoost

TinyBuck一体化

TinyPWM

TinyPower

TinyLogic

TINYOPTO

TruTranslation

UHC

UltraFET

的UniFET

VCX

电线

放弃

飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利

提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何责任

任何产品或电路此处所述，它也没有传达任何许可根据其专利权，也不是

他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款的，特殊

CIFICALLY所述的保修涵盖这些产品。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，但不

飞兆半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统设备或其中，（一）是系统

打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，或

（三）其不履行时，按照正常使用

在标签规定的使用说明，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

2.关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件

其不履行可以合理预期造成的故障

生命支持设备或系统的，或影响其安全性或有效性。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

修订版I20

5

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